「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Metals 332, 333 supplying p-well voltage VSSB are provided on a third metal wiring layer.例文帳に追加

第３の金属配線層にＰウェル電圧ＶＳＳＢを供給するメタル３３２，３３３を設ける。 - 特許庁

Similarly, second and third mask layers 16, 20 are formed sequentially on the first mask layer 12.例文帳に追加

同様にして第１マスク層１２の上に、第２マスク層１６、第３マスク２０を積層する。 - 特許庁

A third electrode layer is settled and patterned in the flattened structure and on the exposed surface.例文帳に追加

第三電極層は、第三層の平面化構造と露出表面に沈着されてパターン化される。 - 特許庁

A second insulation layer 124 is formed and a first opening 126 is formed by a third mask step.例文帳に追加

第２絶縁層１２４が形成され、第１開口部１２６が第３マスク工程で形成される。 - 特許庁

The third connection conductive layer is connected to external connection terminals provided on the wiring patterns.例文帳に追加

第３接続導電層は、配線パターン上に配設された外部接続端子と接続される。 - 特許庁

First-third capacitors C1-C3 include a capacitor layer 211 and non-capacitor layers 212-214.例文帳に追加

第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、キャパシタ層２１１と、非キャパシタ層２１２〜２１４とを含んでいる。 - 特許庁

First to third capacitors C1 to C3 include a capacitive layer 210 and non-capacitive layers 211.例文帳に追加

第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、キャパシタ層２１０と、非キャパシタ層２１１とを含んでいる。 - 特許庁

A layer insulating film 9 is formed and a contact hole 10 is formed by the third photoengraving process.例文帳に追加

層間絶縁膜９を成膜し第３の写真製版工程でコンタクトホール１０を形成する。 - 特許庁

A tunnel junction part includes a first, a second, and a third layer made of materials selected from InP system materials.例文帳に追加

トンネル接合部は、InP系材料のうちの材料からなる第1、第2及び第3の層を含む。 - 特許庁

For the inductor of the third layer, a coil winding overstrides a connection wiring 74 with an air bridge structure.例文帳に追加

３層目のインダクタは、コイル巻線が接続配線７４上をエアーブリッジ構造で跨いでいる。 - 特許庁

The clad layer 4 is formed by sequentially laminating a first clad layer 4A, a second clad layer 4B and a third clad layer 4C on the optical guide layer, and a periodic uneven plane is formed on a surface of the first clad layer 4A to form a diffraction grating.例文帳に追加

クラッド層４は、第１クラッド層４Ａ、第２クラッド層４Ｂ、及び第３クラッド層４Ｃを光ガイド層上に順次積層してなり、第１クラッド層４Ａの表面は周期的な凹凸面を有しており、回折格子が形成されている。 - 特許庁

The antireflection film 100 has a three-layer composition comprising: a substrate 110; a first layer 101 laminated on the substrate 110; a second layer 102 laminated on the first layer 101; and a third layer 103 laminated on the second layer 102.例文帳に追加

反射防止膜１００は、基板１１０と、基板１１０上に積層された第１層１０１と、第１層１０１上に積層された第２層１０２と、第２層１０２上に積層された第３層１０３と、による３層構成になっている。 - 特許庁

Here, a three-layer metal structure is employed, the bit lines BL0-BL5 are formed with a first metal layer, the word lines WL0-WL2 and the source lines SL1-SL3 are formed with a second metal layer of its upper layer, and the power line 18A is formed with a third metal layer of its upper layer.例文帳に追加

ここで、３層メタル構造が採用され、ビット線ＢＬ0〜ＢＬ5は第１メタル層で、ワード線ＷＬ0〜ＷＬ2及びソース線ＳＬ1〜ＳＬ3は、その上層の第２メタル層で、電源線１８Ａはその上層の第３メタル層で形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has a three-layer structure for an insulating layer 23 located below a gate electrode 22, the three-layer structure of a thermally-oxidized film 231 (a first layer), an NSG film 232 (a second layer), and a PSG film 233 (a third layer) in order from a wall surface side of a trench.例文帳に追加

半導体装置１００は，ゲート電極２２の下に位置する絶縁層２３を，トレンチの壁面側から順に，熱酸化膜２３１（１層目），ＮＳＧ膜２３２（２層目），ＰＳＧ膜２３３（３層目）の３層構造をなしている。 - 特許庁

