| 例文 |
third layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2440件
A first to a third light emitting part 30A, 30B, 30C laminated in the organic EL element 20 has a green luminous layer, a blue luminous layer, and a red luminous layer, and emits green, blue, and red colors, respectively.例文帳に追加
有機EL素子20において積層される第1〜第3発光部30A、30B、30Cは、それぞれ緑色発光層、青色発光層、赤色発光層を有し、緑色、青色、赤色の光を発する。 - 特許庁
After the second process, the active layer 3 is exposed by etching the etching stopping layer 4 in the depth direction by using the mask (third process) and a gate electrode is formed on the active layer 3 by using the same mask (fourth process).例文帳に追加
しかる後、前記マスクを用いてエッチング停止層を深さ方向にエッチングして活性層を露出させ(第3の工程)、次いで前記マスクを用いて活性層上にゲート電極を形成する(第4の工程)。 - 特許庁
Each of the first layer wiring M1, the second layer wiring M2, and the third layer wiring M3 is made to be equal to each other in shape, dimension, and gap therebetween, at positions under the respective electrode pads PD1-PDn.例文帳に追加
また、第1層配線M1、第2層配線M2および第3層配線M3の各配線層毎に各電極パッドPD1〜PDn下の配線の形状、寸法および配置間隔等が等しくなるようにした。 - 特許庁
A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.例文帳に追加
セルトランジスタTrの拡散層15およびトレンチキャパシタCの第3の導電層11の間に介在するように、セルトランジスタTrの拡散層15側にGeの導入部14を形成する。 - 特許庁
While the first color filer layer and the second color filter layer are located over the first photodiode and the second photodiode respectively, a layer having both the first and second color filter layers is located over the third photodiode.例文帳に追加
第1および第2の色素フィルタ層が第1および第2のフォトダイオード上にわたって位置する一方、第1および第2の色素フィルタ層の両方を有する層が第3のフォトダイオード上にわたって位置している。 - 特許庁
The oxidation catalyst 1 comprises a first catalytic layer 11 containing no zeolite, a second catalytic layer 12 which contains zeolite but not a rare metal or contains a negligible amount of rare metal, and a third catalytic layer 13 containing a rare metal.例文帳に追加
酸化触媒1を、ゼオライトを含まない第1触媒層11と、ゼオライトを含み貴金属を含まないか貴金属量が少ない第2触媒層12と、貴金属を含む第3触媒層13とから構成した。 - 特許庁
The woody flooring material 100 has a woody base material 140, a first clear layer 110, a second clear layer 120 and a third clear layer 130 each laminated on the right surface 100b of the woody base material 140.例文帳に追加
本発明の木質床材100は、木質基材140と、木質基材140の表面側100bに積層された第1クリア層110、第2クリア層120、及び第3クリア層130を有している。 - 特許庁
As the conductor layers for a flip-flop, there are provided gate electrode layers 21a, 21b of a first layer, drain-drain connection layers 31a, 31b of a second layer, and drain-gate connection layers 41a, 41b of a third layer.例文帳に追加
第1層であるゲート電極層21a、21bと、第2層であるドレイン−ドレイン接続層31a、31bと、第3層であるドレイン−ゲート接続層41a、41bと、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁
After the opening part of the first inter-layer insulating film 103A is filled with a third inter-layer insulating film 106 composed of an organic film, the first inter-layer insulating film 103A is etched, while using a hard mask 108A.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜103Aの開口部に有機膜からなる第3の層間絶縁膜106を充填した後、ハードマスク108Aを用いて第1の層間絶縁膜103Aをエッチングする。 - 特許庁
A polyacrylic ester pressure-sensitive adhesive is applied to release paper in a thickness of 30 μm, and the pressure-sensitive adhesive layer is bonded to the surface of the second layer of the previously formed composite consisting of the first and second layers under pressure of form the third layer.例文帳に追加
剥離紙上にポリアクリル酸エステル系の粘着剤を30μmの厚みにコートした粘着剤を、先に製作した第1層と第2層の複合体の第2層面に圧着して第3層を形成した。 - 特許庁
A main body of the speaker diaphragm vibrated when a speaker apparatus is driven includes a second layer configured with a metal in addition to a first layer configured with woven fabric and a third layer configured with paper.例文帳に追加
スピーカ用振動板は、スピーカ装置を駆動したときに振動する本体部が、織物により構成された第1層と紙により構成された第3層に加え、金属により構成された第2層を備える。 - 特許庁
