「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermal expansion difference between the first layer 5 and the third layer 15 can be relaxed by the second layer 10 based on the arrangement, and for instance, the first layer 5 can be expanded comparatively freely without being restrained so much by the second layer 10.例文帳に追加

このため、第１層５と第３層１５との熱膨張差を第２層１０で緩和することができるので、例えば第１層５を第２層１０であまり拘束しないで比較的自由に膨張させることができる。 - 特許庁

A third resist layer 19 (positive resist layer) which opens a predetermined region 10a which runs along the dicing line DL of the bottom of the opening 10w is formed on the wiring layer 18, and the wiring layer 18 is etched by using the layer 19 as a mask.例文帳に追加

配線層１８上に、開口部１０ｗの底部のダイシングラインＤＬに沿った所定の領域１０ａを開口する第３のレジスト層１９（ポジレジスト層）を形成して、これをマスクとして配線層１８をエッチングする。 - 特許庁

The coated cutting tool has a multi-layered coating film 20 including an oxide film (a fourth layer 24 (Al_2O_3)) and films other than oxide (a first layer 21 (TiN), a second layer 22 (TiCN), a third layer 23 (TiBN), and a fifth layer 25 (TiN)), on the surface of a base material 10 composed of a hard alloy.例文帳に追加

硬質合金からなる基材10の表面に、酸化物の膜(第4層24(Al_2O_3))と酸化物以外の膜(第1層21(TiN),第2層22(TiCN),第3層23(TiBN),第5層25(TiN))とを含む多層の被覆膜20を備える被覆切削工具に係る。 - 特許庁

The elliptical polarization plate has at least a first polarizer, a first optical anisotropy layer, a second optical anisotropy layer and a third optical anisotropy layer, laminated in this order, wherein the first optical anisotropy layer satisfies the relations [1] to [3], the second optical anisotropy layer satisfies the relations [4] and [5] and the third optical anisotropy layer satisfies the relations [6] to [8].例文帳に追加

少なくとも第１の偏光子、第１の光学異方性層、第２の光学異方性層および第３の光学異方性層がこの順に積層された楕円偏光板であって、第１の光学異方性層が［１］〜［３］を満たし、第２の光学異方性層が［４］、［５］を満たし、第３の光学異方性層が［６］〜［８］を満たす楕円偏光板。 - 特許庁

A light permeability colored layer 24 is laminated at the first region 1 out of planes of a light source 6 side of the supporting body 8, a second shading layer 23 and the light permeability colored layer 24 are laminated in order at the second region 2, and a third decoration layer 21, a second reflection layer 22, and the second shading layer 23 are laminated at the third region 3.例文帳に追加

支持体８の光源６側の面のうち、第１の領域１には、光透過性着色層２４が積層され、第２の領域２には、第２の遮光層２３、光透過性着色層２４が順に積層され、第３の領域３には、第３の加飾層２１、第２の反射層２２、第２の遮光層２３が順に積層されている。 - 特許庁

The solid electrolytic capacitor is made by forming a first dielectric covering film on the surface of an anode made of valve-action metal and furthermore forming thereon a first insulation organic layer, a second dielectric covering film, a second insulation organic layer, a third dielectric film, a third insulation organic layer, a conductive polymer layer, a graphite layer, and a silver layer in this sequence.例文帳に追加

弁作用金属からなる陽極体の表面に第１の誘電体皮膜が形成され、その上に、第１の絶縁性有機物層、第２の誘電体皮膜、第２の絶縁性有機物層、第３の誘電体被膜、第３の絶縁性有機物層、導電性高分子層、グラファイト層、及び銀層がこの順に形成されてなる固体電解コンデンサとする。 - 特許庁

A first layer 4 consisting of mixed conductive bodies is formed on an insulating substrate 1 in the form of being pinched by a source electrode 2 and a drain electrode 3, then, a third layer 5 consisting of ion conductive bodies is formed on the first layer 4, and further, a second layer 6 consisting of the mixed conductive bodies is formed on the third layer 5.例文帳に追加

絶縁性基板１上に、ソース電極２およびドレイン電極３に挟まれる形で、混合導電体からなる第１の層４を形成し、その第１の層４上に、イオン導電体からなる第３の層５を形成、さらにその第３の層５の上に、混合導電体からなる第２の層６を形成する。 - 特許庁

