「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The first adhesive layer 45, the second adhesive layer 46 and the third adhesive layer 47 each have wide width parts 451, 461, 471 and narrow width parts 452, 462, 472 which are continuous with each other.例文帳に追加

第１接着剤層４５、第２接着剤層４６および第３接着剤層４７はそれぞれ、幅広部４５１，４６１，４７１と幅狭部４５２，４６２，４７２とを連続して備える。 - 特許庁

Any of the upper second clad layer 8, diffraction grating 9, upper third clad layer 10, and contact layer 11 contains Ga and As, and etching is carried out using the same etchant.例文帳に追加

上部第２クラッド層８、回折格子９、上部第３クラッド層１０、及び、コンタクト層１１は、いずれもＧａ及びＡｓを含有しており、エッチングは、同一のエッチング液によって行われる。 - 特許庁

Further, the amount of discontinuity of the valance band of the second compound semiconductor layer is ≥0.1 eV with respect to the first compound semiconductor layer and third compound semiconductor layer.例文帳に追加

また、第２化合物半導体層の価電子帯の不連続量が、第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層に対して、０．１ｅＶ以上となるようにする。 - 特許庁

A third semiconductor layer 60 which includes an active layer made of AlGaInP or GaInP is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the composition modulation buffer layer 20.例文帳に追加

基板１０上に組成変調バッファ層２０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。 - 特許庁

In that protocol, the first layer may define transmission line, transmitters, and receivers for transmission, the second layer may define encoding and decoding, and the third layer may define a frame format of the data packet.例文帳に追加

このプロトコルにおいて、第１層は伝送のための伝送ライン、送信器及び受信器を定め、第２層はエンコード及びデコードを定め、第３層はデータパケットのフレーム形式を定め得る。 - 特許庁

In particular, as the gas seal layers 20, 41, the average flake diameter of a second seal layer 94, is established larger than the average flake diameter of a first seal layer 92 and a third seal layer 96.例文帳に追加

特に、ガスシール層２０、４１として、第２シール層９４の平均フレーク径を第１シール層９２及び第３フレーク層９６の平均フレーク径より大きく設定している。 - 特許庁

The spacer layer 24 has a first region 41; a second region 42; and a third region 43 shaped like a layer, and arranged in a direction crossing the face of each layer of the MR element.例文帳に追加

スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。 - 特許庁

An average diameter of the sintered metal fibers of the first layer 59a is 8μm, that of the second layer 59b is 4μm and that of the third layer 59c is 20μm to constitute the layers 59a-59c.例文帳に追加

第１層５９ａは８μｍ，第２層５９ｂは４μｍ，第３層５９ｃは２０μｍの平均径を有する金属繊維を焼結させて、各層５９ａ〜５９ｃを構成する。 - 特許庁

The capacitance Q is adjusted by reducing the area of the third metal layer inserted between the second metal layer and making the substrate smaller than that of a metal layer constituting the MIM capacitor.例文帳に追加

第２の金属層−基板間に入れる第３の金属層面積をＭＩＭ容量を構成する金属層の面積より小さくすることによって容量のＱ値を調整する。 - 特許庁

Oxygen partial pressure before first film formation in the fixed layer 5 and/or oxygen partial pressure before second film formation in the free layer 7 is lower than oxygen partial pressure before third film formation in the buffer layer 3.例文帳に追加

固定層５における第１成膜前酸素分圧及びフリー層７における第２成膜前酸素分圧の少なくとも一方は、バッファー層３の第３成膜前酸素分圧よりも低い。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 6 is provided so as to have a gap in a portion thereof on the third semiconductor layer 5, and has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the second semiconductor layer 4.例文帳に追加

第４半導体層６は、第３半導体層５の上において一部に隙間を有して設けられ、第２半導体層４の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。 - 特許庁

Furthermore, a third conductive layer consisting of an aluminum alloy not reacting on ITO is further provided on the second conductive layer, and the wiring or electrode is bonded, as a three-layer structure, to the ITO.例文帳に追加

さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 - 特許庁

An etching removal part 85 in a wafer comprises: a second layer 77 suited for dry etching; a first layer 75 and a third layer 79 formed on the upper and lower parts and suited for wet etching.例文帳に追加

ウエハにおけるエッチング除去部８５は、ドライエッチングに適した第２層７７と、その上下に形成されてウェットエッチングに適した第１層７５及び第３層７９とを含む。 - 特許庁

