「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element array has a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer formed in order on a semi-insulating substrate, and also has an anode electrode formed on the first semiconductor layer and a cathode electrode 30 formed on the fourth semiconductor layer 28.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。 - 特許庁

The upper magnetic layers 15 of the recording head includes a first layer 15a whose one pole surface contacts the gap layer 9, a second layer 15b whose one end contacts the other surface of the first layer 15a, and a third layer 15c whose one end contacts the other surface of the second layer 15b.例文帳に追加

記録ヘッドにおける上部磁極層１５は、磁極部分において一方の面が記録ギャップ層９に隣接する第１の層１５ａと、一方の面が第１の層１５ａの他方の面に隣接する第２の層１５ｂと、一方の面が第２の層１５ｂの他方の面に隣接する第３の層１５ｃとを含んでいる。 - 特許庁

A circuit substrate 65 on which a high frequency superimpose circuit 40 is formed is a multi-layer substrate, the high frequency superimpose circuit 40 is formed in a fourth layer 74 located at the innermost part of a shield case of the multi-layer substrate, a third layer 73 is a power source circuit, and a whole second layer 72 is a ground layer.例文帳に追加

上記高周波重畳回路４０が形成された回路基板６５を多層基板とし、この多層基板のシールドケースの最も内側に位置する第４層７４に上記高周波重畳回路４０を形成するとともに、第３層７３を電源回路とし、第２層７２を全面グランド層とする。 - 特許庁

In an element manufactured in a third crystal growing stage, a dopant is diffused from the p-type cap layer 109 to the p-side clad layer 105, resulting in a clad layer 114 forming a part of the p-side clad layer 105 directly under a mesa clad layer 107 is a p-type one and the clad layer 105 locating around it forms an undoped structure.例文帳に追加

３回の結晶成長により作製された素子は、ｐ型キャップ層１０９からのドーパントの拡散により、ｐ側のクラッド層１０５において、メサ部クラッド層１０７の直下に位置するクラッド層１０５の一部であるクラッド層１１４がｐ型で、その周辺に位置するクラッド層１０５がアンドープの構造となる。 - 特許庁

The problems are solved by co-extruding a film 1 laminated with a resin layer 2 comprising at least one kind of polyethylene as the first layer, a pressure-sensitive flexible layer 3 comprising an acrylic block copolymer as the second layer, and a resin layer comprising at least one kind of polypropylene 4 as the third layer, sequentially in this order.例文帳に追加

第１層に少なくとも１種のポリエチレンからなる樹脂層２、第２層にアクリル系ブロック共重合体からなる粘着性柔軟層３、第３層に少なくとも１種のポリプロピレン４からなる樹脂層を順次積層したフィルム１を共押出成形することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The hermetically sealed package of the optical semiconductor is characterized by having a first electrode layer installed at the ceramic terminal member, a second electrode layer perpendicularly connected to the first electrode layer directed to the top of the first electrode layer, and one or more of layers of a third electrode layer perpendicularly connected to the second electrode layer.例文帳に追加

セラミックス端子部材に設けられた第１の電極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の電極層と垂直に接続される第２の電極層と、第２の電極層と垂直に接続される１層以上の第３の電極層とを備えたことを特徴とする光半導体用気密封止容器。 - 特許庁

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁

The seed layer structure 114 is a trilayer consisting of a first seed layer 114a of tantalum (Ta), a second seed layer 114b of one or both of titanium (Ti) and Ti-oxide on and in contact with the Ta layer 114a, and a third seed layer 114c of tungsten (W) on and in contact with the second seed layer 114b.例文帳に追加

シード層構造１１４は、タンタル（Ｔａ）の第１のシード層１１４ａと、Ｔａ層１１４ａ上でそれに接するチタン（Ｔｉ）およびＴｉ酸化物の一方または両方の第２のシード層１１４ｂと、第２のシード層１１４ｂ上でそれに接するタングステン（Ｗ）の第３のシード層１１４ｃと、からなる３層である。 - 特許庁