A flip-flop is constituted of two gate-to-gate electrode layers situated in the first-layer conductive layer, drain-to-drain connection layers 31a, 31b situated in the second-layer conductive layer and drain-to-gate connection layers 41a, 41b situated in the third-layer conductive layer.例文帳に追加

フリップフロップは、第１層導電層に位置する二つのゲート-ゲート電極層、第２層導電層に位置するドレイン-ドレイン接続層３１ａ、３１ｂ、第３層導電層に位置するドレイン-ゲート接続層４１ａ、４１ｂにより構成される。 - 特許庁

A photoelectric conversion element (an MIS type PD section) and a switch TFT section are laminated in the order of a first electrode layer of the same member, an insulating layer 305, a semiconductor layer 306, an ohmic contact layer 307, a second electrode layer, and a third electrode layer.例文帳に追加

光電変換素子（ＭＩＳ型ＰＤ部）及びスイッチＴＦＴ部を、夫々同一部材の第１の電極層、絶縁層３０５、半導体層３０６、オーミックコンタクト層３０７、第２の電極層、第３の電極層の順で積層する。 - 特許庁

A first luminous region formed by the first organic luminous layer, a second luminous region formed by the second organic luminous layer, and a third luminous region formed by the third organic luminous layer are located mutually shifted from each other.例文帳に追加

第１有機発光層が形成する第１発光領域と、前記第２有機発光層が形成する第２発光領域および前記第３有機発光層が形成する第３発光領域とは、互いにずれて位置している。 - 特許庁

In the adsorption heat exchanger 20, a first adsorption layer 36 is formed on the fin 30 of the first row part 21, a second adsorption layer 37 is formed on the fin 30 of the second row part 22, and a third adsorption layer 38 is formed on the fin 30 of the third row part 23.例文帳に追加

吸着熱交換器（20）では、第１列部分（21）のフィン（30）上に第１吸着層（36）が、第２列部分（22）のフィン（30）上に第２吸着層（37）が、第３列部分（23）のフィン（30）上に第３吸着層（38）がそれぞれ形成される。 - 特許庁

The silver halide photosensitive material includes a support and a first intermediate layer containing a chelating agent, a blue-sensitive silver halide emulsion layer, a second intermediate layer, a red-sensitive silver halide emulsion layer, a third intermediate layer, a green-sensitive silver halide emulsion layer and a protective layer laid in this order from the support side.例文帳に追加

支持体と、該支持体に近い方から、順に、キレート化剤を含有する第一中間層、青感性ハロゲン化銀乳剤層、第二中間層、赤感性ハロゲン化銀乳剤層、第三中間層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層および保護層とを有するハロゲン化銀感光材料。 - 特許庁

The third insulating layer and the electrically conductive layer are etched at nearly the same etching rate until the second insulating layer formed on the first insulating layer or the first insulating layer is exposed to make the electrically conductive layer remain in the region where the semiconductor layer is thinned, thereby the gate electrode is formed.例文帳に追加

第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層、又は第１の絶縁層が露出するまで、第３の絶縁層と導電層を略同じエッチング速度でエッチングすることにより、半導体層の薄膜化した領域に導電層を残存させてゲート電極を形成する。 - 特許庁

A magneto-optical medium is provided with a substrate 50, a first dielectric layer 130, a first magneto-optical data layer 132, a second dielectric layer 134, a transmitting member 78, a third dielectric layer 140, a second magneto-optical data layer 142, a fourth dielectric layer 144, and a reflection layer 146.例文帳に追加

光磁気媒体は、基板５０と、第１の誘電体層１３０と、第１の光磁気データ層１３２と、第２の誘電体層１３４と、透光部材７８と、第３の誘電体層１４０と、第２の光磁気データ層１４２と、第４の誘電体層１４４と、反射層１４６とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element according to an embodiment comprises a first semiconductor layer of a first conductivity type, a first electrode layer, a luminescent layer, a second semiconductor layer of a second conductivity type, a third semiconductor layer of the second conductivity type and a second electrode layer connected to the first semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第２半導体層と、第２導電形の第３半導体層と、第１半導体層に接続される第２電極層と、を備える。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate has a textured surface and the seed layer is formed by sequentially layering a CrN first seed layer, a NiTi second seed layer, a CrN third seed layer and a NiTiN fourth seed layer.例文帳に追加

ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板はテクスチャ加工が施され、シード層は、ＣｒＮ第１シード層、ＮｉＴｉ第２シード層、ＣｒＮ第３シード層、ＮｉＴｉＮ第４シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

The flexible multilayered film consists of at least one thermoplastic polyurethane first layer, at least one thermoplastic elastomer second layer and a thermoplastic polyurethane third layer present on occasion and a ratio of the steam permeability of the first layer and that of the second layer is at least 2 and, when the third layer is present, the first and third layers confine the second layer.例文帳に追加

少なくとも１枚の熱可塑性ポリウレタンの第１の層、少なくとも１枚の熱可塑性エラストマーの第２の層、および随時存在する熱可塑性ポリウレタンの第３の層から成り、ここで該第１の層の水蒸気透過度対該第２の層の水蒸気透過度の比が少なくとも２であり、該随時存在する第３の層が存在する場合、該第１の層および該第３の層は互いに該第２の層を閉じ込めていることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁

The moving body (30) comprises successively constituting a first layer (32), a second layer (33), and a third layer (34) on a movable body substrate (31) in a laminated structure.例文帳に追加

本発明の移動体（３０）は、移動体基層（３１）上に、第１の層（３２）、第２の層（３３）、第３の層（３４）を順に積層構造を成して構成している。 - 特許庁

The wiring board 101 comprises a second insulating layer 114, a third conductor layer 123 formed on the surface thereof, and a solder resist layer 115 formed thereon.例文帳に追加

配線基板１０１は、第２絶縁層１１４と、この表面に形成された第３導体層１２３と、これらの上に積層されたソルダーレジスト層１１５とを備える。 - 特許庁

A third semiconductor layer 60 which includes an active layer made of AlGaInP or GaInP is formed on the substrate 10 so as to be arranged in parallel with the second semiconductor layer 50.例文帳に追加

基板１０上に第２の半導体層５０と並置して、ＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰからなる活性層を含む第３の半導体層６０が形成されている。 - 特許庁

Then, a second seed layer 6 is formed on the barrier metal layer 5 by supplying a third metal or a compound containing the metal onto the barrier metal layer 5.例文帳に追加

続いて、バリアメタル層５上に第３の金属又は該金属を含む化合物を供給することにより、バリアメタル層５上に第２のシード層６を形成する。 - 特許庁

Pads are formed by a first-layer pad 5, a second-layer pad 9, and a third-layer pad 13 made of a metal material formed within the substrate recess 1a.例文帳に追加

パッドは、基板凹部１ａ内に形成された金属材料からなる第１層目パッド５、第２層目パッド９及び第３層目パッド１３によって形成されている。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board 10 is composed by piling up and disposing at least a first insulating layer 11, a second insulating layer 12 and a third insulating layer 13 in the order.例文帳に追加

多層プリント配線板１０は少なくとも第一の絶縁層１１、第二の絶縁層１２、および第三の絶縁層１３が順に重ねて配されてなる。 - 特許庁

Moreover, a semiconductor layer 7 is formed so that the layer 7 may come into contact with the surfaces of the second and third electrodes 5 and 6 and both side faces of the projecting section of the insulating layer 4.例文帳に追加

第２の電極の表面と、第３の電極６の表面と、絶縁層４の凸部の両側面とに接するように、半導体層７を形成する。 - 特許庁

In the coupling process, the third insulating layer includes a platform portion that extends beyond the first insulating layer and the second insulating layer, and the platform portion has an upper surface.例文帳に追加

連結する工程において、第３の絶縁層は、第１の絶縁層および第２の絶縁層を越えて延在するプラットフォーム部を備え、そのプラットフォーム部は上面を有する。 - 特許庁

In the forming die for an optical element, a first layer 3 of chromium, a second layer 4 of chromium nitride, and third layer 5 of chromium oxide or/and chromium oxynitride are successively laminated on a forming surface 2a of a die base material 2.例文帳に追加