In this composite flooring material A, a lowermost layer serves as a first layer; second and third layers are superposed on it; the first layer is composed of the wood-based base material 1; the thermoplastic resin-based base material 2 is internally provided as a center core in the second layer; and the wood-based base material 3 is superposed as the third layer.例文帳に追加

最下層を第１層とし、その上に第２層、第３層を積層してなる複合床材であって、上記第１層を木質系基材１とし、第２層に熱可塑性樹脂系基材２をセンターコアとして内設し、さらに第３層として木質系基材３を積層してなる複合床材Ａ。 - 特許庁

The semiconductor optical element 10 includes a first conductive GaAs board 12, a group third-fifth compound semiconductor layer 14 formed on the GaAs board 12, an active layer 16 formed on the group third-fifth compound semiconductor layer 14, and a second conductive upper clad layer 18 formed on the active layer 16.例文帳に追加

半導体光素子１０は、第１導電型のＧａＡｓ基板１２と、ＧａＡｓ基板１２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層１４と、III−Ｖ族化合物半導体層１４上に設けられた活性層１６と、活性層１６上に設けられた第２導電型の上部クラッド層１８とを備える。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type semiconductor layer 2 comprising an n-type GaN layer is laminated, then first, second, and third active layers 3a, 3b, and 3c of InGa1-xN are sequentially laminated, and a p-type semiconductor layer 4 comprising a p-type GaN layer is laminated on the third active layer 3c.例文帳に追加

基板１上にｎ形ＧａＮ層よりなるｎ形半導体層２が積層され、続いてＩｎＧａ_1-XＮよりなる第１の活性層３ａ、第２の活性層３ｂ，第３の活性層３ｃが順次積層され、第３の活性層３ｃ上にｐ形ＧａＮ層よりなるｐ形半導体層４が積層されている。 - 特許庁

A common anode lead electrode 9 and cathode lead electrodes 6, 7, 8 are formed in the third layer of the multilayered substrate, and the anode and respective cathodes of the first layer are electrically connected to the anode lead electrode and cathode lead electrodes of the third layer through the wiring part 5 of the second layer and through holes formed in each layer.例文帳に追加

多層基板の第3層に共通陽極取り出し電極９、陰極取り出し電極６，７，８を形成し、第１層の陽極および各陰極と第3層の陽極取り出し電極および陰極取り出し電極とを第2層の配線部５および各層に設けた貫通孔を介して電気的に接続する。 - 特許庁

This lattice for lead-acid batteries is characterized by having a first layer 51 made of a lead alloy, a second layer 52 made of a lead alloy and disposed on one side of the first layer, and a third layer 53 made of lead or a lead alloy and disposed between the first and second layers, the third layer being softer than the first and second layers.例文帳に追加

鉛合金よりなる第１の層５１と、第１の層の片面に配された鉛合金よりなる第２の層５２と、第１の層と第２の層との間に配された鉛もしくは鉛合金よりなる第３の層５３とを備え、第３の層は第１の層および第２の層よりも軟らかいことを特徴とする。 - 特許庁

A second layer is formed by a non-magnetic metallic film or a metal oxide film being a barrier layer 4, a third layer is constituted of a non-magnetic glass film being a joining layer 5, the gap is formed by being joined by the glass film of the third layer by heat treatment, and the magnetic head having high quality and high gap width precision can be manufactured.例文帳に追加

第２層がバリア層４となる非磁性の金属膜または金属酸化物膜で形成され、第３層が接合層５である非磁性ガラス膜より構成され、熱処理により第３層のガラス膜により接合されることでギャップが形成され、高品質且つ、ギャップ幅精度の高い磁気ヘッドが作成できる。 - 特許庁

Since the second piezoelectric layer 72 contains the same lead zirconate titanate as a third piezoelectric layer 73 formed on the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 formed on the lower electrode 60, a composition unstable phase can be made hard to be generated in the vicinity of an interface between the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 and in the vicinity of an interface between the second piezoelectric layer 72 and the third piezoelectric layer 73.例文帳に追加

