「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element comprises a sapphire substrate 1, an oxygen-containing layer 4 made of an oxygen-containing nitride located on the sapphire substrate 1 and a third buffer layer 5 made of a nitride semiconductor located on the oxygen-containing layer 4.例文帳に追加

サファイア基板１と、前記サファイア基板１上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層４と、前記酸素含有層４上に位置する窒化物系半導体からなる第３バッファ層５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In this case, the third semiconductor materials and the thickness of the quantum well layer are selected, so that the difference between the energy level of the lower part of the conductive band of the carrier closed layer and the base level of electrons in the quantum well layer can be set, so that is not less than 100 meV.例文帳に追加

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、第３の半導体材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。 - 特許庁

When the bat fiber is a polyamide fiber, absolute viscosity of the sulfuric acid solution viscosity (0.25g/50 ml in JIS first class 95% sulfuric acid) of the polyamide fiber at 25°C is preferably 60-70 mPa×S in the case of bat fiber in the first layer and preferably ≥80 mPa×S in bat fibers in the cases of the second layer and the third layer.例文帳に追加

バット繊維がポリアミド繊維である場合、その硫酸溶液粘度(O.25ｇ/50m1,JIS一級95%硫酸)の25℃における絶対粘度が、第１層のバット繊維は、60〜70mPa・S、第２層及び第３層のバット繊維は80mPa・S以上であることが好ましい。 - 特許庁

A first base sheet 1 having a thermal coloring layer on the surface and a carbon ink coating layer on the rear, a second base sheet 4 and a tack sheet 8 constituted of a third base sheet having a pressure-sensitive adhesive layer and release paper on the rear, are provided.例文帳に追加

表面に感熱発色層を、裏面にカーボンインクコーティング層を有する第１の基材シート１と、第２の基材シート４と、裏面に感圧接着剤層及び剥離紙を有備えた第３の基材シートからなるタックシート８とを備える。 - 特許庁

Two outer fabric layers 16, 17 of the panel are connected to each other via an intermediate layer or third layers 18, 19 and ranges from a first region joined to a first outer layer to a second region joined to a second outer layer 17.例文帳に追加

このパネルが有する二つのアウター織物層１６，１７は、中間層又は第３の層１８，１９により連結され、第１のアウター層１６に合流する第１の領域から、第２のアウター層１７に合流する第２の領域へ達している。 - 特許庁

In such a pressure sensitive copy sheet, the agent layer can be provided on a rear surface of the third part of the base material, the developer layer can be provided on the rear surface of the second part of the base material, and further the transferable developing layer can be provided.例文帳に追加

このような感圧複写用紙は、発色剤層を基材の第３の部分裏面に、顕色剤層を基材の第２の部分裏面にも設け、さらに第２の特色発色剤層、転移性顕色剤層を設けた構成とすることもできる。 - 特許庁

The fourth metallic layer 105c is used to constitute a matching circuit and a transmission line, and the third metallic layer 105b and the fourth metallic layer 105c constitute a parallel plane plate type capacity 103 having BCB thin films as an insulating material.例文帳に追加

４層目の金属層１０５ｃを用いて整合回路と伝送線路が構成されており、３層目の金属層１０５ｂと４層目の金属層１０５ｃとで、ＢＣＢ薄膜を絶縁体とした平行平板型容量１０３を構成している。 - 特許庁

There are also provided a first layer 2 arranged on a smooth surface 32 side and transmitting the incident and reflected light, a second layer 3 having the weight 31 and the beam 36, and a third layer 4 arranged on the reverse side of the smooth surface 32.例文帳に追加

また、上記平滑面３２側に配置され、入射光及び反射光を通す第１層２と、前記錘り部３１と梁部３６とを有する第２層３と、上記平滑面３２の裏面側に配置された第３層４とを備える。 - 特許庁