In addition, a second node connecting conductive layer NC2 is formed on third and fourth contact plugs P3 and P4 also formed in vertical columnar state on the substrate 1.例文帳に追加
第3および第4のコンタクトプラグP3およびP4の上に第2のノード接続導電層NC2が形成されている。 - 特許庁
The third insulating layer has a platform portion that extends beyond the first and second insulating layers and an upper surface.例文帳に追加
第3の絶縁層は、第1の絶縁層および第2の絶縁層を越えて延在するプラットフォーム部と、上面とを有する。 - 特許庁
Desirably, a galvanized steel plate 1 is used as the steel material 1, with the galvanized layer 1p used as the third material.例文帳に追加
望ましくは鋼材1として亜鉛めっき鋼板1を使用し、亜鉛めっき層1pを第3の材料として利用する。 - 特許庁
Next, a maximum flow rate generated position δUmax is calculated as one third of the thickness δ of the boundary layer from the wall of the fin (step S64).例文帳に追加
次に最大流速発生位置δ_Umaxをフィンの壁から境界層厚さδの3分の1として求める(ステップS64)。 - 特許庁
The third sheet closely contacts a surface opposite from a close-contact surface of the sheet having the time-dependent color change layer so as to be peeled.例文帳に追加
そして、この第3シートは、経時色変化層を有するシートの密着面と反対側の面に、剥離可能に密接される。 - 特許庁
A metal, for example, is used as the third interposing layer 33 in order to heighten heat conductivity more than the first and second interposing layers 31, 32.例文帳に追加
第3介在層33として、例えば金属を用い、第1、第2介在層31,32より熱伝導率を高くする。 - 特許庁
The thermal insulation material 30 laminated in five layers is formed at a middle third layer of a low heat conductive thermal insulation material 33.例文帳に追加
そして、5層に積層された断熱材30は、真ん中の第3層を低熱伝導断熱材33で形成している。 - 特許庁
In the third process, the surface layer portion of the silicon substrate 101 under the film 104 is oxidized to form a silicon dioxide film 105.例文帳に追加
第3の工程により、膜104の下のシリコン基体101の表層部を酸化してシリコン酸化膜105を形成する。 - 特許庁
The TiWn or SiN film, having high adhesion with the upper electrode 17, is used in a third layer anti-fuse film 16.例文帳に追加
第3層アンチヒューズ膜16に上部電極17との密着性が高いTiWN膜あるいはSiN膜を用いる。 - 特許庁
Further, since a light-emitting layer is formed thick at a third organic EL element 50, deterioration of luminance at a second half of current conduction can be restrained.例文帳に追加
また、第3の有機EL素子50では、発光層を厚く形成するため、通電後期の輝度劣化を抑制できる。 - 特許庁
In the surface layer 10b, the first to third thermal insulation layers 3b, 4b, 5b including silica-based hollow particles B are directly laminated.例文帳に追加
表面層10bはシリカ系の中空粒子Bを含む第1〜3断熱層3b、4b、5bが直接積層されている。 - 特許庁
A material for constituting the second metallic layer 222 is harder than a material for constituting the first and third metallic layers 221 and 223.例文帳に追加
第2の金属層222を構成する材料は、第1及び第3の金属層221、223を構成する材料よりも硬い。 - 特許庁
On a silicon surface of the opening part 14, a third region 18 whose impurity concentration is lower than the epitaxial layer 12 is formed.例文帳に追加
開口部14のシリコン表面に、不純物濃度がエピタキシャル層12より小さい第3の領域18を形成する。 - 特許庁
While the second TCO film is formed, a third TCO film is formed on a surface of an n-type GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加
第2のTCO膜の形成と同時に、n型GaN系半導体層の表面に第3のTCO膜を形成する。 - 特許庁
Finally, a third binary layer search within a ±2 pixel refinement window generates a final motion vector according to the second level motion vector.例文帳に追加
±2ピクセルのリファインウィンドウ内の第三の二値層サーチは、第二のレベルのモーションベクタに従って最後のモーションベクタを生成する。 - 特許庁
A further ionomer overcoat layer such as a third, a fourth, a fifth, and a sixth ionomer overcoat layers may be formed in similar method.例文帳に追加
第3、第4、第5、及び第6イオノマーオーバーコート層のような更なるイオノマーオーバーコート層を同様の手法で形成してもよい。 - 特許庁
The weather charts 24 hours before, 18 hours before, 12 hours before, and 6 hours before are drawn in the first-third layer areas 33a-33d.例文帳に追加
第1〜第3レイヤ領域33a〜33dに24時間前、18時間前、12時間前、6時間前の天気図を描画する。 - 特許庁
