「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The third conductive layer is wired to the word line WL and does not include the bit line BL, the bit line bar, the first voltage line, and the second voltage line within the memory cell 101a.例文帳に追加

第三導電層は、ワードラインＷＬに対して配線され、メモリセル１０１ａ内で、ビットラインＢＬ、ビットラインバー、第一電圧ライン、及び第二電圧ラインがない。 - 特許庁

The projected part 30 is formed integrally with the external connecting terminals 28a, 28b and is penetrated through a third insulating layer 27 whereby they are brought into a buried condition.例文帳に追加

突出部３０は、外部接続端子２８ａ、２８ｂと一体的に形成され、第三の絶縁層２７を貫通することで、そこに埋設された状態となっている。 - 特許庁

A wiring is formed in the third region of the first wiring layer, a dummy pattern is formed in the second region, and the conductive pattern is not formed in the first region.例文帳に追加

第１の配線層の第３の領域内に配線が形成され、第２の領域内にダミーパターンが形成され、第１の領域内には導電パターンが形成されていない。 - 特許庁

The third layer is composed of a compound or a cobalt boron content alloy (CoBQ; Q is Ni, Mn, Tb, W, Hf, Zr, Nb, or Si) expressed by Co_100-Z B_Z (where, 10≤Z≤40).例文帳に追加

第３の層は、Ｃｏ_100-Z Ｂ_Z （但し１０≦Ｚ≦４０）で表わされる化合物、またはコバルトボロン含有合金（ＣｏＢＱ；Ｑは、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，またはＳｉである）からなる。 - 特許庁

First, the protection film and the semiconductor layer are etched using the photosensitive film pattern as an etching mask, thereby the gate insulating film located beneath the third portion and the protection film located beneath the second portion are exposed.例文帳に追加

まず、感光膜パターンをエッチングマスクとして保護膜と半導体層をエッチングして第３部分の下のゲート絶縁膜と第２部分の下の保護膜を露出する。 - 特許庁

A second mask 21' having a wiring groove pattern is formed by etching the second mask forming layer from the top of the third mask 12', and the connection hole 13 is dug to the middle of the first insulating film 8.例文帳に追加

第3マスク12’上から第２マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第2マスク21’を形成し、第１絶縁膜8の途中まで接続孔13を掘り下げる。 - 特許庁

This prevents an impurity from diffusing unnecessarily toward the transistor Tr when the third conductive layer 11 is doped with the impurity in a highly concentrated manner and the impurity is allowed to diffuse outward.例文帳に追加

したがって第３の導電層１１に高濃度に不純物をドープし不純物を外方拡散しても、セルトランジスタＴｒ側に不必要に拡散されることがない。 - 特許庁

The active layer of NTFT is formed of a channel forming region 102, first impurity region 103, second impurity region 104, and third impurity region 105.例文帳に追加

ＮＴＦＴの活性層をチャネル形成領域１０２、第１不純物領域１０３、第２不純物領域１０４及び第３不純物領域１０５で形成する。 - 特許庁

The second thin layer is held between the first and the third thin layers in a sandwich state, and the respective thin layers are set to peelable peel strength.例文帳に追加

第２の薄層は、第１の薄層と第３の薄層とによって、サンドイッチ状に挟み付けられていると共に、各薄層間は剥離可能な剥離強度とされている。 - 特許庁

The winding of one phase has two turn parts 33b1, 33b2 positioned adjacent radially to the turn part 33a1 of the same layer to connect the second/third layers.例文帳に追加

１相の巻線は、同層のターン部３３ａ１の径方向に隣接して位置し、第２層と第３層とをつなぐタ−ン部３３ｂ１、３３ｂ２を２つ有している。 - 特許庁

An electric double-layer capacitor 14b accumulates electric energy by a second DC voltage, and the electric energy thus accumulated is output as a third DC voltage.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１４ｂは、第２の直流電圧により電気エネルギを蓄積し、この蓄積した電気エネルギを第３の直流電圧として出力する。 - 特許庁