型母材２の成形面２ａに、第１層のクロム層２、第２層の窒化クロム層３、第３層の酸化クロム層または／及び酸窒化クロム層４を形成する。 - 特許庁

The connection includes 1-2 layer connection to second layer printed wiring from the surface and 1-3 layer connection to a third printed wiring from the surface.例文帳に追加

接続は、表面から数えて２層目のプリント配線に対する１−２層接続と、表面から数えて３層目のプリント配線に対する１−３層接続である。 - 特許庁

The intermediate layer 102 contains filler to have third density being intermediate density between the first density in the uppermost layer 101 and the second density in the bottom face layer 103.例文帳に追加

中間層（１０２）は、最上層（１０１）の第１の密度と、底面層（１０３）の第２の密度の中間の第３の密度を有するようにフィラーを含有する。 - 特許庁

Further, a second metal layer is formed on the surfaces of the semiconductor layer and the first insulation layer, and a third MPE is carried out to form a source structure and a drain structure on both the sides of the ES.例文帳に追加

また該ESと、半導体層と第1絶縁層の表面に第2金属層を形成して第3MPEを行い該ESの両側にソース構造とドレイン構造とを形成する。 - 特許庁

A substitute 50 is formed from a first layer 1 consisting of monocrystal silicon, a second layer 2 consisting of SiO2, and a third layer 3 consisting of monocrystal silicon, which are laminated one over another.例文帳に追加

単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、単結晶シリコンから成る第３層３とを順次に積層した基板５０を準備する。 - 特許庁

In a crotch area 8 of the diaper 1, the first absorption layer 21 and the third absorption layer 22 have the same width and the second absorption layer 23 has a width which is 1/3 to 2/3 of the above width.例文帳に追加

おむつ１の股下域８において、第１，第３吸収層２１，２２は同じ幅を有し、第２吸収層２３がそれらの幅の１／３〜２／３の幅を有する。 - 特許庁

The second ferromagnetic layer 74 is ferromagnetically exchange-coupled with the first ferromagnetic layer 76 and antiferromagnetically exchange-coupled with the third ferromagnetic layer 70.例文帳に追加

第２強磁性層７４は、第１強磁性層７６と強磁性的に交換結合すると共に、第３強磁性層７０と反強磁性的に交換結合している。 - 特許庁

An electrode 12 can be embedded at the inside of the layer 13, and it can be fixed and bonded to the rear surface of the second insulating layer or to the surface of the third insulating layer.例文帳に追加

また、電極１２は第１絶縁層１３の内部に埋設することもできるが、第２絶縁層の下面又は第３絶縁層の上面に固着することもできる。 - 特許庁

The insulating layer has a 3-10 nm thickness and the non-magnetic conductive particles having an average particle size, preferably, of one third to one half of the thickness of the insulating layer are dispersed in this layer.例文帳に追加

この場合、絶縁体層の厚さが3〜10nmであり、粒径が絶縁体層厚さの1／3から1／2までである非磁性導電体粒子の分散した絶縁体層である素子。 - 特許庁

Moreover, a third semiconductor layer 105, which has an electron affinity more weaker than that of the layer 104, is inserted in the vicinity of the gate electrode on the layer 104.例文帳に追加

さらに、第２の半導体層より電子親和力がさらに小さい第３の半導体層１０５を第２の半導体層のゲート電極近傍に挿入する。 - 特許庁

The first layer and the third layer consist of an FeMn alloy having a γ-phase, and the second layer 522 consists of an IrMn alloy having a γ-phase.例文帳に追加

第１層および第３層は、γ相を有するＦｅＭｎ合金によって構成され、第２層５２２は、γ相を有するＩｒＭｎ合金によって構成されている。 - 特許庁

The sacrificial substance is partially removed, whereby the first electrode layer, the structure and the third electrode layer freely move correlatively with the second electrode layer.例文帳に追加

犠牲物質は部分的に除去されて、それによって第一電極層と、構造と、及び第三電極層は、第二電極層に相関して共に自由に移動する。 - 特許庁

By forming an opening 22 through the third metal layer 2 and a barrier metal layer 1, 1 above and below the metal layer, the convexoconcave surface is formed on this bonding pad surface.例文帳に追加

その３層目のメタル層２とその上下のバリアメタル層１，１に開口２２が形成されることにより、このボンディングパッド表面に凹凸が形成されている。 - 特許庁