「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The first and the third portions are constituted by a layer or a thin film consisting of a conductive material.例文帳に追加

第１および第３の部分は、導電性材料よりなる層または薄膜によって構成されている。 - 特許庁

An upper contact is formed in the third insulation layer so as to be electrically connected to the intermediate contact.例文帳に追加

上部コンタクトを中間コンタクトと電気的に接続されるよう第三の絶縁層内に形成する。 - 特許庁

Third crystallized glass is contained between a plurality of sintered particles in the second ceramic layer 12.例文帳に追加

第２セラミック層１２における複数の焼結粒子の間には、第３結晶化ガラスが含有されている。 - 特許庁

The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than 1×10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.例文帳に追加

第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０^20／ｃｍ^3 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。 - 特許庁

A damascene process is used for two coil layers, and a conventional process is used for a third coil layer.例文帳に追加

2つのコイル層に対してはダマシーンプロセスを使用し、第3のコイル層に対しては従来のプロセスを使用する。 - 特許庁

Each of the capacitors 25, 27 comprises first and third electrodes and a dielectric layer.例文帳に追加

キャパシタ２５，２７は、それぞれ第１および第３の電極と誘電体層とによって構成されている。 - 特許庁

The third semiconductor layer 14 is not provided at a place corresponding to the rear of the gate wiring 19.例文帳に追加

ゲート配線１９の裏面と対応する箇所には第３の半導体層１４が設けられていない。 - 特許庁

The third layer 130 contains polypropylene 5 g/m^2×24 in moisture vapor transmittance according to JIS Z0208.例文帳に追加

第３層１３０は、ＪＩＳ Ｚ０２０８に準拠する透湿度が５ｇ／ｍ^２・２４のポリプロピレンを含む。 - 特許庁

The third layer 213 is formed by using organic semiconductor or element of a divided silicon lamination structure.例文帳に追加

第３層２１３は、有機半導体や分割されたシリコン積層構造の素子を用いて形成する。 - 特許庁

A first conductive gallium nitride semiconductor layer 15 contains first to third regions 15a, 15b and 15c.例文帳に追加

第１導電型窒化ガリウム系半導体層１５は、第１〜第３の領域１５ａ、１５ｂ、１５ｃを含む。 - 特許庁

First to third capacitors C1 to C3 include a capacitive layer 211 and non-capacitive layers 212 to 214.例文帳に追加

第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、キャパシタ層２１１と、非キャパシタ層２１２〜２１４とを含んでいる。 - 特許庁

The third conducting layer 16c is electrically connected to an active region 12d of the load transistor Q6.例文帳に追加

第３の導電層１６ｃは負荷トランジスタＱ_6の活性領域１２ｄと電気的に接続されている。 - 特許庁

The free layer 160 has a first film 161, a second film 162 and a third film 163.例文帳に追加

フリー層１６０は、第１の膜１６１と、第２の膜１６２と、第３の膜１６３とを含んでいる。 - 特許庁

A third source layer 2c, a channel portion 7 and a drain layer 8 are buried while laminating in the gate opening whose side surface is coated with a gate insulating film 6.例文帳に追加

側面にゲート絶縁膜６が設けられたゲート開口部には、第３のソース層２ｃ、チャネル部７、及びドレイン層８が積層埋設される。 - 特許庁

The first layer 1 and the third layer 3 are low refractive index layers having a refractive index of 1.35 to 1.50 at d line for example.例文帳に追加

第１の層１および第３の層３は、例えばｄ線に対して１．３５以上１．５０以下の屈折率を示す低屈折率層である。 - 特許庁

The third conductive layer includes an extension portion in which at least the portion is not covered with the second conductive layer and extends in parallel with the first primary surface.例文帳に追加

第３導電層は、少なくとも一部が第２導電層に覆われず第１主面に対して平行に延在する延在部を含む。 - 特許庁

A third dielectric layer 12 is formed on the differential signal line pair 32 in an area on the first dielectric layer 10.例文帳に追加

第１の誘電体層１１上の領域のうち差動信号線対３２上の領域に第３の誘電体層１２が形成されている。 - 特許庁

A fourth insulting layer is disposed over the third insulating layer, and additional vertical conductive vias and a fourth level metal runner are formed therein.例文帳に追加

第３の絶縁層に第４の絶縁層を配置し、追加の垂直導電性バイアおよび第４のレベルの金属ランナをその中に形成する。 - 特許庁

The light emitted from the organic luminescent layer is mixed with the light emitted by the phosphor layer to produce light with a third spectrum.例文帳に追加

有機発光層から放出された光は、蛍光体層によって放出された光と混合され、第３のスペクトルを有する光を生成する。 - 特許庁

In a third step, a first layer 21 made of SiGe layer is subjected to epitaxially growing on a surface of the dug silicon substrate 11.例文帳に追加

次いで、第３工程では、掘り下げられたシリコン基板１１の表面に、ＳｉＧｅ層からなる第１の層２１をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In a third process, the undercoated layer 2a and the overcoated layer 3a are heated at a temperature higher than ambient temperature to prepare the article 10 with the inorganic film.例文帳に追加