For this reason, heat from a heater 72 is conducted in a third substrate layer 3 and the first solid electrolyte layer 4 in this order, and heat is conducted from the heater 72 to the reference electrode 42 and the measuring electrode 44 via the same first solid electrolyte layer 4.例文帳に追加

このため、ヒータ７２からの熱は第３基板層３，第１固体電解質層４をこの順に伝導し、共に同じ第１固体電解質層４を介してヒータ７２から基準電極４２及び測定電極４４へ熱が伝導する。 - 特許庁

Thereby, the MR element 5 and the pair of bias layers 6 can be sufficiently surely insulated from the second magnetic shield layer 12 even if the first insulating layer 4 and the third insulating layer 10 are thinly formed.例文帳に追加

これにより、第１の絶縁層４及び第３の絶縁層１０の厚さを薄く形成した場合でも、ＭＲ素子５及び一対のバイアス層６と、第２の磁気シールド層１２との絶縁性を十分に且つ確実に確保することができる。 - 特許庁

A resonator structure for resonating light emitted from a light-emitting layer between a light reflecting layer and a semi-transmission reflecting layer is formed on each of the sub-pixels 2r, 2g, and 2b and each of the first-third zones 3r, 3g, and 3b of the sub-pixel 2w.例文帳に追加

サブ画素２ｒ，２ｇ，２ｂの各々と、サブ画素２ｗの第１〜第３領域３ｒ，３ｇ，３ｂの各々には、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が形成される。 - 特許庁

When a menu image is moved from first layer to a second layer or a third layer, boundary lines B1 and B2 set close to each other while avoiding mutual contact are displayed on a display screen 21 for forming divided three areas R1, R2, and R3.例文帳に追加

第１の階層から第２の階層、第３の階層へとメニュー画像を移行させた場合、表示画面２１上に、互いに接触しない程度に近接した境界線Ｂ１，Ｂ２を表示して３つの領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に分ける。 - 特許庁

A third adhesive layer 13 is provided by leaving a part to which no heat sensitive adhesive is applied between each of a first adhesive layer 11 and a second adhesive layer 12 provided by applying heat sensitive adhesive on both edges of a label base.例文帳に追加

ラベル基材の両端に感熱性接着剤を塗工して設けた第１接着剤層１１及び第２接着剤層１２の、それぞれとの間に、感熱性接着剤を塗工していない部分を残して第３接着剤層１３を設ける。 - 特許庁

A first layer 211 for emitting light corresponding to the intensity of entering radiation, a second layer 212 for converting light outputted from the first layer 211 into electric energy, and a third layer 213 for outputting a signal based on accumulation of the electric energy acquired by the second layer 212 and the accumulated electric energy are formed on a fourth layer 214 constituted from a resin.例文帳に追加

入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層２１１と、第１層２１１から出力された光を電気エネルギーに変換する第２層２１２と、第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層２１３を樹脂で構成した第４層２１４上に形成する。 - 特許庁

An organic light emitting element includes: a substrate; a first electrode; a second electrode; and an organic layer including an emission layer between the first electrode and the second electrode, and includes: a first intermediate layer including a first host and a first dopant; a second intermediate layer including the first dopant; and a third intermediate layer including a second host and the first dopant interposed between the first electrode and the emission layer.例文帳に追加

基板と、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に備えられ、発光層を備える有機層と、を備え、第１電極と発光層との間に第１ホストと第１ドーパントとを備える第１中間層、第１ドーパントを備える第２中間層、及び第２ホストと第１ドーパントとを備える第３中間層が介在された有機発光素子である。 - 特許庁

The thread is obtained by forming an obverse metal thin film layer and an obverse colored resin layer in the same pattern on an obverse side of a substrate and a reverse metal thin film layer and a reverse colored thin film layer in the same pattern on a reverse side of the substrate and forming a third metal thin film layer and a colorless resin layer in the same pattern on any of the obverse and reverse of the substrate.例文帳に追加

