「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In the multilayer board, a conducive layer is not arranged between a first upper insulating layer and a second lower insulating layer, and also a third insulating layer is arranged between the first upper insulating layer and the second lower insulating layer in such a way that the concentration of a pressure from the first and second insulating layers is relaxed and that the conductor layer is not deformed.例文帳に追加

上下第１と第２の絶縁層の層間に導体層のみを配置するのではなくて、上下第１と第２の絶縁層からの圧力の集中を緩和し、導体層が変形しないように、上下第１と第２の絶縁層の層間に、第３の絶縁層を配置するようにした多層基板。 - 特許庁

A laminated film 10 is prepared by laminating a first layer 11 to be a clad, a second layer 12 having a refractive index larger than that of the first layer 11 and to be a core on the first layer 11, and a third layer 13 made of the same material as the first layer 11 and provided on the second layer 12.例文帳に追加

クラッドとなる第１の層１１、この第１の層１１上に第１の層１１より大きな屈折率を有してコアとなる第２の層１２、この第２の層１２上に設けられると共に第１の層１１と同じ材料からなる第３の層１３を積層した積層フィルム１０を用意する。 - 特許庁

The subpixels include a structure in which at least a first electrode layer (first electrode 31), a first organic light-emitting layer (first organic light-emitting layer 32), an intermediate electrode layer (second electrode 33a, third electrode 35b), a second organic light-emitting layer (second organic light-emitting layer 34), and a second electrode layer (fourth electrode 41) are laminated.例文帳に追加

サブピクセルは、少なくとも第１の電極層（第１電極３１）、第１の有機発光層（第１有機発光層３２）、中間電極層（第２電極３３ａ，第３電極３５ｂ）、第２の有機発光層（第２有機発光層３４）、第２の電極層（第４電極４１）が積層された構造を含む。 - 特許庁

A third layer part 36 inclining from a first layer part 34 toward a second layer part 35 is provided between the first layer part 34 and the second layer part 35 of a color filter layer 33, which are different in layer thickness and are formed in a color filter substrate 30 of a transflective liquid crystal display panel 1 having a transmitting area 26 and a reflection area 27.例文帳に追加

透過領域２６と反射領域２７を有する半透過型液晶パネル１のカラーフィルタ基板３０に形成された層厚の異なるカラーフィルタ層３３の第１層部３４と第２層部３５の間に、第１層部３４から第２層部３５へ向かって傾斜する第３層部３６を設ける。 - 特許庁

This polyamide multi-layer film has at least five layers, out of which a first layer and a fifth layer contain a crystalline polyamide and an amorphous polyamide; a second layer and a fourth layer contains the crystalline polyamide and a polyamide copolymer; and a third layer contains a barrier layer.例文帳に追加

少なくとも５層を有するポリアミド系多層フィルムであって、第１層及び第５層が結晶性ポリアミドと非晶性ポリアミドとを含み、第２層及び第４層が結晶性ポリアミドとポリアミド共重合体とを含み、第３層がバリア層を含むことを特徴とする耐ピンホール性に優れたポリアミド系多層フィルム及びその製造方法。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

This panel 10 for the vehicle body shows at least a three layer structure, a first layer 1 and a third layer 3 are formed of a first fiber admixture including at least ramie fiber, and a second layer 2 interposed between the first layer 1 and the third layer 3 is formed of a second fiber admixture in which kenaf fiber is further mixed in the first fiber admixture.例文帳に追加

車両ボディー用パネル１０は少なくとも３層構造を呈し、第１の層１と第３の層３は、少なくともラミー繊維を含む第１の繊維混合材から形成されており、第１の層１と第３の層３の間に介在する第２の層２は、第１の繊維混合材にさらにケナフ繊維が混合された第２の繊維混合材から形成されている。 - 特許庁

A first layer 12 of a paste for an electrode is formed on a flat plate 10 by first squeeging, a second layer 14 of paste for an electrode is formed by second squeeging, and a third layer 16 of paste for an electrode is formed by third squeezing.例文帳に追加