An opening 50c is bored in a region of the third insulating layer 43 between the wiring pattern W2 and wiring pattern R2.例文帳に追加
第3の絶縁層43の配線パターンW2と配線パターンR2との間の領域に開口部50cが設けられる。 - 特許庁
The operation causes the margin part of the transfer layer on the transfer film 4 to be held between the first mold 10 and the third mold 30.例文帳に追加
これにより、転写フィルム4上の転写層の塗り足し部分は、第一型10と第三型30の間に挟持される。 - 特許庁
To realize an efficient exchange a first material for a third material in the molding method of a synthetic resin molding having a single layer structure.例文帳に追加
単層構造の合成樹脂成形体の成形方法において,第1,第3の材料の交換を能率良く行う。 - 特許庁
Lands 22 to which external terminals of the semiconductor device are bonded are disposed in a matrix on the surface of the third insulating layer 33.例文帳に追加
半導体装置の外部端子が接合されるランド22は、第3絶縁層33の表面に行列状に配置されている。 - 特許庁
The refractive index of the third layer 5 is within a range of 1.30-1.45 and thickness thereof is within a range of 50-91 nm.例文帳に追加
前記第三の層5の屈折率が1.30以上1.45以下の範囲、厚みが50nm以上91nm以下の範囲である。 - 特許庁
The ratio of the length in the radial direction of the third reinforcing layer 24 to the height of the tire 60 is ≥15% and ≤50%.例文帳に追加
第三補強層24の半径方向長さの、タイヤ60の高さに対する比率は、15%以上50%以下である。 - 特許庁
One end of a cathode terminal 9 is connected to the cathode 6 via a third conductive layer 8 containing silver particles.例文帳に追加
また、陰極6上には銀粒子を含む第3導電層8を介して陰極端子9の一端が接続されている。 - 特許庁
The multilayer electric probe may further include at least a third strip layer, having the capability of enduring current and the desired mechanical strength.例文帳に追加
多層電気プローブは少なくとも、耐電流能力および所望の機械強度を有する第3ストリップ層をさらに含んでよい。 - 特許庁
A strain layer is formed of a third semiconductor material having lattice constants, which are different from the lattice constants of the first semiconductor material.例文帳に追加
歪層は、第1の半導体材料の格子定数とは異なる格子定数を有する第3の半導体材料からなる。 - 特許庁
Cu wirings 24 protruding onto a third interlayer film 17 and the third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31 made of PBO having characteristic of capturing Cu (Cu ion).例文帳に追加
第3層間膜17およびこの第3層間膜17上に突出するCu配線24は、Cu(Cuイオン)を捕獲する性質を有するPBOからなる被覆層31によって被覆されている。 - 特許庁
The second etching liquid treated is injected into the first treatment container, and a third etching liquid is prepared by adding the HF liquid, and then the metal impurity in the sample surface layer is included in the third etching liquid.例文帳に追加
処理後の第2エッチング液を第1処理容器に注入し、HF液を添加して第3エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第3エッチング液中に含ませる。 - 特許庁
After that, the second force (5) is replaced with a third force (12) for molding the resin layer and the molded glass lens and a softened resin are pressure-molded using the third force (12) and the first force (4).例文帳に追加
その後、前記第二の金型(5)を樹脂層成形用の第三の金型(12)と入れ替え、第三の金型(12)と第一の金型(4)とによってモールドガラスレンズと軟化状態の樹脂とを加圧成形する。 - 特許庁
Gate electrodes 29 oppose channel areas being the parts of the third semiconductor layers 25 positioned between the third semiconductor layers 25 and the first semiconductor layer 1 through a first insulating film 28.例文帳に追加
第4半導体層26と第1半導体層1との間に位置する第3半導体層25の部分であるチャネル領域に第1絶縁膜28を介してゲート電極29が対向する。 - 特許庁
The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction parallel with the film face, a fourth ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a second direction having a component perpendicular to the film face, and a second non-magnetic layer provided between the third and the fourth non-magnetic layers.例文帳に追加
第2積層部は、磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第3の強磁性層と、膜面に対して垂直な成分を有する第2の方向に磁化が実質的に固着された第4の強磁性層と、第3、第4の強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層と、を含む。 - 特許庁