基材の表側の面に、表側金属薄膜層、及び、表側着色樹脂層を同一パターン状に形成し、前記基材の裏側の面に、裏側金属薄膜層、及び、裏側着色樹脂層を同一パターン状に形成し、基材の表裏のいずれかの面に、第３金属薄膜層、及び、無色樹脂層を、同一パターン状に形成したスレッドとする。 - 特許庁

The co-extruded film has at least the first polymer layer as the outermost surface film layer containing an alicyclic polyester, an aromatic polyester or its blend, the second polymer layer as a thermoformable auxiliary layer containing a polyolefin and the third polymer layer as the innermost surface film layer containing a heat-sealable polyolefin material.例文帳に追加

少なくとも、第一ポリマー層であり、最も外側の表面フィルム層として作用し、環状脂肪族ポリエステル、芳香族ポリエステル又はそのブレンドを含有する層; 第二ポリマー層であり、熱成形-補助層として作用し、ポリオレフィンを含有する層;並びに第三ポリマー層であり、最も内側の表面フィルム層として作用し、熱シールポリオレフィン性材料を含有する層、を有する共押出フィルム。 - 特許庁

The optical information recording medium has at least a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, a metal-base translucent heat releasing layer, a third dielectric layer and a translucent reflecting layer in this order, A multilayered optical information recording medium including the optical information recording medium having ≥20% transmittance is provided.例文帳に追加

少なくとも、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属を主成分とする半透明放熱層、第３誘電体層、及び半透明反射層をこの順に有する光学的情報記録用媒体、並びに該光学的情報記録用媒体であって、且つその透過率が２０％以上である記録媒体を含む多層化光学的情報記録用媒体。 - 特許庁

An optical filter 103 is formed by combining a first semiconductor layer 107 which selectively absorbs only a short wavelength, a second semiconductor layer 108 which absorbs light which is emitted and recombined by the first semiconductor layer 107, and the third semiconductor layer 109 for emitting and extinguishing a carrier generated by the first semiconductor layer 107 and the second semiconductor layer 108.例文帳に追加

短波長光のみを選択的に吸収する第１半導体層１０７と、当該第１半導体層１０７で発光再結合した光を吸収する第２半導体層１０８と、第１半導体層１０７及び第２半導体層１０８で発生したキャリアを発光させて消滅させるための第３半導体層１０９とを組合せた光フィルタ１０３を形成している。 - 特許庁

The leg wiping drying mat has an upper layer mat (a surface layer mat) constituted by weaving constituting yarns of antibacterial synthetic fiber with high water repellency into a predetermined shape and an under mat (an under layer mat) comprising a laminated structure of three kinds of polyurethane porous materials with different densities forming the first layer mat, the second layer mat, and the third layer mat from above.例文帳に追加

抗菌加工を施し撥水性の高い合成繊維の構成糸を使用して所定形状に織布してなる上層マット（表層マット）と、上方から一層目マット、二層目マット、三層目マットを形成する３種類の密度の異なるポリウレタン多孔質体の積層構造からなる下敷きマット（下層マット）と、を具備することを特徴とする足拭き乾燥マットである。 - 特許庁

In configuring the lower electrode 13x of the non-linear element 10x and a tantalum wiring 13y thereof, a second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y which contain no nitrogen are laminated over a first tantalum layer 131x and a lower tantalum layer 131y which contain nitrogen, and a nitrogen-containing third tantalum layer 133x and a lower tantalum layer 133y are formed thereon.例文帳に追加

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘおよびタンタル配線１３ｙを構成するにあたって、窒素含有の第１タンタル層１３１ｘおよび下層タンタル層１３１ｙの上層に、窒素を含有しない第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙを積層し、その上層に窒素含有の第３タンタル層１３３ｘおよび下層タンタル層１３３ｙを形成する。 - 特許庁

The catalyst is manufactured by laminating on a carrier three layers of the first layer which is formed as the lowest layer, does not contain the noble metal substantially but contains a first refractory inorganic oxide, the second layer which is formed on the first layer and contains a first noble metal and a rare-earth metal oxide and the third layer which is formed on the second layer and contains a second noble metal.例文帳に追加