１回目のスキージングによって平板１０上に電極用ペーストの第１の層１２を形成し、２回目のスキージングによって電極用ペーストの第２の層１４を形成し、３回目のスキージングによって電極用ペーストの第３の層１６を形成する。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a first conductive layer, a second conductive layer, an insulation layer with a connection hole formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and a third conductive layer connected to the first conductive layer and the second conductive layer and having at least a part of its end formed inside the connection hole.例文帳に追加

第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層及び第２の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第１の導電層及び第２の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第３の導電層と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).例文帳に追加

ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁

The optical device has a core layer 11 having branch waveguides, a first clad layer 12 on which the core layer 11 is deposited on a part of the surface, a second clad layer 13 interposing the core layer 11 with the clad layer 12, a third clad layer 14 deposited on the clad layer 12, electrodes 15, 16 for heating, and a substrate 17 having a function of a heat sink.例文帳に追加

光デバイスは、分岐導波路を有するコア層１１と、コア層１１が表面の一部に堆積された第１のクラッド層１２と、クラッド層１２と共にコア層１１を挟む第２のクラッド層１３と、クラッド層１２に堆積した第３のクラッド層１４と、加熱用の電極１５及び１６と、ヒートシンク機能を有する基板１７とを具える。 - 特許庁

A second winding C2 in the third layer is made to pass through a groove part 210 formed between the last winding B13 in the second layer and an introduced end part 207.例文帳に追加

第３層目の第２巻線Ｃ２を、第２層目の最終巻線Ｂ１３と導入端部２０７との間に形成される溝部２１０を通す。 - 特許庁

According to the existence of the third semiconductor layer, the distribution of refractive index of light in the window is symmetry in the direction of lamination with the extended surface of the active layer as a center.例文帳に追加

第３の半導体層により、窓部の光の屈折率の分布は、活性層の延長面を中心にして積層方向に対称である。 - 特許庁

Further, the third layer 60 has an internal face 64 which forms a second gap section 94 to receive the pressed air together with the second face 42 of the second layer 40.例文帳に追加

さらに、第３の層は、第２の層の第２の面（４２）とともに加圧された空気を受ける第２の空隙部（９４）を形成する内面（６４）を有する。 - 特許庁

The undercoat of the light shielding layer is subjected to a third etching process by using the light shielding layer and the resist pattern for correction as a mask to correct the excess defect.例文帳に追加

遮光層及び修正用レジストパターンをマスクにして遮光層の下層に対して第３のエッチング処理を施し余剰欠陥箇所を修正する。 - 特許庁

The n-side wiring layer has an n-side external terminal exposed from the second insulation layer on the third face same as that of the p-side external terminal.例文帳に追加

前記ｎ側配線層は、前記ｐ側外部端子と同じ前記第３の面で、前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

Thereafter, the substrate W is set in a third deposition unit 15 through the transfer apparatus 10 and a Cu main wiring layer is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、次に、搬送装置１０を介して第３成膜ユニット１５中に基板Ｗをセットし、バリア層上にＣｕからなる配線本体層を形成する。 - 特許庁

The light emitted from the organic light-emitting layer is mixed with the light emitted by the phosphor layer to produce light with a third spectrum.例文帳に追加

有機発光層から放出された光は、蛍光体層によって放出された光と混合され、第３のスペクトルを有する光を生成する。 - 特許庁

An integral or separate temperature source or sources 14, 16 may be provided to maintain the first layer 18 at a first temperature and the third layer 22 at a second temperature.例文帳に追加

第１の層１８を第１の温度に、第３の層２２を、第２の温度に維持するために、一体又は別個の温度源１４、１６を設けることができる。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device comprises a recess which is formed on the third semiconductor layer and of which at least a corner between the side face and the bottom face is within the second semiconductor layer.例文帳に追加