With the mask pattern, spacer, and between-gate oxide film as masks, the conductive layer is etched, impurity ions are implanted in a defined third opening portion, and a source region 245 is formed.例文帳に追加

マスクパターン、スペーサ及びゲート間酸化膜をマスクとして導電層をエッチングし定義された第３開口部内に不純物イオンを注入してソース領域245を形成する。 - 特許庁

Also, an interval between the third semiconductor regions is 2d×tan18° or more in the case where d is a thickness of the wideband gap semiconductor layer of the first conductivity type.例文帳に追加

また、第３の半導体領域の間隔が、第１導電型のワイドバンドギャップ半導体層の厚さをｄとする場合に２ｄ×ｔａｎ１８°以上である。 - 特許庁

A ceramic package main body 1 is constituted of a ceramic substrate 11 of a first layer and hollow ceramic substrates 12, 13 of second and third layers in which an electronic device 3 is accommodated.例文帳に追加

セラミックパッケージ本体１は、電子デバイス３を収容する第一層のセラミック基板１１と中空の第二層、第三層のセラミック基板１２、１３より構成される。 - 特許庁

The upper face of the third part inclines to the direction vertical to the opposing face 30 of the medium in the cross section passing through the center of the track width of the magnetic pole layer 16.例文帳に追加

磁極層１６のトラック幅方向の中心を通る断面において、第３の部分の上面は媒体対向面３０に垂直な方向に対して傾いている。 - 特許庁

The fourth wiring 34 electrically connects between the third wiring 23 and an impurity diffused layer in a portion equivalent to a node of the active area to which the control potential are applied.例文帳に追加

第４配線34は、第３配線と、活性領域の制御電位を印加されるノードに相当する部分内の不純物拡散層と、を電気的に接続する。 - 特許庁

In the second insulating layer 23, there are formed a second opening 24 communicating with the first opening 22, and third openings 25 not communicating with the first opening 22.例文帳に追加

第２の絶縁層２３には、第１の開口２２と連通する第２の開口２４と、第１の開口２２と連通しない第３の開口２５とが形成される。 - 特許庁

A second low dielectric constant film LOWK2c, a third low dielectric constant film LOWK3c, and a film serving as a mask layer are laminated on a diffusion prevention film ADF in this order.例文帳に追加

拡散防止膜ＡＤＦ上に、第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃ、第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃ、マスク層となるべき膜がこの順に積層される。 - 特許庁

The first to third resistance change elements MTJ 1-3 are laminated between the bit line BL of a top layer and the access transistor TR and electrically connected with one another.例文帳に追加

第１ないし第３抵抗変化素子ＭＴＪ１〜３は、最上層のビットラインＢＬと前記アクセストランジスタＴＲとの間に積層され、互いに電気的に連結される。 - 特許庁

The second wiring layer (the second scanning line 25) from the array substrate 2 side is used as the scanning line and third or more wiring layers are used as signal lines 29.例文帳に追加

アレイ基板２側から数えて２層目の配線層（第２走査線２５）が走査線として用いられ、３層目以上の配線層が信号線２９として用いらる。 - 特許庁

A mode field of the light transmitted through the waveguide of the first core is transformed adiabatically and the transformed mode field is transmitted to the waveguide of the second core through the third core being an intermediate layer.例文帳に追加

第１のコアの導波路を伝搬した光のモードフィールドが断熱的に変換されて、中間層となる第３のコアを介して、第２のコアの導波路に伝搬する。 - 特許庁

Furthermore, these second and third solid electrolyte layers 4, 5 are respectively interposed between the first solid electrolyte layer 2 and the air electrode 3 or the fuel electrode 4.例文帳に追加

さらには、これら第２および第３固体電解質層４，５を第１固体電解質層２と空気極３および燃料極４の間にそれぞれ介在させる。 - 特許庁

The strip line conductor layer 2 is arranged so as to be linearly extended from the second main face to the first main face, and arranged in parallel with the third and fourth side faces.例文帳に追加