担体に積層した触媒であって、最下層に実質的に貴金属を含まない第１の耐火性無機酸化物を含有する第一層、該第一層の上層に第１の貴金属及び希土類酸化物を含む第二層、さらに該第二層の上層に第２の貴金属を含む第三層を有することを特徴とする排気ガス浄化用触媒及びその製造方法。 - 特許庁

The element part 20 comprises: a light emitting layer 80 for generating light by electroluminescence; a first electrode 30a and a second electrode 30b for injecting charge into the light emitting layer 80; a third electrode 40a disposed via a first insulation layer 61 to the light emitting layer 80; and a fourth electrode 40b disposed via a second insulation layer 62 to the light emitting layer 80.例文帳に追加

発光素子部７０は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０ａおよび第２電極３０ｂと、発光層８０に対して第１絶縁層６１を介して配置された第３電極４０ａと、発光層８０に対して第２絶縁層６２を介して配置された第４電極４０ｂとを含む。 - 特許庁

A field-effect transistor is formed on a substrate 101 by sequentially stacking a first nitride semiconductor layer 102 serving as a nucleation layer, a second nitride semiconductor layer 103 having a larger electron affinity than the first nitride semiconductor layer 102, and a third nitride semiconductor layer 104 having a smaller electron affinity than the second nitride semiconductor layer 103.例文帳に追加

電界効果型トランジスタは、基板１０１上に、核形成層として機能する第一の窒化物半導体層１０２と、第一の窒化物半導体層１０２よりも電子親和力の大きい第二の窒化物半導体層１０３と、第二の窒化物半導体層１０３よりも電子親和力の小さい第三の窒化物半導体層１０４とを順に積層して形成されている。 - 特許庁

The organic light emitting layer 43 placed on the first electrode 41 includes a first organic light emitting layer 431 disposed on the first sub pixel region 411 and second sub pixel region 413, a second organic light emitting layer 433 disposed on the second sub pixel region 413, and a third organic light emitting layer 437 disposed on the second sub pixel region 413 and a third pixel region 415.例文帳に追加

有機発光層４３は、第１の電極４１上に配置され、第１のサブ画素領域４１１及び第２のサブ画素領域４１３の上に配置された第１の有機発光層４３１と、第２のサブ画素領域４１３上に配置された第２の有機発光層４３３と、第２のサブ画素領域４１３及び第３のサブ画素領域４１５の上に配置された第３の有機発光層４３７と、を有する。 - 特許庁

According to one embodiment, a perpendicular magnetic recording medium includes: a first granular recording layer having magnetic anisotropy Ku_1; a second granular recording layer having magnetic anisotropy Ku_2 situated on the first granular recording layer; and a third granular recording layer having magnetic anisotropy Ku_3 situated on the second granular recording layer; where a relation of Ku_3<Ku_2>Ku_1 applies.例文帳に追加

一実施形態によれば、垂直磁気記録媒体は、磁気異方性Ｋｕ_１を特徴とする第１粒状記録層と、磁気異方性Ｋｕ_２を特徴とする第１粒状記録層上方の第２粒状記録層と、磁気異方性Ｋｕ_３を特徴とする第２粒状記録層上方の第３粒状記録層と、を含み、Ｋｕ_３＜Ｋｕ_２＞Ｋｕ_１である。 - 特許庁

After a conductive pattern layer 11A is formed by etching the first conductive film 11, the third conductive film 13 is subjected to over-etching through the conductive pattern layer 11A as a mask to form an anchor part 15, and a sealing resin layer 22 and the conductive pattern layer 11A are firmly joined together as the sealing resin layer 22 is made to bite into the anchor part 15.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電パターン層１１Ａを形成した後に、導電パターン層１１Ａをマスクとして第３の導電膜１３をオーバーエッチングしてアンカー部１５を作り、アンカー部１５に封止樹脂層２２を食い込ませて封止樹脂層２２と導電パターン層１１Ａの結合を強くする。 - 特許庁