さらに、第３の半導体層に形成され、少なくとも側面と底面との角部が第２の半導体層内にある凹部を備えている。 - 特許庁

A liquid crystal layer thickness adjustment layer 24 is continuously formed in the boundary portion between the second sub-pixel portion 30b and the third sub-pixel portion 30c.例文帳に追加

そして第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部では、液晶層厚調整層２４が連続形成されている。 - 特許庁

In the fuse program circuit (FPK1-FPKn), the fuse element FS is realized employing a metal wiring (M(i)) above the third layer of a multi-layer metal wiring.例文帳に追加

ヒューズプログラム回路（ＦＰＫ１−ＦＰＫｎ）において、ヒューズ素子ＦＳを、多層メタル配線の第３層以上のメタル配線（Ｍ（ｉ））を用いて実現する。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 24 is formed in an opening 22 for exposing the second electrode 20 and the first electrode 12, with a third electrode 26 being formed.例文帳に追加

第２の電極２０及び第１の電極１２を露出させる開口部２２に層間絶縁層２４を形成し、第３の電極２６を形成する。 - 特許庁

The third layer contains at least iron and oxygen and the content ratio of rare earth element to iron is smaller than that in the first layer.例文帳に追加

さらに、第３の層は、少なくとも鉄及び酸素を含み、且つ、鉄に対する希土類元素の含有割合が第１の層よりも小さい層である。 - 特許庁

The first multilayer circuit board 31 is a ring-shaped multilayer circuit board having a through-hole 55 in the center, and includes a third layer 53 as a GND layer.例文帳に追加

第１の多層回路基板３１は、中央に貫通孔５５を有する環状の多層回路基板であり、ＧＮＤ層としての第３の層５３を含む。 - 特許庁

Moreover, a clad layer having a fourth refractive index higher than the third refractive index is arranged so that the anti-guide layer may be positioned between the clad and confinement layers.例文帳に追加

第三の屈折率より大きな第四の屈折率を持つクラッド層が、アンチガイド層がこのクラッド層と閉じ込め層の間にくるように配置される。 - 特許庁

The peak value of the impurity concentration in the third portion 15n of the fourth layer 15 is high than that in the fourth portion 15p of the fourth layer 15.例文帳に追加

第４の層１５の第３の部分１５ｎの不純物濃度のピーク値は、第４の層１５の第４の部分１５ｐの不純物濃度のピーク値よりも高い。 - 特許庁

A third conductive layer 36, electrically connected to the layer 32, is formed on the peripheral wall face 20a of the through hole 14 in the substrate 20.例文帳に追加

そして、絶縁基板２０における貫通孔１４の周壁面２０ａに、第１導電層３２と導通する第３導電層３６を形成する。 - 特許庁

The cap member 5 is formed by stacking a third silicon member 7, a second oxide insulating layer 8, and a fourth silicon member 9 from the side of joining layer 6.例文帳に追加

前記キャップ部材５は、前記接合層６側から第３シリコン部材７、第２酸化絶縁層８及び第４シリコン部材９の順に積層されている。 - 特許庁

Respective end planes near the medium facing surface 30 in the third layer 20E and the forth layer 20G are arranged far from the medium facing surface 30.例文帳に追加

第３層２０Ｅと第４層２０Ｇにおける媒体対向面３０に近い各端面は、媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。 - 特許庁

In addition, the second layer 14 is preferably formed of a closed cell structure foaming material and the first and the third layer 12 and 16 are preferably formed of a silica material.例文帳に追加

第二の層１４は独立気泡構造発泡材からなることが好ましく、第一及び第三の層１２、１６はシリカ材料を有することが好ましい。 - 特許庁

A third insulating film is then formed on the surface of the three-layer insulating film in the first area and on the surface of the substrate where the three-layer insulating film is removed.例文帳に追加