ストリップライン導体層２を第２の主面から第１の主面に向って直線的に延びるように配置すると共に、第３及び第４の側面に平行に配置する。 - 特許庁

As a result, even if the Al film M3b (the third layer wiring) is a thin film, adhesion to the gold ball B can be secured and a short margin can be secured.例文帳に追加

その結果、Ａｌ膜Ｍ３ｂ（第３層配線）が薄膜であっても、金ボール部Ｂとの接着性を確保することができ、また、ショートマージンを確保することができる。 - 特許庁

In a semiconductor device, an open area 32 is formed in a wiring layer 31, which is the third, wider than the formation area of a photodiode 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、３層目の配線層３１には、フォトダイオード７の形成領域よりも広い領域に渡り開口領域３２が形成される。 - 特許庁

Also the third century was a period of regression when the seawater receded and sand carried by rivers was deposited over the clay layer at the bottom of dried up ponds and lakes. 例文帳に追加

また、3世紀は海退期であり、海が退いていき沼や湖が干上がり、その底に溜まっていた粘土の上に河が運んできた砂が溜まっていく時期であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The conductive material is formed on a bottom portion and a side face of a first laser via which goes until the bottom portion reaches the second land through the third insulation layer.例文帳に追加

前記導電性材料は、底部が前記第２のランドに達するように前記第３の絶縁層を貫通した、第１のレーザビアの前記底部および側面に形成される。 - 特許庁

When the second opening/closing valve 62 is opened, the ethanol-water mixture B stored in the lower layer under the main tank 2 is transferred into the sub-tank 3 through the third conduit 61.例文帳に追加

第２の開閉弁６２を開弁すると、メインタンク２の下層に収容されたエタノール−水混合液Ｂが第３の導管６１を介してサブタンク３に移送される。 - 特許庁

Thus, the position for implanting the electrons at the writing time and the position for implanting the electrons to the holes at the writing time can be brought into coincidence with the vicinity of a stepped part of the third layer.例文帳に追加

これにより、書き込み時に電子が注入される位置と、消去時に正孔が注入される位置とを、第３層の段差部近傍に一致させることができる。 - 特許庁

The conductive layer 121-123 have a first unidirectionally lengthened portion and second and third portions, where respective one edges are connected to one edge of the first portion.例文帳に追加

導体層１２１〜１２３は、一方向に長い第１の部分と、それぞれの一端部が第１の部分の一端部に接続された第２および第３の部分とを有している。 - 特許庁

A light beam 36 made incident from a third surface 38 of the first prism 32 is all reflected on a second surface 37 of the first prism 32 as an interface with the air layer 35 and made incident on the light bulb 31.例文帳に追加

第１プリズム32の第３面38から入射した光36は、空気層35との界面である第１プリズム32の第２面37で全反射しライトバルブ31に入射する。 - 特許庁

The movable board 101 is provided with mutually serially connected three driving coils 104, 105 and 106 and they are formed in first, second and third layer respectively.例文帳に追加

可動板１０１は互いに直列に接続された三つの駆動コイル１０４，１０５，１０６を備え、これらはそれぞれ弾性膜の第一，第二，第三の層に形成されている。 - 特許庁

A P-type second semiconductor layer 13 is formed on an inner surface of the second recess part 51a so as to generate a third recess part 52a being smaller than the second recess part 51a; and has a second impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第２半導体層１３は第２凹部５１ａの内面にそれより小さい第３凹部５２ｃを生じるように形成され、第２不純物濃度を有する。 - 特許庁

It is preferable that the upper electrode 66 is disposed in a third region 86 that extends from the phase change layer 63 along a plane that intersects the direction of lamination at right angles.例文帳に追加