In a two-layered sheet wherein a first layer comprises PMMA and a second layer comprises ABS or a three-layered sheet wherein a first layer comprises PMMA, a second layer comprises ABS and a third layer comprises ABS or a resin compatible with ABS, at least one of a light stabilizer and an ultraviolet absorber is added to ABS used in the second layer.例文帳に追加

第一層がＰＭＭＡ、第二層がＡＢＳからなる二層シート、または、第一層がＰＭＭＡ、第二層がＡＢＳ、第三層がＡＢＳもしくはＡＢＳと相溶性のある樹脂からなる三層シートを対象とし、第二層に用いられるＡＢＳに光安定剤と紫外線吸収剤の少なくとも一方を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the unit cell 1 for a fuel cell comprises the step of firing a laminate 2 obtained by laminating a first layer 23 yet to be fired to become the intermediate layer 13, a second layer 241 yet to be fired to become the dense electrode layer 141, and a third layer 242 yet to be fired to become the porous electrode layer 142 in this order.例文帳に追加

焼成により中間層１３になる未焼成の第１層２３と、焼成により緻密質電極１４１層になる未焼成の第２層２４１と、焼成により多孔質電極層１４２になる未焼成の第３層２４２とが、この順で積層されてなる積層体２を焼成する工程を経る。 - 特許庁

The multilayer base layer includes a first base layer made of copper and containing (100) plane oriented crystal particles having a face-centered cubic lattice structure, a second base layer formed on the first base layer and consisting of copper and nitrogen, and a third base layer formed in an island shape on the second base layer.例文帳に追加

多層下地層は、銅からなり、（１００）面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第１の下地層、第１の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第２の下地層、及び第２の下地層上に島状に形成された第３の下地層を含む。 - 特許庁

After a silicon-rich insulating layer is formed on the object, by feeding a second gas containing oxygen onto the silicon-rich chemical adsorption layer, a nanocrystal layer is formed on the silicon-rich insulating layer, by feeding a third gas containing a second silicon compound onto the silicon-rich insulating layer.例文帳に追加

シリコンリッチ化学吸着層上へ酸素を含む第２ガスを提供して対象体上にシリコンリッチ絶縁層を形成した後、シリコンリッチ絶縁層上に第２シリコン化合物を含む第３ガスを提供して前記シリコンリッチ絶縁層上にナノクリスタル層を形成する。 - 特許庁

A substrate 102 with a first surface includes a first adhesion promoting conductive layer 104, a crystalline orientation prompting layer 106, a second conductive layer 108, a dielectric layer 110, a third adhesion prompting layer 114, and a conductive electrode 116 on the first surface.例文帳に追加

第１の面を有する基板１０２が、第１の面上において第１の接着促進導電層１０４と、結晶配向促進層１０６と、第２の導電１０８と、誘電層１１０と、第３の接着促進導電層１１４と、導電性電極１１６を有する。 - 特許庁

The capacitor having a laminated metal-insulator-metal structure in a semiconductor device has a first insulating layer between a first metal layer and a second metal layer, and has a third metal layer between the substrate and the second metal layer.例文帳に追加

半導体において、金属−絶縁体−金属のサンドイッチ構造によって構成する容量（Ｍｅｔａｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ容量）が、第１の金属層と第２の金属層の間に第１の絶縁層を備え、基板と第２の金属層の間に第３の金属層を備える。 - 特許庁

An organic negative electrode 10 in accordance with the present invention comprises a first material layer 11 containing a conductive material, a second material layer 12 composed of a polymer solution and disposed on the first material layer 11, and a third material layer 13 containing chlorophyll and disposed on the second material layer 12.例文帳に追加

本発明の有機負電極１０は、導電材料を含む第一材料層１１と、ポリマー溶液からなり且つ前記第一材料層１１上に設けられる第二材料層１２と、葉緑素を含むとともに第二材料層１２上に設けられる第三材料層１３と、を備える。 - 特許庁