Then a third N^+ type diffusion layer 14 is made to grow by diffusion from the surface side of an N type epitaxial growth layer 13, and is joined to the second N^+ type embedded diffusion layer 12.例文帳に追加

この後、Ｎ型エピタキシャル成長層１３の表面側から第３のＮ^＋型拡散層１４を拡散成長させて、第２のＮ^＋型埋め込み拡散層１２と接合する。 - 特許庁

The columnar structures 7R and 7B arranged in a first layer and a third layer have comparatively large diameters, and the columnar structure 7G arranged in the second layer has comparatively a small diameter.例文帳に追加

第１層と第３層に配置されている柱状構造体７Ｒ，７Ｂは比較的大径であり、第２層に配置されている柱状構造体７Ｇは比較的小径である。 - 特許庁

The thickness of the second paste layer 32 and third paste layer 32 is of 1/10 of the thickness of the first paste layer 31 or smaller, and a viscosity of each paste layers is 10 to 100 Pa s.例文帳に追加

第２ペースト層３２及び第３ペースト層３３の厚さを、第１ペースト層３１の厚さの１／１０以下とし、各ペースト層の粘度の範囲は、１０〜１００Ｐａ・ｓとされる。 - 特許庁

Furthermore, the second layer 212(222) is constituted of a nonmagnetic material, and the first layer 211(221) and the third layer 213(223) are constituted of soft magnetic materials, each having a large permeability.例文帳に追加

さらに、第２層２１２（２２２）は非磁性材料から構成し、第１層２１１（２２１）および第３層２１３（２２３）はそれぞれ透磁率が大きな軟磁性材料から構成した。 - 特許庁

A D-type HEMT second gate electrode is provided on a third nondoped layer (AlGaAs layer) 43, and an E-type HEMT first gate electrode is provided on a first nondoped layer.例文帳に追加

第２ゲート電極をＰｔ埋め込みゲート構造とし、埋め込まれたＰｔの底部を第３ノンドープ層中に留まらせ、ＩｎＧａＰ層(第２ノンドープ層)にＰｔが達しないようにする。 - 特許庁

The n-side wiring layer has a second n-side wiring layer which is provided in a shape along the wiring surface of the first insulating layer and the third surface, and has an L-sectioned part.例文帳に追加

ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。 - 特許庁

In the third process, an electrolyte layer 1 is sandwiched between the air electrode reactive layer 13a and the hydrogen reactive layer 2a, and these are bonded together, thus obtaining the membrane electrode assembly 10.例文帳に追加

そして、第３工程において、空気極反応層１３ａと水素極反応層２ａとの間に電解質層１を挟んでこれらを接合して膜電極接合体１０を得る。 - 特許庁

In the third process, an electrolyte layer 1 is sandwiched between the air electrode reactive layer 3a and the hydrogen reactive layer 2a, and these are bonded together, thus obtaining the membrane electrode assembly 10.例文帳に追加

そして、第３工程において、空気極反応層３ａと水素極反応層２ａとの間に電解質層１を挟んでこれらを接合して膜電極接合体１０を得る。 - 特許庁

The basic cells BS1-BSn are connected to the macro-cells MS1 etc. via an M1 wiring on a second wiring layer and an M2 wiring of a third wiring layer formed on the first wiring layer.例文帳に追加

基本セルＢＳ１〜ＢＳｎとマクロセルＭＳ１等とは、第１の配線層の上に形成された第２の配線層のＭ１配線及び第３の配線層のＭ２配線で接続する。 - 特許庁

A gate electrode or gate wiring is configured as a laminate structure of three or more layers, and for example, a first conductive layer 106a/second conductive layer 106b/third conductive layer 106c are formed.例文帳に追加

ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。 - 特許庁

The resistor 5 is provided with: a first layer 7 having a second glass component; and a second layer 6 having a third glass component and the conductor components formed on the first layer 7.例文帳に追加

抵抗体５は、第２ガラス成分を有する第１層７と、該第１層７上に形成された、第３ガラス成分および導体成分を有する第２層６とを備えている。 - 特許庁

(f) A fourth group III nitride semiconductor layer 35 having a second conductive reverse to the first conductive layer is formed on the third group III nitride semiconductor layer 41.例文帳に追加