第２圧電体層７２が、下電極６０に形成された第１圧電体層７１および第２圧電体層７２上に形成される第３圧電体層７３と同じチタン酸ジルコン酸鉛なので、第１圧電体層７１と第２圧電体層７２との界面付近および第２圧電体層７２と第３圧電体層７３との界面付近で組成不安定相を生じにくくできる。 - 特許庁

Forward ends 78a and 88a of the joint side ends extending from the first layer conductor and the second layer conductor spaced apart by a third pitch are bonded to each other, and forward ends 88b and 78b extending from the third layer conductor and the fourth layer conductor spaced apart by a fourth pitch are bonded to each other.例文帳に追加

第３ピッチ離れた第１層導体及び第２層導体から延びた接合側端部の先端同士７８ａ，８８ａが接合され、第４ピッチ離れた第３層導体及び第４層導体から延びた先端同士８８ｂ、７８ｂが接合されている。 - 特許庁

This spacer 10 is provided with a tensile strength body 15 arranged in its central part, a first precoat layer 16, a second precoat layer 17 and a third precoat layer 18 provided respectively in an outer circumference of the tensile strength body 15, and a spacer main body coating 20 provided in an outer circumference of the third layer 18.例文帳に追加

スペーサ１０は、中央に配置された抗張力体１５と、抗張力体１５の外周に設けられた第一予備被覆層１６，第二予備被覆層１７，第三予備被覆層１８および第三予備被覆層１８の外周に設けられたスペーサ本体被覆２０とを備えている。 - 特許庁

In this case, the third insulating layer 128 for gap-fill is formed on the upper part of the semiconductor substrate 100 including the second insulating layer 126, and preferably the third insulating layer 128 is formed by an HDP (high density plasma) oxide layer with high gap-fill characteristic by using an HDP procedure.例文帳に追加

その場合に、第２絶縁膜１２６を含む半導体基板１００の上部には、ギャップフィルのための第３絶縁膜１２８が形成され、好ましくは第３絶縁膜１２８は高密度プラズマ方式(ＨＤＰ)を用いて埋め込み特性のよいＨＤＰ酸化膜で形成する。 - 特許庁

When the die 10 for forging is used, the release material, lubricant or the like pass through the pores of the third layer 20 having a relative density higher than that of the second layer 18 and also set to the value equal to or lower than that of the first layer 16, and is exuded to the surface of the third layer 20.例文帳に追加

この離型材や潤滑材等は、鍛造用金型１０が使用される際、相対密度が第２層１８に比して大きく、且つ第１層１６の相対密度以下に設定された第３層２０の気孔を経由して該第３層２０の表面に滲出する。 - 特許庁

The optical sensor is constituted by at least a first semiconductor layer 2 provided on the surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 acting as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, a first protective layer 5 provided on the rear surface of the semiconductor substrate 1, and a second protective layer 6 so provided as to cover the first protective layer.例文帳に追加

光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。 - 特許庁

On a p-type substrate 100, a p-type anode layer 102 as a first semiconductor layer, an n-type gate layer 104 as a second semiconductor layer, a non-doped semiconductor layer 105, a p-type gate layer 106 as a third semiconductor layer, and an n-type cathode layer 108 as a fourth semiconductor layer are formed in order, and a cathode electrode 110 and a gate electrode 112 are further formed.例文帳に追加

ｐ型基板１００上に、順次、第１半導体層としてｐ型アノード層１０２、第２半導体層としてｎ型ゲート層１０４、ノンドープ半導体層１０５、第３半導体層としてｐ型ゲート層１０６、第４半導体層としてｎ型カソード層１０８が形成され、さらにカソード電極１１０とゲート電極１１２が形成される。 - 特許庁

Further, second polycrystalline semiconductor layers 122 and 124 and third polycrystalline semiconductor layer 126 are selectively grown on the portion of the p-type polycrystalline semiconductor film 106 exposed in the lower surface of the visor section without contacting the silicon nitride film 108, while the second semiconductor layers 112 and 114 and the third semiconductor layer 116 are grown, so that the third semiconductor layer is in contact with the third polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

さらに第二の半導体層１１２、１１４、第三の半導体層１１６を成長させつつ、庇部の下面に露出したｐ型多結晶シリコン膜１０６の下方に第二の多結晶半導体層１２２、１２４、第三の多結晶半導体層１２６を、シリコン窒化膜１０８に接触しないように選択的に成長させ、第三の半導体層と、第三の多結晶半導体層を接触させる。 - 特許庁