The method further comprises a step for forming a first layer underlying film 71 between the banks B imparted with liquid repellency, a step for forming a second layer conductive film 73 on the first layer, and a step for forming a third layer diffusion prevention film 77 on the second layer.例文帳に追加

また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。 - 特許庁

A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer.例文帳に追加

リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

A transparent conductive layer, an anti-adsorption layer, a first semiconductor layer having a first conductivity type, a substantially intrinsic second semiconductor layer, and a third semiconductor layer having a conductivity type opposite to the first conductivity type are formed sequentially on a substrate.例文帳に追加

基板上に、透明導電層と、吸着防止層と、第１の導電型を有する第１半導体層と、実質的に真性な第２半導体層と、前記第１の導電型とは反対の導電型を有する第３半導体層とをこの順に積層させたことを特徴とする。 - 特許庁

This cutting tool comprises a second layer 3 including at least Al, Ti, W, and Co between a first layer 2 consisting of a single layer or a double layer of nitride, carbide, carbonitride, or carbonate nitride of titanium on a surface of a tungsten carbide-base cemented carbide base material and a third layer 4 consisting of aluminum oxide.例文帳に追加

炭化タングステン基超硬合金母材６の表面にチタンの窒化物、炭化物、炭窒化物、炭酸窒化物の単層及び又は複層からなる第一層２と、酸化アルミニウムからなる第三層４の間にすくなくともＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｏを含む第二層３を設ける。 - 特許庁

A diamond semiconductor device is constituted in a structure that a first diamond layer 1 consists of a high-orientation diamond film formed by a vapor synthesys and with a diamond layer 2 formed on the layer 1, a third diamond layer 3 and a thin insulating film 4 are selectively formed on this layer 2.例文帳に追加

気相合成により形成された高配向ダイヤモンド膜からなる第１ダイヤモンド層１からなり、該第１ダイヤモンド層１上にダイヤモンド層２が形成されると共に、この第２ダイヤモンド層２上には、第３ダイヤモンド層３および絶縁薄膜４が選択的に形成されている。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.例文帳に追加

フォトダイオード（２２６）・アレイのダイオード（２２６）は、第一の金属化層（２１４）又は第二の金属化層（２１８）に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層（２２２）を介して第一の金属化層（２１４）及び／又は第二の金属化層（２１８）に接触することができる。 - 特許庁

A transparent conductive film 3 comprises a first transparent resin layer 8 including a plurality of thin metallic wires 7, a second transparent resin layer 9 including a conductive polymer, and a third transparent resin layer 10 provided between the first transparent resin layer 8 and the second transparent resin layer 9.例文帳に追加

透明導電膜３は、複数の金属細線７を含む第１の透明樹脂層８と、導電性高分子を含む第２の透明樹脂層９と、第１の透明樹脂層８と第２の透明樹脂層９との間に設けられる第３の透明樹脂層１０と、を含む。 - 特許庁

In the step of stacking the first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13, the second layer 12 formed has a composition distribution comprising Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) layers with the composition ratio (x) varying along the layer thickness direction and has a thickness of 3 μm to 100 μm.例文帳に追加

第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 - 特許庁

In the step of stacking the first layer 11, the second layer 12 and the third layer 13, the second layer 12 formed has a composition distribution comprising Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) layers with the composition ratio (x) varying along the layer thickness direction and has a thickness of 3 μm to 100 μm.例文帳に追加

第一層１１、第二層１２、第三層１３を積層する前記工程では、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層により構成され、組成ｘが層厚方向に沿って、変化する組成分布を有し、厚みが３μｍ以上、１００μｍ以下の第二層１２を形成する。 - 特許庁

Further, the first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected to form a coil shape, and the first conductive layer, the second conductive layer and/or the first magnetic element are electrically connected to the outside through through-holes 16, 17 having opening parts to the external surface of the third insulating layer.例文帳に追加

また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び／又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔１６，１７を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 - 特許庁