そして、第１の領域の３層絶縁膜表面、及び、３層絶縁膜の除去された基板の表面に、第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The conductor layer 13 is formed by thermocompression bonding a copper foil 130 having a thickness within a range of 5 to 25 μm to the third polyimide resin layer 123.例文帳に追加

導体層１３は、厚みが５〜２５μｍの範囲内にある銅箔１３０を第３のポイリミド樹脂層１２３に熱圧着することによって形成する。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING THIRD LAYER DENSITY IN COATED FUEL PARTICLE FOR HIGH-TEMPERATURE GAS-COOLED REACTOR, AND METHOD OF MEASURING FOURTH LAYER DENSITY IN COATED FUEL PARTICLE FOR HIGH-TEMPERATURE GAS-COOLED REACTOR例文帳に追加

高温ガス炉用被覆燃料粒子の第三層密度測定方法、及び高温ガス炉用被覆燃料粒子の第四層密度測定方法 - 特許庁

After an opening 10w is formed on the rear face of a semiconductor substrate 10, the wiring layer 18 and a third resist layer 19 are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１０の裏面に開口部１０ｗを形成した後、それらの上に配線層１８及び第３のレジスト層１９を形成する。 - 特許庁

The third polysilicon layer 112 and the first metal silicide layer 113 used as a control gate electrode are formed on the second gate insulating film 111.例文帳に追加

第２ゲート絶縁膜１１１上には、制御ゲート電極となる第３ポリシリコン層１１２と第１金属シリサイド層１１３が形成されている。 - 特許庁

The third region 43 suppresses deviation of the pole layer from its desired shape caused by the effect of light reflected while the photoresist layer is exposed.例文帳に追加

第３の領域４３は、フォトレジスト層の露光時における反射光の影響によって磁極層の形状が所望の形状からずれることを抑制する。 - 特許庁

The second connecting section 13D connects the magnetic pole layer 12 and the third layer 13B at the position farther from the medium facing surface than the first connecting section 13C.例文帳に追加

第２の連結部１３Ｄは、第１の連結部１３Ｃよりも媒体対向面から遠い位置において磁極層１２と第３層１３Ｂとを連結する。 - 特許庁

The first electrode is provided to the lower surface of the first semiconductor layer, while a plurality of the first insulating layers are formed on the third semiconductor layer keeping a constant interval.例文帳に追加

第１の電極は、第１の半導体層下面に設けられ、第１の絶縁層は、第３の半導体層上に一定の間隔で複数形成される。 - 特許庁

The optical waveguide has a base, a first cladding layer, an incoming optical waveguide, outgoing optical waveguide elements, and a third cladding layer.例文帳に追加

光導波路は、基板と、第１のクラッド層と、受入光導波路と、第２のクラッド層と、送出光導波路要素と、および第３のクラッド層とを備える。 - 特許庁

The N_2 gas flow is then stopped to deposit by sputtering a third refractory metal-silicon-nitrogen layer 18 on top of the second refractory metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、Ｎ_2ガスのフローが停止され、第３の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１８が第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上にスパッタ付着される。 - 特許庁

The first electrode is provided on an under surface of the first semiconductor layer, and a plurality of insulating layers are formed on the third semiconductor layer at constant intervals.例文帳に追加

第１の電極は第１の半導体層下面に設けられ、絶縁層は第３の半導体層上に一定の間隔を置いて複数形成される。 - 特許庁

A first organic luminescent layer 6 is provided between the first and second electrodes 3, 4, and a second organic luminescent layer 7 is provided between the second and third electrodes 4, 5.例文帳に追加

第１、第２の電極３、４の間に第１の有機発光層６が、第２、第３の電極４、５間に第２の有機発光層７が設けられている。 - 特許庁

Signal terminals 13 in a third column are ground electrodes, and connected to a ground electrode 21 formed in a fourth wiring layer 10 through inter-layer connection vias 20.例文帳に追加

三列目の信号端子１３はグランド電極で、第四配線層１０に形成されたグランド電極２１と層間接続ビア２０で接続されている。 - 特許庁