A polysilicon emitter layer 30 is provided on the central part of the layer 21 and a third insulating layer 42, a first sidewall 24, a P+ regrowth Si layer 25 and a fourth insulating layer 26 are provided in such a way as to encircle the layer 30.例文帳に追加

Ｓｉ_1-____x Ｇｅ_x ／Ｓｉ層２１の中央部の上には、ポリシリコンエミッタ層３０が設けられ、ポリシリコンエミッタ層３０を取り囲むように、第３の絶縁層４２と、第１のサイドウォール２４と、再成長Ｐ^+ Ｓｉ層２５と、第４の絶縁層２６とが設けられている。 - 特許庁

The exposed face of the layer 13 may be covered with a second corrosion-resistant electrical insulating layer, and a third electrical insulating layer composed of a highly insulating layer may be arranged between the layer 13 and a metal insulating-layer support plate 11.例文帳に追加

また、電気絶縁層の露出面を耐蝕性ある第２の電気絶縁層で被覆してもよく、更には第１絶縁層１３と金属製の絶縁層支持板１１との間にも高絶縁性材料からなる第３の電気絶縁層を配することもできる。 - 特許庁

The film composite is obtained by successively laminating a first layer comprising a transparent polyurethane film layer with a thickness of 50-300 μm, a second layer comprising a colored printing layer with a thickness of 5-40 μm, and a third layer comprising a pressure-sensitive adhesive layer with a thickness of 10-100 μm.例文帳に追加

フィルム複合体であって、第１層として厚さ５０〜３００μｍの透明なポリウレタンフィルム層を有し、第２層として厚さ５〜４０μｍの着色印刷層を有し、第３層として厚さ１０〜１００μｍの粘着剤層を順次積層して成る。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

The first magnetization controlling layer 75 includes a first ferromagnetic layer 76 exchange-coupled to the first antiferromagnetic layer 74, and a third ferromagnetic layer 78 antiferromagnetically exchange-coupled to the first ferromagnetic layer 76 through a nonmagnetic middle layer 77.例文帳に追加

第１の磁化制御層７５は、第１の反強磁性層７４と交換結合する第１の強磁性層７６と、非磁性中間層７７を介して第１の強磁性層７６と反強磁性的に交換結合する第３の強磁性層７８を含んでいる。 - 特許庁

A first conductor layer 20, a first insulator layer 21, and a second conductor layer 22 are printed on the surface of a second insulator layer 23 as a base material of a flexible substrate 15, and a third conductor layer 24 is printed on the rear surface of the second insulator layer 23.例文帳に追加

フレキシブル基板１５のベース材である第２絶縁体層２３の表面に第１導電体層２０、第１絶縁体層２１、及び第２導電体層２２をプリントし、第２絶縁体層２３の裏面に第３導電体層２４をプリントする。 - 特許庁

The thin film magnetic head is further provided with a non-magnetic layer 15 contacting to a plane of an opposite side to the gap layer 9 of the magnetic pole portion layer 14A, and a third magnetic layer 16 being adjacent to a plane of an opposite side to the magnetic pole portion layer 14A of this non-magnetic layer 15.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、更に、磁極部分層１４Ａのギャップ層９とは反対側の面に接する非磁性層１５と、この非磁性層１５の磁極部分層１４Ａとは反対側の面に隣接する第３の磁性層１６とを備えている。 - 特許庁

The first quantum well layer 11 is formed by being sandwiched between a first energy barrier layer 13 and a second energy barrier layer 14 and the second quantum well layer 12 is formed by being sandwiched between the second energy barrier layer 14 and a third energy barrier layer 15.例文帳に追加

第１の量子井戸層１１を第１のエネルギー障壁層１３と第２のエネルギー障壁層１４とにより挟んで形成し、第２の量子井戸層１２を第２のエネルギー障壁層１４と第３のエネルギー障壁層１５とにより挟んで形成する。 - 特許庁

By using this member, surfaces of the projective electrode group is made to oppose with a third metal layer 1' of a separately prepared three layer foil and the surfaces of the projective electrode group are pressurized to contact with the surface of the third metal layer 1' through a thermosetting resin.例文帳に追加