This nitride semiconductor device is constituted by laminating a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer on a substrate, and an element separation region is packed with a third nitride semiconductor layer constituted of a group III-V nitride semiconductor layer with a microcrystal structure grown in a low temperature.例文帳に追加

基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と第２の窒化物半導体層とが積層した窒化物半導体装置であって、素子分離領域を、低温で成長させた微結晶構造のIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第３の窒化物半導体層で充填する構造とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises at least a first semiconductor layer 101 being a p-type without using magnesium as dopant, a second semiconductor layer 102 that is formed on the first semiconductor layer 101 and composed of a first nitride semiconductor of undoped, and a third semiconductor layer 103 that is formed on the second semiconductor layer 102 and composed of a second nitride semiconductor.例文帳に追加

ドーパントとしてマグネシウムを用いることなくｐ型とされた第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１の上に形成されたアンドープの第１窒化物半導体からなる第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２の上に接して形成された第２窒化物半導体からなる第３半導体層１０３とを少なくとも備える。 - 特許庁

Further as shown in (c), the substrate 20 is subjected to proximity exposure one time to expose a third layer 83 on the first layer 81 in the first nondisplay area 51, to expose a fourth layer 84 on the second layer 82 in the second nondisplay area 52 and to simultaneously expose a layer 92 in a display area 40.例文帳に追加

更に、（ｃ）に示すように、基板２０に対して１回のプロキシミティ露光を行うことにより、第１の非表示領域５１内の第１のレイヤー８１上に第３のレイヤー８３を露光し、第２の非表示領域５２内の第２のレイヤー８２上に第４のレイヤー８４を露光すると同時に、表示領域４０にレイヤー９２を露光する。 - 特許庁

The resin interlayer 18 is arranged in between a first layer 15 contacting with the first glass plate 12 and a second layer 16 contacting with the second glass plate 14 and includes a third layer 17 of which the Shore harness measured with a durometer at 20°C or higher but 40°C or lower is lower than those of the first layer 15 and the second layer 16.例文帳に追加

樹脂中間膜１８は、第１ガラス板１２に接する第１層１５と、第２ガラス板１４に接する第２層１６と、第１層１５と第２層１６との間に配置され、かつ２０℃以上４０℃以下でのデュロメータ測定によるショア硬度が第１層１５および第２層１６よりも小さい第３層１７とを含む。 - 特許庁

This device has a heterostructure composed of a first nonmagnetic barrier layer 2, a first ferromagnetic quantum well layer 4, a second nonmagnetic barrier layer 6, a second ferromagnetic quantum well layer 8, a third nonmagnetic barrier layer 10 laminated one above another.例文帳に追加

非磁性体の第１障壁層２と、強磁性体の第１量子井戸層４と、非磁性体の第２障壁層６と、強磁性体の第２量子井戸層８と、非磁性体の第３障壁層１０とが積層されたヘテロ構造を有し、強磁性体の第１量子井戸層４及び第２量子井戸層８は伝導を担うキャリアのドブロイ波長より十分薄い層である。 - 特許庁

The p type cladding layer 20 has a first part 2 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows; a second part 3 consisting of an AlGaInP layer doped with Zn with low concentration when it grows; and a third part 4 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows from the side of the active layer 1.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 - 特許庁

The forming method of an alpha aluminum oxide layer, along with a manufacturing method of a memory element which utilizes the same, includes a first step for forming an amorphous aluminum oxide layer on a lower part film, a second step for forming a crystalline auxiliary layer on the amorphous aluminum oxide layer, and a third step for crystallizing the amorphous aluminum oxide layer.例文帳に追加

下部膜上に非晶質アルミニウム酸化物層を形成する第１ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層上に結晶質補助層を形成する第２ステップと、非晶質アルミニウム酸化物層を結晶化する第３ステップと、を含むことを特徴とするアルファアルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用したメモリ素子の製造方法である。 - 特許庁