上部電極６６は、相変化層６３から積層方向に直交する平面に沿って延在している第３の領域８６内に配設されていることが好ましい。 - 特許庁

This suppresses a film thickness reduction of a resist 21 used as a mask during formation of a third wiring layer 7, in the vicinity of a boundary position between the scribe line and a chip.例文帳に追加

これにより、スクライブラインとチップとの境界位置近傍において、第３配線層７を形成する際のマスクとして用いるレジスト２１が膜減りすることを抑制できる。 - 特許庁

Lateral faces of the first and the second through holes on the segmentation insulation layer side include a third axis perpendicular to the first and the second axes and have portions parallel with a plane including the first axis.例文帳に追加

第１、２貫通ホールの分断絶縁層の側の側面は、第１、２軸に直交する第３軸を含み第１軸を含む平面と平行な部分を有する。 - 特許庁

On the opposite surface, a second layer of the third metal is adherent to the second metal on the second surface in a thickness suitable for parts attachment.例文帳に追加

上記第３の金属の反対側の表面である第２の層は、部品を取付けるのに適する厚みの上記第２の表面上の上記第２の金属に付着されている。 - 特許庁

In the light shielding layer 17 for covering a third interlayer dielectric 33, a window 17A for transmitting light is provided at a position opposed to a photodiode 11.例文帳に追加

第３層間絶縁膜３３を覆う遮光層１７において、フォトダイオード１１に対応する位置には、光を透過させるための窓１７Ａが設けられている。 - 特許庁

A step-up/step-down chopper 7 having a third arm (SW3, D3) and a flywheel diode D4 is provided between an electric double-layer capacitor 8 and a DC feeder (outside line).例文帳に追加

電気二重層キャパシタ８と直流き電線（外線）との間に、第３のアーム（ＳＷ３，Ｄ３）とフライホイールダイオードＤ４をもつ昇降圧チョッパ７を設ける。 - 特許庁

Further, a joining face formed with a joining film 151 of a cover 150 is opposed to a joining face (third joining face) formed with a metallic layer 124 of the frame 101.例文帳に追加

また、カバー１５０の接合膜１５１が形成された接合面と、枠部１０１の金属層１２４が形成された接合面（第３接合面）とが、対向した状態とする。 - 特許庁

Ultra-violet rays contained in subject light passing through the first and second lenses 7, 8 are shielded by the thin film layer 15 and does not reach the inner part of the third lens 9.例文帳に追加

第１レンズ７、第２レンズ８を通過してきた被写体光に含まれる紫外線は薄膜層１５で遮断され、第３レンズ９の内部まで達することがない。 - 特許庁

The third wiring is formed on an upper wiring layer of the semiconductor substrate while being arranged above the control terminal of the transistor, and is formed integrally with the control signal line.例文帳に追加

第３の配線は、前記半導体基板の上方の配線層で、かつ、前記トランジスタの制御端子の上方に配置されて、前記制御信号線と一体に形成される。 - 特許庁

Then, by using the patterned third film 33P as a mask, the releasable layer and the first film are selectively etched, and a frame 34 is formed by the first film after etching.例文帳に追加

次に、パターニング後の第３の膜３３Ｐをマスクとして、剥離層および第１の膜が選択的にエッチングされ、エッチング後の第１の膜によってフレーム３４が形成される。 - 特許庁

In the second semiconductor layer 5b, insulating films 6a and 6b, and an MOS transistor having gate conductor electrodes 7a and 7b electrically connected to a third external circuit are formed.例文帳に追加

第２の半導体層5bには、絶縁膜6a、6bと、第３の外部回路と電気的に接続されたゲート導体電極7a、7bとを有するＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁

This structure can prevent a leakage current path from occurring on the upper surface of the third buried layer 9 and improve the reliability of the buried semiconductor laser.例文帳に追加

上記構造により、第３埋め込み層９の上面にリーク電流経路が発生することを抑制し、埋め込み型半導体レーザの信頼性を向上させることができる。 - 特許庁