第３工程において、下塗り層２ａ及び上塗り層３ａを常温以上の温度に加熱して無機皮膜付き製品１０を得る。 - 特許庁

The laminated groups C1 to Cn are laminated in a manner where the first ceramic layer 110 and the third ceramic layer 130 are located adjacent to each other.例文帳に追加

積層グループＣ１〜Ｃｎは第１のセラミック層１１１０及び第３のセラミック層１３０が互いに隣接する関係で積層されている。 - 特許庁

A first layer composed of third semiconductor material different from the first semiconductor material is epitaxially grown on the surface of the retaining layer.例文帳に追加

支持層の表面上に、第１の半導体材料とは異なる第３の半導体材料からなる第１の層をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Gate electrode layers 21a, 21b being a first layer, drain-drain connection layers 31a, 31b being a second layer and drain-gate connection layers 41a, 41b being a third layer are a conductive layer for flip flop.例文帳に追加

第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層３１ａ、３１ｂと、第３層であるドレイン−ゲート接続層４１ａ、４１ｂと、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁

After a second inter-layer insulation film 120 is formed on the capacity upper electrode 119, a third plug 121 for connecting the impurity diffusion layer 111 and upper layer wiring 122 is formed on the respective inter-layer insulation films.例文帳に追加

容量上部電極１１９の上に第２の層間絶縁膜１２０を形成した後、各層間絶縁膜に、不純物拡散層１１１と上層配線１２２とを接続する第３のプラグ１２１を形成する。 - 特許庁

A fourth semiconductor layer of the second conductivity type is provided on the third semiconductor layer, and a fifth semiconductor layer of the first conductivity type is selectively provided on a surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

前記第３半導体層の上には、前記第２導電型の第４半導体層が設けられ、前記第４半導体層の表面に前記第１導電型の第５半導体層が選択的に設けられる。 - 特許庁

The curved laminated glass 1 is obtained by laminating two curved glass sheets 11, 12 through an interlayer film 20 having a three layer constitution in which a first layer 21 is interposed between a second layer 22 and a third layer 23.例文帳に追加

２枚の湾曲したガラス板１１、１２が、第１層２１が第２層２２と第３層２３との間に介在している３層構成の中間膜２０を介して積層された湾曲合わせガラス１を提供する。 - 特許庁

More specifically, the third insulating layer 23 is formed so as to cover a first semiconductor layer 13 exposed on one surface (one primary surface) 11a of the substrate 11 between the second semiconductor layer 161 and the second semiconductor layer 162.例文帳に追加

即ち、第二半導体層１６１と第二半導体層１６２との間で、基板１１の一面（一方の主面）１１ａに露呈された第一半導体層１３を覆うように第三絶縁層２３が形成される。 - 特許庁

A first metal wiring region is ensured in the row direction between a first contact layer of the first to the third diffusion layers and a second contact layer of a gate layer, and between the first contact layer and the first/second word lines.例文帳に追加

第１〜第３拡散層の第１コンタクト層とゲート層の第２コンタクト層との間、第１コンタクト層と第１／第２ワード線との間に、行方向に沿って第１のメタル配線領域が確保される。 - 特許庁

The area of a first region facing the first diffusion layer 115, of the third diffusion layer 14A is larger than the area of a second region facing the first diffusion layer 115, of the second diffusion layer 114B.例文帳に追加

第３拡散層１４Ａにおいて、第１拡散層１１５に対向する第１領域の面積は、第２拡散層１１４Ｂにおいて第１拡散層１１５に対向する第２領域の面積より大きい。 - 特許庁

The polarizing plate 10 with optical compensation layer is prepared by stacking a polarizer 11, a first optical compensation layer 12, a second optical compensation layer 13 and a third optical compensation layer 14 in this order.例文帳に追加

本発明の光学補償層付偏光板１０は、偏光子１１と、第１の光学補償層１２と、第２の光学補償層１３と、第３の光学補償層１４とがこの順序で積層されている。 - 特許庁

The LTCC package 1 has a plural layer hierarchical structure that comprises: a first cavity 7 formed on a transmission layer 25; a second cavity 8 formed on a reception layer 26; and a third cavity 17 formed on a control layer 27.例文帳に追加

ＬＴＣＣパッケージ１は、送信層２５に形成した第１キャビティ７と、受信層２６に形成した第２キャビティ８と、制御層２７に形成した第３キャビティ１７とを備えた複数階層構造を有している。 - 特許庁

The elliptically polarizing plate 10 is formed by layering a linearly polarizing plate 1, a first adhesive layer 5, a retardation plate 2, a second adhesive layer 6, an optical compensation plate 3 formed of a liquid crystal layer, and a third adhesive layer 7 in this order.例文帳に追加

直線偏光板１、第一の粘着層５、位相差板２、第二の粘着層６、液晶層からなる光学補償板３、及び第三の粘着層７をこの順に積層し、楕円偏光板１０とする。 - 特許庁

The elliptically polarizing plate 10 is formed by laminating the linear polarizing plate 1, a first adhesive layer 5, a retardation film 2, a second adhesive layer 6, the optical compensation plate 3 consisting of the liquid crystal layer and a third adhesive layer 7 in this order.例文帳に追加