A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device.例文帳に追加

活性層となる結晶性珪素膜を、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜、それらを覆う第３の酸化珪素膜と、さらに第３の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。 - 特許庁

A third and fourth seal segments are connected along their respective peripheral edges to form a second seal layer having a seam defined by the seam edge of the third seal segment and the seam edge of the fourth seal segment.例文帳に追加

第３および第４シールセグメントが各々の外側の周縁エッジに沿って結合され、第３シールセグメントの継ぎ目エッジおよび第４シールセグメントの継ぎ目エッジによって画定された継ぎ目を備えた第２シール層を形成する。 - 特許庁

The third and fourth internal electrodes 21 and 25 and intermediate internal electrode 30 are disposed with an insulator layer 9 therebetween so as to form a plurality of electrostatic capacity components between the third and fourth internal electrodes 21 and 25.例文帳に追加

第３及び第４の内部電極２１，２５並びに中間内部電極３０は、第３及び第４の内部電極２１，２５の間に複数の静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。 - 特許庁

In addition, the wiring grooves are formed into the fourth insulating film 7 and, at the same time, connection holes are formed in the second insulating film 5 by performing etching from the above of the third and second mask layers 10 and 9, and the third mask layer 10 is etched off.例文帳に追加

第３マスク層１０および第２マスク層９上からのエッチングにより、第４絶縁膜７に配線溝を形成すると共に第２絶縁膜５に接続孔を形成し、第３マスク層１０をエッチング除去する。 - 特許庁

An outer peripheral surface of the first and third metallic layers 221 and 223 retreats from an outer peripheral surface (an outer peripheral surface of the second metallic layer 222) of the escape wheel 200.例文帳に追加

第１及び第３の金属層２２１、２２３の外周面は、がんぎ車２００の外周面（第２の金属層２２２の外周面）から後退している。 - 特許庁

Third wiring 33 is extended vertically to the first wiring 31 in the upper layer of a region where the first and second internal power source lines exist.例文帳に追加

第３の配線３３は、第１および第２の内部電源線が存在する領域の上層において、第１の配線３１に対して垂直方向に延びる。 - 特許庁

The pneumatic tire further comprises an under tread 21 which extends between the tread rubber 10 and the belt layer 7 and which is brought into contact with the cushion rubber 13 at a third contact part Y3.例文帳に追加

トレッドゴム１０とベルト層７との間を通りかつクッションゴム１３とは第３の接触部Ｙ３で接触するアンダートレッド２１を設ける。 - 特許庁

The sinusoidal wave function is used as an activation function of q pieces of neurons 31-3q structuring a third neuron group N3 included in an intermediate layer 3.例文帳に追加

また中間層３に含まれる第３のニューロン群Ｎ３を構成するｑ個のニューロン３１〜３ｑの活性化関数として正弦波関数を用いる。 - 特許庁

A belt layer 7 comprises a first ply 7A having a code angle α1 of 30-70° and second and third plies 7B, 7C having code angles α2, α3 of 13-23°.例文帳に追加

ベルト層７は、コード角度α１が３０〜７０°の第１のプライ７Ａと、コード角度α２，α３が１３〜２３°の第２、３のプライ７Ｂ、７Ｃとからなる。 - 特許庁

In the reflective region of the second transparent substrate 20, a third transparent electrode layer 24 is formed opposing to the first transparent substrate 10.例文帳に追加

また、第２の透明基板２０の反射領域には、第１の透明基板１０と対向して、第３の透明電極層２４が形成されている。 - 特許庁

After a third resist pattern 27 is formed, a recess 22 having the same width as that of the gate opening 25 is formed through selectively etching and anisotropically the cap layer 16 exclusively.例文帳に追加

第３のレジストパターン２７を形成後、キャップ層１６のみを選択的かつ異方的にエッチングし、ゲート開口部２５と同じ幅のリセス部２２を形成する。 - 特許庁