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third layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2440件
When Tc1, Tc2 and Tc3 each represent Curie temperatures of the first magnetic layer 1, the second magnetic layer and the third magnetic layer, respectively; the following equation is satisfied: Tc2<Tc1<Tc3.例文帳に追加
第1磁性層1,第2磁性層,第3磁性層のキュリー温度をそれぞれTc1,Tc2,Tc3としたとき、Tc2<Tc1<Tc3なる関係が成立する。 - 特許庁
A first insulation layer 21 made of SiO_2, a second insulation layer 22 made of SiN, and a third insulation layer 23 made of SiN, are stacked in sequence from the side of a substrate to form a gate insulation film of stacking structure.例文帳に追加
積層構造のゲート絶縁膜を基板側から順次、SiO_2の第1絶縁層21、SiNの第2絶縁層22、SiNの第3絶縁層23とする。 - 特許庁
The negative electrode plate contains a conductive supporter 10, and a first layer 11, a second layer 12, and a third layer 13 in order from the supporter 10 side on the surface of the supporter 10.例文帳に追加
導電性の支持体10と、支持体10の表面に、支持体10側から順に積層された第1、第2および第3の層11、12および13とを含む。 - 特許庁
Finally, when the mask is at a third temperature (T3) higher than the second temperature (T2), a third layer is deposited through an opening 7c of a mask 6c.例文帳に追加
最後に、マスクが前記第2の温度(T2)より高い第3の温度(T3)の時、マスク6cの開口7cを介して第3の層が堆積される。 - 特許庁
The second organic electroluminescent diode comprises the second electrode, a third electrode, and a second organic light emitting layer disposed between the second and third electrodes.例文帳に追加
第2有機電界発光ダイオードは第2電極、第3電極及び第2電極と第3電極間に位置する第2有機発光層を具備する。 - 特許庁
A third interlayer insulation film 13 provided with a via hole 12 is formed on a second interlayer insulation film 9 to cover a third wiring layer 11.例文帳に追加
第2層間絶縁膜9上には、ビアホール12を有する第3層間絶縁膜13が第3配線層11を被覆して形成されている。 - 特許庁
The modulus of longitudinal elasticity is the highest at the front side stopper part 10, and the lowest at the third layer 23, the lowest layer of the backside stopper part 20.例文帳に追加
縦弾性係数は、前側ストッパ部10が最もが高く、後側ストッパ部20の最下層である第3層23が最も低い。 - 特許庁
The magnetization direction 53 in the magnetization fixed layer of the third MR element is the same as the magnetization direction 51 in the magnetization fixed layer of the first MR element.例文帳に追加
第3のMR素子の磁化固定層の磁化53が、第1のMR素子の磁化固定層の磁化方向51と同じである。 - 特許庁
Then, a fourth epitaxial layer to serve as a (p) base region is deposited as a top-side element structure on a surface of the third epitaxial layer.例文帳に追加
ついで、第3エピタキシャル層の表面に、おもて面素子構造として、pベース領域となる第4エピタキシャル層を堆積する。 - 特許庁
The multi-layer electric probe 200 may further include at least a third strip layer having a withstand current capability and desired mechanical strength.例文帳に追加
多層電気プローブ200は少なくとも、耐電流能力および所望の機械強度を有する第3ストリップ層をさらに含んでよい。 - 特許庁
Next, in the fourth step, a second insulating resin layer 5 is arranged covering the first insulating resin layer 4 arranged in the third step.例文帳に追加
次に、第4の工程では、第3の工程で覆設された第1絶縁樹脂層4上に第2絶縁樹脂層5が覆設される。 - 特許庁
As its layered structure, there is a third layer of a conductive material fitted on a second layer capable of making an electric contact.例文帳に追加
その層構造には、電気的接触を行うことができる第2の層上に設けられた導電性材料の第3の層がある。 - 特許庁
In a fuel vessel obtained by jointing the multi-layered structure as a member of vessel, the third layer is the innermost layer.例文帳に追加