（ｆ）第３の３族窒化物半導体層４１上に、第１導電型とは逆導電型の第２導電型を有する第４の３族窒化物半導体層３５を形成する。 - 特許庁

For example, a lead-calcium alloy can be mentioned as the first layer, a calcium-rich lead-calcium alloy as the second layer, and pure lead or a lead-tin alloy as the third layer.例文帳に追加

例えば、第１の層としては鉛−カルシウム合金、第２の層としてはカルシウム含有量が多い鉛−カルシウム合金、第３の層としては純鉛、或いは鉛−スズ合金があげられる。 - 特許庁

Its first layer was Amitabha hall built by Shinden-zukuri architecture, the style of the nobility culture, the second layer was built in a style of housing (a popular belief says it is a Buke-zukuri architecture - architecture representative of a samurai's residence), and the third layer was built in the style of a Zen temple building of a Buddhist image in which a bone of Buddha was placed. 例文帳に追加

一層が公家風の寝殿造で阿弥陀堂、二層が住宅風（俗説では武家造）、三層が禅宗様の仏殿風で仏舎利を置いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is advantageous that the first adhesive layer and the second adhesive layer have ≥1×10^5 N/m^2 storage elastic modulus and the third adhesive layer has ≤3×10^4 N/m^2.例文帳に追加

第一の粘着層と第二の粘着層は貯蔵弾性率を１×１０^5Ｎ／m^2以上とし、第三の粘着層は貯蔵弾性率を３×１０^4Ｎ／m^2以下とするのが有利である。 - 特許庁

A layer 11 of a second refractive index is formed on a base material 10 of a first refractive index and a photoresist layer 12 of a third refractive index is formed on the layer 11 of the second refractive index.例文帳に追加

第１の屈折率の基材１０上に、第２の屈折率の層１１を形成し、第２の屈折率の層１１の上層に、第３の屈折率のフォトレジスト膜１２を形成する。 - 特許庁

Optionally, a third layer 7 manufactured from a polyvinylchloride-coated nylon mesh material can be positioned over the second layer 3 and the perimeters of first, second, third layers 2, 3 are secured together with overlapping tape 4.例文帳に追加

場合により、ポリ塩化ビニル被覆ナイロンメッシュ材料から製造された第３層７を第２層３の上に配置することができ、そして各層２、３の周囲はオーバーラッピングテープ４により共に固定されている。 - 特許庁

As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

A connecting portion between the electrode 1 near the electron emitter and the third conductive layer 7 is disposed off a line which passes a connecting portion between the third conductive layer 7 and the second conductive layers 5.例文帳に追加

ここで、電子放出部近傍電極１と第３の導体層７との接続部分と、第３の導体層７と第２の導体層５との接続部分の位置関係が、同一ライン上に存しないように配設する。 - 特許庁

When the potential at the third electrode 26 is set equal to or lower than the potential at the second electrode 20, the liquid crystal layer 13 acts as a convex lens; when the potential at the third electrode 26 is set higher than the potential at the second electrode 20, the liquid crystal layer 13 acts as a concave lens.例文帳に追加

液晶層１３は、第３の電極２６の電位を、第２の電極２０の電位以下にすることにより凸レンズ、第２の電極２０よりも高くすることにより凹レンズとして作用する。 - 特許庁

The fixing layer 12 has an insolubility relative to the dispersion medium, suppresses transferring of the dispersion medium to the fixing layer in the third step, and having a stickiness in at least the third step.例文帳に追加

定着層１２は、分散媒体に対する不溶性を有するとともに第３の工程において分散媒体の定着層への移行を抑制し、且つ少なくとも第３の工程において粘着性を有する。 - 特許庁

The treated tooth cloth 6 for this toothed belt 1 is composed of a first layer 9 comprising rubber impregnated in canvas, a second rubber layer 10 formed on the surface side of the first layer, and a third rubber layer 11 formed on the back side of the first layer, and adhered to a belt main body rubber layer 3.例文帳に追加

歯付ベルト１の処理歯布６がゴムを原帆布に含浸させた第１層９と、第１層の表面側に形成された第２ゴム層１０と、該第１層の裏面側に形成され前記ベルト本体ゴム層３に接着される第３ゴム層１１とで構成される。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate is subjected to texture processing and the seed layer is formed by sequentially layering a first seed layer comprising Cr and Ti, a second seed layer comprising Ni and Cr and a third seed layer comprising Ni and Nb.例文帳に追加

ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板にテクスチャ加工を施し、シード層は、ＣｒとＴｉからなる第１シード層、ＮｉとＣｒからなる第２シード層、ＮｉとＮｂからなる第３シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

A luminescent thyristor L includes a distribution Bragg reflection layer 81 and a semiconductor layer 60 (a structure of a p-type first semiconductor layer 82, an n-type second semiconductor layer 83, a p-type third semiconductor layer 84, and an n-type fourth semiconductor layer 85 laminated in sequence) on a p-type substrate 80.例文帳に追加

発光サイリスタＬは、ｐ型の基板８０上に、分布ブラッグ反射層８１と半導体層６０（ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層された構造）とを備えている。 - 特許庁

Here, a p-type first layer and an n-type sixth layer on both ends as well as a p-type third layer and an n-type fourth layer in the center are provided with an electrode, with an pn layer given a light-emitting diode function while a pnpn 4-layer a thyristor function.例文帳に追加

ｐｎｐｎｐｎ６層半導体構造の発光素子を構成し、両端のｐ型第１層とｎ型第６層、および中央のｐ型第３層およびｎ型第４層に電極を設け、ｐｎ層に発光ダイオード機能を担わせ、ｐｎｐｎ４層にサイリスタ機能を担わせる。 - 特許庁

A connection structure between transmission line layers 100 is composed of a second conductor layer 5B, a second dielectric layer 1B, a second ground conductor layer 2B, a third dielectric layer 1C, a first ground conductor layer 2A, a first dielectric layer 1A, and a first conductor 3A, which are all laminated.例文帳に追加

伝送線路層間接続構造１００は、第２の導体層５Ｂ、第２の誘電体層１Ｂ、第２の地導体層２Ｂ、第３の誘電体層１Ｃ、第１の地導体層２Ａ、第１の誘電体層１Ａ、第１の導体層３Ａが積層されて構成される。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises: a semiconductor element 3 mounted on a lead frame 2; a first heat transfer layer 4 provided in the semiconductor element 3; a second heat transfer layer 5 connecting with the first heat transfer layer 4; a third heat transfer layer 6 connecting with the second heat transfer layer 5; and a resin layer 7.例文帳に追加

半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。 - 特許庁

The magnetic recording head includes: a main magnetic pole; and a spin torque oscillator which has an oscillation layer including a first magnetic layer and a second magnetic layer, and a third magnetic layer that is provided in the second magnetic layer side and injects a spin into the oscillation layer, and is provided adjacent to the main magnetic pole.例文帳に追加

実施形態によれば、磁気記録ヘッドは、主磁極と、第１磁性層および第２磁性層を含む発振層と、前記第２磁性層側に設けられ前記発振層にスピンを注入する第３磁性層とを有し、前記主磁極に隣接して設けられたスピントルク発振子とを備える。 - 特許庁

The semiconductor substrate further includes a third insulating layer that extends from a surface of the first semiconductor layer to the first insulating film and electrically isolates a portion of the first semiconductor layer between the first insulating layer and the second insulating layer with the rest of the first semiconductor layer.例文帳に追加

さらに、前記第１半導体層の表面から前記第１絶縁膜に至る深さに延設され、前記第１半導体層における前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間の部分と、前記第１半導体層の残りの部分と、を電気的に分離した第３絶縁層を備える。 - 特許庁

A wiring board 1 includes a first glass ceramic layer 11, a second glass ceramic layer 12 laminated on the first glass ceramic layer 11, a conductor pattern 13 formed between the first glass ceramic layer 11 and the second glass ceramic layer 12, and a third glass ceramic layer 14 covering the conductor pattern 13.例文帳に追加

配線基板１は、第１ガラスセラミック層１１と、第１ガラスセラミック層１１に積層された第２ガラスセラミック層１２と、第１ガラスセラミック層１１と第２ガラスセラミック層１２との間に形成された導体パターン１３と、導体パターン１３を覆っている第３ガラスセラミック層１４とを含んでいる。 - 特許庁

A third circuit is formed in the area of the glass substrate to which the transparent conductive layer is not applied in the plating technology, and the third circuit is electrically connected to the second circuit.例文帳に追加

透明導電層を塗布しないガラス基板のエリアに、さらに、めっきの技術で第三の回路を形成し、第三の回路は電気的に第二の回路に結び合う。 - 特許庁