この部材を用いて、この部材の突起群の表面を、別途準備した３層箔の第３金属層１’と対向せしめ、熱硬化可能な樹脂を介して、突起群の表面を第３金属層１’表面と加圧接触させる。 - 特許庁

The continuous channel 54 has a plurality of cycle segments, each of the cycle segments comprises a first portion 58 disposed within the first layer 18, a second portion 62 disposed within the third layer 22, and a third portion 66 disposed within the second layer 20.例文帳に追加

連続チャネル５４は、複数のサイクル区間を有し、各サイクル区間は、第１の層１８内に配置された第１の区間５８と、第３の層２２内に配置された第２の区間６２と、第２の層２０内に配置された第３の区間６６とを含む。 - 特許庁

First conductor wires 121-127 are positioned on a plane whereon the second insulating layer 102 and the third insulating layer 103 come close to each other, and on a plane whereon the third insulating 103 and the fourth insulating layer 104 come close to each other.例文帳に追加

第１の導体配線１２１〜１２７は、第２番目の絶縁層１０２と第３番目の絶縁層１０３とが隣接する面、及び、第３番目の絶縁層１０３と第４番目の絶縁層１０４とが隣接する面に位置している。 - 特許庁

Also, in the vicinity of the first wiring layer 5, a through connecting portion comprising a third insulating layer 8 formed in the through hole 3 and formed on the inner-wall surface thereof, etc. , and comprising a third wiring layer 9 formed in a filling way inside the through hole 3 is formed.例文帳に追加

また第１の配線層５の近傍に、貫通孔３とその内壁面等に形成された第３の絶縁層８および貫通孔３内に充填・形成された第３の配線層９から成る貫通接続部が形成されている。 - 特許庁

Third through-holes 52 and 56 having a profile corresponding to a predetermined region are formed in the backside layer 50.例文帳に追加

裏面層５０には、所定領域に対応する形状の第３貫通孔５２、５６が形成されている。 - 特許庁

A picture signal of the entering radiation is outputted based on the signal outputted from the third layer.例文帳に追加

第３層から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する。 - 特許庁

A picture signal of the entering radiation is outputted based on the signal outputted from the third layer 213.例文帳に追加

第３層から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する。 - 特許庁

The diffusion layer 4 of the selective transistor is connected to a bit line or capacitor through a third contact C3.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層４は第３コンタクトＣ３を介してビット線あるいはキャパシタに接続される。 - 特許庁

Moreover, the first electrode 6 is connected electrically connected to a bonding pad BP of a third-layer wiring M3.例文帳に追加

そして、第１電極６は第３層配線Ｍ３のボンディングパッドＢＰに電気的に接続される。 - 特許庁

A third interconnection layer 234 is formed and connected electrically with a source pad 236 and a source bump 240.例文帳に追加

第３の相互接続層２３４が形成され、ソースパッド２３６、ソースバンプ２４０が電気的に接続される。 - 特許庁

On the basis of the signal output from the third layer, an image signal of an incident radiation is output.例文帳に追加

第３層から出力された信号に基づいて、入射した放射線の画像信号を出力する。 - 特許庁

The light incident from a surface comes into a photo diode through an opening without a third metal layer 525.例文帳に追加

表面から入射した光はメタル第３層５２５の無い開口部を通して、フォトダイオードに入る。 - 特許庁

In addition, a third mirror 130 is provided between the first mirror 110 and the active layer 160.例文帳に追加

また、第１のミラー１１０と活性層１６０との間には第３のミラー１３０が設けられている。 - 特許庁

The third layer 14 is 2,000±0.200 in refractive index (n3), and 139.2 nm in film thickness (d3).例文帳に追加

第３層１４は、屈折率（ｎ３）が２．０００±０．２００であり、膜厚（ｄ３）が１３９．２ｎｍである。 - 特許庁

A circuit board 1 comprises a metal layer 27 formed of a second metal and a third metal.例文帳に追加

また、回路基板１は、第２金属と第３金属とにより形成された金属層２７を有する。 - 特許庁

The composite interlayer includes a layer of plasticized polyvinyl butyral sandwiched between second and third polymeric layers.例文帳に追加

複合中間層は第２と第３のポリマー層の間に挟まれた可塑化ポリビニルブチラールの層を含む。 - 特許庁