容器部材として接合することにより得られる燃料容器であって、該第3の層が最内層に設けられている燃料容器。 - 特許庁
In a third processing step, a part of the photoresist layer 9 is removed by development such that an initial surface pattern having sacrificial layer regions 25 is obtained.例文帳に追加
第3処理ステップにて、フォトレジスト層9の一部を現像除去し、犠牲層領域25を有する初期表面パターンを得る。 - 特許庁
Also, a front surface 1a of the first transparent resin layer 1 and a rear surface 5b of the third transparent resin layer 5 are subjected respectively to weather-resistant treatments.例文帳に追加
また、第一透明樹脂層1の表て面1a及び第三透明樹脂層5の裏面5bに耐候性処理が施されている。 - 特許庁
The third layer 83 employs the same PITCH-based carbon sheet as the first layer 81 for preventing the warpage of the transmission plate 27.例文帳に追加
第3層83は、透過板27の反りを防止するために、第1層81と同じPITCH系カーボンシートが使用されている。 - 特許庁
- It lives in Kanbira Castle in the size of 8000 yojana in height and width in Shunaba located 21000 yojana in the third-layer below the second-layer. 例文帳に追加
-第2層の下の第3層、さらに21000由旬の修那婆(しゅなば)という地で、頷(正字は金+含)毘羅城(かんびら)に住み、縦横8000由旬。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The third conductive layer contacts the first primary surface, and has a higher reflectance for the emission light than that of the second conductive layer.例文帳に追加
第3導電層は、第1主面に接し、発光光に対する第2導電層の反射率よりも高い反射率を有する。 - 特許庁
After the third process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the fourth process).例文帳に追加
第3工程後、1200℃以上n^-エピタキシャル層2の融点以下の温度でn^-エピタキシャル層2をアニールする(第4工程)。 - 特許庁
A third insulating layer 43 is formed on the second insulating layer 42 to cover the wiring pattern W2 and the ground pattern G1.例文帳に追加
第2の絶縁層42上に配線パターンW2およびグランドパターンG1を覆うように第3の絶縁層43が形成される。 - 特許庁
The ratio of the thickness of the second inorganic layer 162A to the thickness of the first inorganic layer 161A is different from the ratio of the thickness of the fourth inorganic layer 222A to the thickness of the third inorganic layer 221A.例文帳に追加
第1の無機層161Aの厚みに対する第2の無機層162Aの厚みの比率が、第3の無機層221Aの厚みに対する第4の無機層222Aの厚みの比率と、異なっている。 - 特許庁
The second diffusion layer 26 is formed in the first diffusion layer 25 wherein the first and second diffusion layers 25 and 26, the third diffusion layer 8 and the fourth diffusion layer 10 are spaced apart from each other.例文帳に追加
第2拡散層26は第1拡散層25中に形成されており、第1および第2拡散層25,26、第3拡散層8、および第4拡散層10は、互いに離隔して形成されている。 - 特許庁
An air space in which the end of at least one layer among the first layer 211, second layer 212 and third layer 213 is exposed is sealed while filling therein with a gas containing oxygen gas of the molar partial pressure of 10% or less.例文帳に追加
第1層211,第2層212,第3層213の少なくとも1つの層の端部が露出した空隙を、モル分圧10%以下の酸素ガスを含有する気体で充満して封止する。 - 特許庁
The first semiconductor layer, third semiconductor layer, and/or fourth semiconductor layer is formed into a multi-layered reflective layer (DBR) to increase light emission efficiency and to prevent moire from being generated owing to interference after lens passage.例文帳に追加
第1半導体層と、第3半導体層及び/又は第4半導体層を多層反射層(DBR)として発光効率を高めるとともに、レンズ通過後の干渉によるモアレを防止する。 - 特許庁
An upper-layer rewiring 27, an upper-layer conductive layer 32 and a third connecting wiring 28 are formed simultaneously on the top face of an upper-layer insulating film 24 formed on the semiconductor structure 2.例文帳に追加