直線偏光板１、第一の粘着層５、位相差板２、第二の粘着層６、液晶層からなる光学補償板３、及び第三の粘着層７をこの順に積層し、楕円偏光板１０とする。 - 特許庁

A transport or a storage apparatus of a fluid, specifically a tube, tank, chute, bottle, and container, is manufactured from the structure wherein the barrier layer (the second layer, or a layer combining the second layer and the third layer) is directly contacted with a fluid to be stored or transported.例文帳に追加

バリヤー層（第２層または第２層と第３層とを組合せた層）が貯蔵または輸送される流体と直接接触する上記構造物からなる流体の輸送または貯蔵用装置、特にチューブ、タンク、シュート、ボトルおよび容器。 - 特許庁

A multilayered film is constituted of a first layer being a transparent vapor-deposited polyester film, a second layer being a nylon film bonded to the first layer by an adhesive and a third layer being a polyethylene film bonded to the second layer by an adhesive.例文帳に追加

透明蒸着ポリエステルフィルムである第１層と、第１層と接着剤で接着されたナイロンフィルムである第２層と、第２層と接着剤で接着されたポリエチレンフィルムである第３層とから構成されていることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁

The light-emitting element has n (n is a natural number of 2 or more) EL layers between the anode and the cathode, and has a first layer, a second layer and a third layer between the m-th layer and the (m+1)th layer (m is a natural number, 1≤m≤n-1) from the anode.例文帳に追加

陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層の間に、第１の層、第２の層及び第３の層を有する。 - 特許庁

The cushioning member 30 includes a first layer 31 arranged at an internal wall side of the hard disk drive device 12, a second layer 32 arranged at the hard disk drive device 12 side, and a third layer 33 arranged between the first layer 31 and the second layer 32.例文帳に追加

緩衝部材３０は、ハードディスクドライブ本体１２の内壁側に配置された第１層３１、ハードディスクドライブ本体１２側に配置された第２層３２、第１層３１と第２層３２との間に配置された第３層３３とを備えている。 - 特許庁

A third insulating layer 23 is formed in a center region Ac of a substrate 11 so as to straddle between a second semiconductor layer 161 adjacent to a guard ring layer 15 and a second semiconductor layer 162 adjacent to the second semiconductor layer 161.例文帳に追加

ガードリング層１５に隣接した第二半導体層１６１と、この第二半導体層１６１に隣接する第二半導体層１６２との間に跨るように、基板１１の中心領域Ａｃにおいて第三絶縁層２３が形成されている。 - 特許庁

The first layer 31 has 68 to 74% of a width dimension D1 in contrast with a section width SW, and then the relation of; the width dimension of the first layer 31 > the width dimensions of the second layer 32 > the width dimensions of the third layer 33 > the width dimensions of the fourth layer 34 is established.例文帳に追加

セクション幅ＳＷ対比で、６８〜７４％の幅寸法Ｄ１を第１層３１が有し、第１層３１の幅寸法＞第２層３２の幅寸法＞第３層３３の幅寸法＞第４層３４の幅寸法の関係とされる。 - 特許庁

The first magnetic layer is magnetized vertically by exchange combination with the second magnetic layer in at least the part of temperature range of less than TC2 to transfer the magnetization of the third magnetic layer to the first magnetic layer through the second magnetic layer.例文帳に追加

Ｔ_C2未満の温度域の少なくとも一部において、第１磁性層が第２磁性層との交換結合により垂直に磁化され、この交換結合により第３磁性層の磁化が第２磁性層を介して第１磁性層へと転写する。 - 特許庁

Each multilayer panel includes at least the following three layers: (1) a first layer 21 consisting of a metal foil, (2) a second intermediate layer 22 of fiber-glass securely fixed to the first layer 21, and (3) a third metal honeycomb layer 23 securely fixed to the second layer 22.例文帳に追加

各多層パネルは、少なくとも次の３層、（１）金属薄片から成る第１の層２１、（２）第１の層２１に固定されたガラス繊維の第２の中間層２２、及び（３）第２の層２２に固定された第３の金属蜂巣層２３を含む。 - 特許庁

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁

Next, a first upper layer insulating film 37, a first upper layer rewiring 39, a second upper layer insulating film 41, a second upper layer rewiring 43 and a third upper layer insulating film 44 are formed in the form of lamination and subsequently solder balls 46 are formed.例文帳に追加

次に、第１の上層絶縁膜３７、第１の上層再配線３９、第２の上層絶縁膜４１、第２の上層再配線４３、第３の上層絶縁膜４４を順次、積層状に形成し、次いで半田ボール４６を形成する。 - 特許庁

A first resist layer is removed by plasma exposure and a second resist layer and a third resist layer are respectively removed by peeling-off, thereby forming a first conductive layer and a second conductive layer without requiring an etching process.例文帳に追加

プラズマ曝露によって第１レジスト層を除去し、剥離によって第２レジスト層及び第３レジスト層をそれぞれ除去することとしたので、エッチング工程を要することなく第１導電層及び第２導電層を形成することができる。 - 特許庁