In the second optical semiconductor element 20, the second cladding layer 24 is disposed in the recess 16 and is thermally connected to the semiconductor substrate 11, the third cladding layer 27 is disposed on the first optical waveguide layer 15, and second optical waveguide layer 22 is optically connected to the first optical waveguide layer 15.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 - 特許庁

A second barrier layer 3 formed of AlGaAs, a channel layer 4 formed of InGaAs, a third barrier layer 12 formed of InGaP, and a first barrier layer 11 formed of AlGaAs, are sequentially laminated on one face of a substrate 1 formed of single crystal GaAs through a buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶ＧａＡｓよりなる基板１の一面に、バッファ層２を介して、ＡｌＧａＡｓよりなる第２の障壁層３、ＩｎＧａＡｓよりなるチャネル層４、ＩｎＧａＰよりなる第３の障壁層１２、およびＡｌＧａＡｓよりなる第１の障壁層１１が順次積層される。 - 特許庁

This belt layer 20 is formed as a three-layer structure having a first belt 20A composed of steel cords formed as the inmost layer, a second belt 20B similarly composed of steel cords formed as an intermediate layer and a third belt 20C similarly composed of steel cords formed as the outermost layer.例文帳に追加

このベルト層２０は、最内層とされるスチールコードにより構成された第１ベルト２０Ａと、中間層とされる同じくスチールコードにより構成された第２ベルト２０Ｂと、最外層とされる同じくスチールコードにより構成された第３ベルト２０Ｃと、を有した３層構造とされている。 - 特許庁

A specific first layer region, second layer region and third layer region having the layer regions varying in hydrogen contents, optical band gaps and the characteristic energy of exponential function skirts obtainable from light absorption spectra are constituted in the photoconductive layer of the photoreceptive member.例文帳に追加

光受容部材の光導電層中に水素含有量、光学的バンドギャップならびに光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーの異なる層領域を有する、特定の第一の層領域、第二の層領域、第三の層領域を構成する。 - 特許庁

A multilayer inductor 60 is provided with an inductor 64 of a first layer 64, an inductor 66 of a second layer formed on the inductor of the first layer via a first interlayer insulating film and an inductor 72 of a third layer formed on the inductor of the second layer via a second interlayer insulating film.例文帳に追加

本多層インダクタ６０は、１層目のインダクタ６４と、第１の層間絶縁膜６６を介して１層目のインダクタ上に形成された２層面のインダクタ６８と、第２の層間絶縁膜７０を介して２層目のインダクタ上に形成された３層目のインダクタ７２とを備えている。 - 特許庁

The thickness T1 of the first clear layer 110 located on the outermost surface 100b side of the first clear layer 110 to the third clear layer 130 and the thickness T2 of the second clear layer 120 located on the reverse surface 100b side adjacent to the first clear layer 110 satisfy T1<T2.例文帳に追加

第１クリア層１１０〜第３クリア層１３０のうち、最も表面１００ｂ側に位置する第１クリア層１１０の厚みＴ１と、第１クリア層１１０に接してこれより裏面１００ｂ側に位置する第２クリア層１２０の厚みＴ２とは、Ｔ１＜Ｔ２の関係を満たしている。 - 特許庁

The rare earth permanent magnet 1 consists of a magnet element 3, and a protective layer 5 formed to cover the entire surface of the magnet element 3 wherein the protective layer 5 includes a first layer 2, a second layer 4 and a third layer 6 sequentially from the magnet element 3 side.例文帳に追加

好適な実施形態の希土類磁石１は、磁石素体３と、この磁石素体３の表面の全体を覆うように形成された保護層５とから構成され、保護層５は、磁石素体３側から順に、第１の層２、第２の層４及び第３の層６を備えている。 - 特許庁