半導体構成体2上に設けられた上層絶縁膜24の上面には、上層再配線27、上層導電層32および第3の接続配線28が同時に形成されている。 - 特許庁
The disclosed multilayered structure comprises a first layer comprising a polymer sealant material, a second layer of a destructible bonding layer, and a third layer containing an adhesive agent or a polyolefin.例文帳に追加
多層構造体が開示され、該多層構造体は、ポリマーシーラント材料からなる第1層と、破壊可能な結合層である第2層と、粘着剤もしくはポリオレフィンを含む第3層とを有する。 - 特許庁
A substrate 50 composed by sequentially stacking a first layer 1 formed of single-crystal silicon, a second layer 2 formed of SiO2, a third layer 3 formed of SiN and a fourth layer 4 formed of single-crystal silicon is prepared.例文帳に追加
単結晶シリコンから成る第1層1と、SiO2から成る第2層2と、SiNから成る第3層3と、単結晶シリコンから成る第4層4とを順次に積層した基板50を準備する。 - 特許庁
The third semiconductor layer having a band gap smaller than that of the barrier layer 33 and thicker than the well layer 34 is provided contiguously to the barrier layer 33 located at the end on the side opposite to the light receiving surface side.例文帳に追加
受光面側とは反対側の端に位置する障壁層33に隣接させて、障壁層33よりもバンドギャップが小さく、井戸層34よりも厚さの大きな第3の半導体層を設ける。 - 特許庁
This induction heating object heating material is formed by a three-layer structure including a first layer 10a, a second layer 10b, and a third layer 10c based on a temperature-sensitive magnetic material (to be described later) in which magnetic permeability varies by temperature.例文帳に追加
温度によって透磁率が変化する感温磁性材(後述)をベースに、第1の層10aと第2の層10bと第3の層10cとからなる三層構造によって構成する。 - 特許庁
The magnitude relation of the lattice constant between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is the same as the magnitude relation of the lattice constant between the third semiconductor layer and the second semiconductor layer.例文帳に追加
加えて、第1半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係と、第3半導体層と第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 - 特許庁
Selective reflection films 22, 32 and 42 are included in the first signal recording layer 2, the second signal recording layer 3 and the third signal recording layer 4, and a reflection film 52 is included in the fourth signal recording layer 5.例文帳に追加
第1の信号記録層2、第2の信号記録層3、第3の信号記録層4には、選択反射膜22、32、42が含まれ、第4の信号記録層5には反射膜52が含まれる。 - 特許庁
Subsequently, a resist pattern 21 and the third insulation layer 3 having an open area ratio varied in correspondence with the gap shape are etched simultaneously thus transferring the resist pattern 21 to the third insulation layer 3.例文帳に追加
ギャップ形状に対応して開口率を変化させたレジストパターン21及び第3の絶縁層3を同時にエッチングすることにより、レジストの形状が第3の絶縁膜3に転写されていく。 - 特許庁
The fourth electrode is formed on a side, opposite to the second semiconductor layer, of the third electrode, and has the same planar geometry as that of the third electrode when viewed from the stacking direction of the stacked layer structure.例文帳に追加
第4電極は、第3電極の第2半導体層とは反対の側に形成され、積層構造体の積層方向からみたときに第3電極と同じ平面形状を有する。 - 特許庁
The third resist layer 19 is exposed by optic energy such that light reflected from a sidewall to the bottom of the opening 10w does not adhere to the third resist layer 19, corresponding to the mask 20.例文帳に追加
次に、開口部10wの側壁から当該底部に反射する光がマスク20に対応する第3のレジスト層19を固着させない光エネルギーを以って、第3のレジスト層19を露光する。 - 特許庁