A piezoelectric actuator has a first ceramics layer 41 directly covering the openings of the pressure chambers, a first electrode 51 formed in the form of a plane over the plurality of pressure chambers, a second ceramics layer 42, second electrodes 52, a third ceramics layer 43, and a third electrode 53 in the above described order from the pressure chamber side.例文帳に追加
圧電アクチュエータは、圧力室の開口を直接覆う第1のセラミックス層41と、複数の圧力室にわたって面状に形成された第1の電極51と、第2のセラミックス層42と、第2の電極52と、第3のセラミックス層43と、第3の電極53とを、圧力室側からその順序に有する。 - 特許庁
A first conductor 27 to a fourth conductor 30 are spirally wound, the first, second, third and fourth conductors 27, 28, 29, 30 are disposed approximately in parallel, and the magnetic permeability of a second insulator layer 22 is set lower than those of a first insulator layer 21 and a third insulator layer 23.例文帳に追加
第1の導体27乃至第4の導体30を渦巻き状とし、第1の導体27と第2の導体28および第3の導体29と第4の導体30はほぼ並行に配置され、加えて、第2の絶縁体層22が第1の絶縁体層21、第3の絶縁体層23よりも透磁率を低くしたものである。 - 特許庁
A feather surface part 3 comprises a laminated structure of a first CFRP layer having a fiber axis extending in a first direction; a second CFRP layer having the fiber axis extending in a second direction deviated from the first direction by 60°; and a third CFRP layer having the fiber axis extending in a third direction deviated from the second direction by 60°.例文帳に追加
羽面部3は、繊維軸が第1の方向に延びる第1のCFRP層、第1の方向に対して60度ずれた第2の方向に繊維軸が延びる第2のCFRP層、および、第2の方向に対して60度ずれた第3の方向に繊維軸が延びる第3のCFRP層の積層構造からなる。 - 特許庁
The second row or third row lands 4a, 4b and the outermost peripheral row land 4 of the lower layer are conductively connected through via holes 5 so that the position of the land 4 in the lower layer exists in the range of the inner peripheral side from the outermost peripheral row land 4 of the upper layer and the outer peripheral side from the third row lands 4, 4b.例文帳に追加
下層における最外周列ランド4の位置が、上層における最外周列ランド4より内周側且つ第3列目ランド4,4bより外周側の範囲に存在するように上層での第2列目又は第3列目ランド4a,4bと下層の最外周列ランド4とがビアホール5により導電接続される。 - 特許庁
The semiconductor device includes a first semiconductor layer 10 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 20 of a second conductivity type, a third semiconductor layer 30 of the first conductivity type, a first electrode 15, a first insulating layers 40, a second electrode 50, an insulating film 51, and a third electrode 60.例文帳に追加
第1導電型の第1の半導体層10と、第2導電型の第2の半導体層20と、第1導電型の第3の半導体層30と、第1の電極15と、第1の絶縁層40と、第2の電極50と、絶縁膜51と、第3の電極60と、を備えた半導体装置が提供される。 - 特許庁
An optical recording medium characterized by having a third dielectric layer between a second dielectric layer and a light transmission layer is provided, in an optical recording medium which is equipped with at least a reflective layer, a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer, and a light transmission layer in this order and recording is made when the above recording layer decomposes by heating at recording time.例文帳に追加
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に少なくとも、反射層、第1誘電体層、記録層、第2誘電体層、光透過層、をこの順に備え、上記記録層が記録時の加熱により分解することによって記録がなされる光記録媒体において、上記第2誘電体層と上記光透過層との間に第3誘電体層を有することを特徴とする光記録媒体を提供する。 - 特許庁
A coating formed by successively laminating a first layer 25 formed of a chromium single layer, a second layer 26 formed of an alloy layer of chromium and tungsten carbide, a third layer 27 formed of an amorphous carbon layer containing metal containing at least one of tungsten and tungsten carbide and a fourth layer 28 formed of an amorphous carbon layer not containing metal and containing carbon and hydrogen, is formed on a surface of the base material 24.例文帳に追加
基材24の表面に、クロムの単一層からなる第1の層25、クロムとタングステンカーバイトとの合金層からなる第2の層26、タングステン及びタングステンカーバイトの少なくとも一方を含有した金属含有アモルファス炭素層からなる第3の層27、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層からなる第4の層28を順に積層した皮膜が形成されている。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|