On a Si substrate 1, an Si-containing first semiconductor layer 2, an SiGe-containing second semiconductor layer 3, and a GaAs-containing third semiconductor layer 4 are successively formed in a laminated state in the order; and then active elements are formed respectively on the first or second semiconductor layer 2 or 3, and on the third semiconductor layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、Ｓｉを含む第１の半導体層２と、第１の半導体層２上に形成され、ＳｉＧｅを含む第２の半導体層３と、第２の半導体層３上に形成され、ＧａＡｓを含む第３の半導体層４とを形成し、第１の半導体層２または第２の半導体層３と、第３の半導体層４とにそれぞれ能動素子を形成する。 - 特許庁

Moreover, the interconnection layer resistor 14 is connected between the input terminal 30 and a third node, a group of transistors 16 is connected between the third node and a power supply VDD, the interconnection layer resistor 15 is connected between the third node and a fourth node, and a group of transistors 17 are connected between the fourth node and the power supply VDD.例文帳に追加

さらに、入力端子３０と第３のノードとの間に配線層抵抗１４を、第３のノードと電源ＶＤＤとの間にトランジスタ群１６を、第３のノードと第４のノードとの間に配線層抵抗１５を、第４のノードと電源ＶＤＤとの間にトランジスタ群１７をさらに接続する。 - 特許庁

Between SiGe layers 12, 14 that are first and third epitaxial layers, there is provided a Si layer 13 that is a second epitaxial layer having a different lattice constant from those of the SiGe layers.例文帳に追加

第１及び第３のエピタキシャル層であるＳｉＧｅ層１２、１４の間に、それらと格子定数の異なる第２のエピタキシャル層であるＳｉ層１３を設ける。 - 特許庁

The miniature contact point is formed by preparing a surface layer 6 composed of the thin Au film of 0.05 to 0.2 μm thickness, on the surface of the third layer 5 composed of Au-Ni alloy.例文帳に追加

Ａｕ−Ｎｉ合金からなる第３層５の表面に、厚さ０．０５μｍ〜０．２μｍのＡｕ薄膜からなる表面層６を形成した微小接触力用接点。 - 特許庁

The first layer is in contact with the first electrode and the third layer is in contact with the second electrode.例文帳に追加

第１の層と第２の層と第３の層とは、第２の層を間に挟むように順に積層されており、第１の層は第１の電極に接し、第３の層は第２の電極に接する。 - 特許庁

The phase shift part 9 is the first multilayer film 2 that is exposed from the third multilayer film 6, the second intermediate layer 5, the second multilayer film 4, and the first intermediate layer 3.例文帳に追加

位相シフト部９は、第３の多層膜６、第２の中間層５、第２の多層膜４及び第１の中間層３から露出する第１の多層膜２である。 - 特許庁

By etching, a hole is formed which penetrates a second insulating layer 13 and a third insulating layer 14 composed of porous silicon oxide films and turns to a part of a connection hole 21.例文帳に追加

エッチングにより、多孔質シリコン酸化膜からなる第２絶縁層１３および第３絶縁層１４を貫通して、接続孔２１の一部となる孔を形成する。 - 特許庁

Each of the amorphous resins contained in the second layer 3 and the third layer 4 is a methacrylic acid ester resin obtained by polymerization of a methacrylic acid ester monomer.例文帳に追加

第２の層３及び第３の層４に含まれている上記非晶性樹脂はそれぞれ、メタクリル酸エステル単量体を重合して得られるメタクリル酸エステル樹脂である。 - 特許庁

A fuse layer 18T is formed on a second interlayer insulating film 17 above a semiconductor substrate 10 and the fuse layer 18T is covered with a third interlayer insulating film 20.例文帳に追加

半導体基板１０上の第２の層間絶縁膜１７上にヒューズ層１８Ｔが形成され、ヒューズ層１８Ｔは第３の層間絶縁膜２０で覆われる。 - 特許庁

In a coating resin insulating layer forming process, a third resin insulating layer 130 having a second via hole 211b from which the small diameter via projecting part 116b is exposed is formed.例文帳に追加

次いで、被覆樹脂絶縁層形成工程で、小径ビア凸部１１６ｂが露出する第２ビアホール２１１ｂを有する第３樹脂絶縁層１３０を形成する。 - 特許庁