Part of the materials of the facing and foaming material 4 in contact with the third mold 13 is solidified to form a facing layer 2 and the third mold 13 is subjected to core-back to form a foaming layer 3 to the integrated part 4b.例文帳に追加
表皮・発泡材4の材料の第3の型13に接した部分を固化させて表皮層2を形成し、第3の型13をコアバックさせて一体部4bに発泡層3を形成する。 - 特許庁
Next, a third ceramic green sheet not formed with an electrode pattern is stacked on the inner layer 4 and is crimped under a third condition which is different from the second one to form a second outer layer 6.例文帳に追加
続いて、内層部4上に、電極パターンが形成されていない第3のセラミックグリーンシートを積層し、第2の条件とは異なる第3の条件で圧着して第2の外層部6を形成する。 - 特許庁
A third interlayer insulating film 23 is arranged to cover a second wiring layer 10, and a plurality of contact parts 12 that reach the second wiring layer 10 through the third interlayer insulating film 23 are arranged.例文帳に追加
第2配線層10を覆うように第3層間絶縁膜23が配設され、第3層間絶縁膜23を貫通して、第2配線層10に達する複数のコンタクト部12が配設されている。 - 特許庁
Thus, since the outer surface on the side of the third soil layer 33 of the second sheet body 24 is turned to an uneven state and frictional resistance to the third soil layer 33 increases, the second sheet body 24 is not easily moved.例文帳に追加
従って、第2シート体24の第3土層33側の外面が凹凸状態となり、第3土層33に対する摩擦抵抗が増大するため、第2シート体24が移動し難くなる。 - 特許庁
The printed board is laminated with a pixel electrode layer, a first insulating layer 113a, a source wire layer and a gate layer, two second insulating layers 113b, 113c, a transistor layer, a third insulating layer 114, a ground layer 112, and a fourth insulating layer 115, in this order, along a direction of separating from the front face plate.例文帳に追加
プリント基板は、画素電極層と、第1絶縁層113aと、ソース線層およびゲート線層と、2つの第2絶縁層113b、113cと、トランジスタ層と、第3絶縁層114と、グランド層112と、第4絶縁層115とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。 - 特許庁
The three layers are compounded and integrated; an adhesive layer (damping layer) which applies an adhesion function to a substrate to be damped, being as a first layer; a compressed porous body layer of polyester fiber system nonwoven fabric, being as a second layer; and a skin layer of polyester system spunbond fabric which constrains the compressed porous body layer, being as a third layer.例文帳に追加
第一層として被制振基板に対して粘着機能を付与する粘着層(制振層)、第二層としてポリエステル繊維系不織布の圧縮多孔質体層、第三層として前記圧縮多孔質体層を拘束するポリエステル繊維系スパンボンド不織布の表皮層、の三層を複合一体化した。 - 特許庁
The antireflection laminate is obtained by stacking at least a silicon oxide layer (1) as a first layer, a titanium nitride layer as a second layer and a silicon oxide layer (2) as a third layer in this order on a transparent substrate and the interface between the silicon oxide layer (1) and the titanium nitride layer is nitrided.例文帳に追加
透明性を有する基材上に、少なくとも第1層に酸化シリコン層(1)、第2層に窒化チタン層、第3層に酸化シリコン層(2)をこの順に積層した反射防止効果を有する積層体であって、酸化シリコン層(1)の窒化チタン層との界面が窒化されていることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁
The optical recording medium 10 is equipped with a supporting substrate 11, a light transmission layer 12, a first dielectric layer 31 arranged between the light transmission layer 12 and the supporting substrate 11, the noble metal nitride layer 23, a second dielectric layer 32, a light absorption layer 22, a third dielectric layer 33, and a reflection layer 21.例文帳に追加
本発明の光記録媒体10は、支持基板11と、光透過層12と、光透過層12と支持基板11との間に配置された第1の誘電体層31、貴金属窒化物層23、第2の誘電体層32、光吸収層22、第3の誘電体層33及び反射層21とを備える。 - 特許庁
An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加
GaAs基板101上に、n型バッファ層102、n型第1クラッド層103、MQW活性層104、p型第2クラッド層105、この第2クラッド層105よりもエネルギーバンドギャップの小さいp型エッチング停止層106、リッジ部を構成するp型第3クラッド層107、p型保護層108を備える。 - 特許庁
In an organic layer 21 of this white organic EL element 20, a blue luminescent layer 13, a first hole blocking layer 15a, a Dye layer 14, a second hole blocking layer 15b, a first green luminescent layer 16a, a third hole blocking layer 15c and a second green luminescent layer 16b are stacked from the side of a positive electrode.例文帳に追加
白色有機EL素子20の有機層21には、陽極側から青色発光層13、第1のホールブロッキング層15a、Dye層14、第2のホールブロッキング層15b、第1の緑色発光層16a、第3のホールブロッキング層15c、および第2の緑色発光層16bを積層する。 - 特許庁
The optical recording medium 10 comprises a supporting substrate 11, a light transmission layer 12, a first dielectric layer 3 arranged between the light transmission layer 12 and the supporting substrate 11, a noble metal nitride layer 23, a second dielectric layer 32, a light absorption layer 22, a third dielectric layer 33, and a reflective layer 21.例文帳に追加
本発明の光記録媒体10は、支持基板11と、光透過層12と、光透過層12と支持基板11との間に配置された第1の誘電体層31、貴金属窒化物層23、第2の誘電体層32、光吸収層22、第3の誘電体層33及び反射層21とを備える。 - 特許庁
Because of the presence of the third transparent resin layer 10, the second transparent resin layer 9 can be prevented from mixing with the first transparent resin layer 8, and the second transparent resin layer 9 thus can be hardly damaged by the first transparent resin layer 8.例文帳に追加
第3の透明樹脂層10によって、第2の透明樹脂層9が第1の透明樹脂層8と混合することを抑制でき、第2の透明樹脂層9が第1の透明樹脂層8からダメージを受け難くできる。 - 特許庁
To provide an analyte test strip for accepting diverse bodily fluid sample volumes, including a first insulating layer, a second insulating layer disposed above the first insulating layer, and a third insulating layer disposed below the first insulating layer.例文帳に追加
種々の体液サンプル量を受容するための検体試験片であって、第1の絶縁層と、その第1の絶縁層の上に配置される第2の絶縁層と、その第1の絶縁層の下に配置される第3の絶縁層とを備える。 - 特許庁
The seal 210 comprises a first laminated body 32 including a first seal layer 201 and a first intermediate layer 205a, a second laminated body 34 including a second seal layer 202 and a second intermediate layer 205b, and a third seal layer 203.例文帳に追加
シール210は、第1シール層201および第1中間層205aを含む第1積層体32と、第2シール層202および第2中間層205bを含む第2積層体34と、第3シール層203とを含む。 - 特許庁
The third stop layer 27 is selectively etched to the second dielectric layer, and the first and second dielectric layer are selectively etched to the stop layers, whereby grooves are provided to the second dielectric layer, and holes are bored in the first dielectric layer.例文帳に追加
第3のストップ層は第2の誘電体層に対して選択エッチングされ、第1および第2の誘電体層はストップ層に対して選択エッチングされ、第2の誘電体層に溝を、第1の誘電体層に穴を形成する。 - 特許庁
A soft rubber layer 29 is provided on the inner side in the tire width direction from the belt edge cushion rubber layer 31 between the second belt layer 13 and the third belt layer 15, and has a lower elastic modulus than that of the belt edge cushion rubber layer 31.例文帳に追加
軟質ゴム層29は、第二ベルト層13と第三ベルト層15との間の、ベルトエッジクッションゴム層31よりもタイヤ幅方向内側に設けられ、ベルトエッジクッションゴム層31の弾性率より低い弾性率を有する。 - 特許庁
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