「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The first variable resistance layer 120 includes a first metal oxide layer 102 and a second metal oxide layer 103, and the second variable resistance layer 130 includes a third metal oxide layer 105 and a fourth metal oxide layer 106.例文帳に追加

第１抵抗変化層１２０は、第１金属酸化物層１０２および第２金属酸化物層１０３を備え、第２抵抗変化層１３０は、第３金属酸化物層１０５および第４金属酸化物層１０６を備える。 - 特許庁

The outside plate decorating film 1 comprises a guard film 2 of a first layer, a photosetting clear layer 3 of a second layer, a laminated structure of an adhesive colored layer 4 of a third layer so that the clear layer is a semicured state.例文帳に追加

第１層にガードフィルム２、第２層に光硬化クリア層３、第３層に接着着色層４の積層構造を有し、前記光硬化クリア層は半硬化状態であることを特徴とする外板加飾フィルム１を構成する。 - 特許庁

In this manner, Mg concentration is larger as a result of the comparison of the Mg concentration and H_2 concentration contained in the p-type GaN layer (second layer) sandwiched between the n-type GaN layer (first layer) and the n-type GaN layer (third layer).例文帳に追加

このように、ｎ型ＧａＮ層（第１層）およびｎ型ＧａＮ層（第３層）に挟まれたｐ型ＧａＮ層（第２層）に含まれるＭｇ濃度とＨ_２濃度とを比較すると、Ｍｇ濃度の方が大きい値となっている。 - 特許庁

A first conductivity third semiconductor layer 14 is provided at the surface layer of the second semiconductor layer 13, and the trench 15 is provided while passing through the third and second semiconductor layers 14 and 13 for reaching the first semiconductor layer.例文帳に追加

第２の半導体層１３の表層部に第１導電型の第３の半導体層１４が設けられ、第３の半導体層１４及び第２の半導体層１３を貫いて第１の半導体層に達するようにトレンチ１５が設けられている。 - 特許庁

A contact area between the third layer and the first layer is decreased by the projecting and recessed part, so that suction force in the first layer direction of the third layer generated by the surface tension 300 of a liquid is reduced so as to surely prevent sticking.例文帳に追加

その凹凸の部分により第３層と第１層との接触面積が減少するので、液体の表面張力３００によって発生する第３層の第１層方向の吸引力が低減され、スティッキングが確実に防止される。 - 特許庁

A p-type third nitride semiconductor layer 108 is selectively formed on the semiconductor layer laminate 103, and a gate electrode 109 is formed on the third nitride semiconductor layer 108.例文帳に追加

半導体層積層体１０３の上には、ｐ型の第３の窒化物半導体層１０８が選択的に形成されており、第３の窒化物半導体層１０８の上にはゲート電極１０９が形成されている。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 4 is selectively provided on a surface of the third semiconductor layer 3 and has a higher concentration of a second-conductivity-type impurity than that of the second conductivity-type impurity of the third semiconductor layer 3.例文帳に追加

第４の半導体層４は、第３の半導体層３の表面に選択的に設けられ、第３の半導体層３の第２導電形不純物の濃度よりも高い第２導電形不純物の濃度を有する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a laminate of a first semiconductor layer 10 of a first conductivity type, a second semiconductor layer 20 of a second conductivity type and a third semiconductor layer 30 of the first conductivity type; an insulating layer (first insulating layer 140); an insulating film 150; and first to third electrodes 15, 50 and 60.例文帳に追加

第１導電型の第１の半導体層１０、第２導電型の第２の半導体層２０、及び第１導電型の第３の半導体層３０の積層体と、絶縁層（第１の絶縁層１４０）と、絶縁膜１５０と、第１〜第３の電極１５、５０、６０と、を備える。 - 特許庁

A thickness d2 region 14B is defined between the back surface of the first dielectric layer 12 and the front surface of the third dielectric layer 16, with a spacer member 14A to constitute the second dielectric layer 14 for keeping the first dielectric layer 12 and the third dielectric layer 16 parallel to each other.例文帳に追加

スペーサ材１４Ａにより第１誘電体層１２の背面と第３誘電体層１６の前面との間に厚さｄ２の領域１４Ｂを画成し、第１誘電体層１２と第３誘電体材料１６とを互いに平行に保持する第２誘電体層１４を構成する。 - 特許庁

A filter concentration part which consists of a first layer 23 through which at least part of PM passes including an oxidation catalyst 3 toward a flow out side cell 21 from a flow in side cell 20, a third layer 25 suppressing pass of PM, and a second layer 24 formed between the first layer 23 and the third layer 25 and capturing PM which is prevented from passing through the third layer 25.例文帳に追加

フィルタ隔壁の少なくとも一部に、流入側セル20から流出側セル21に向かって、酸化触媒３を含みＰＭの少なくとも一部が通過する第１層23と、ＰＭの通過を抑制する第３層25と、第１層23と第３層25の間に形成され第３層25で通過が抑制されたＰＭが捕集される第２層24と、よりなる濾過集中部を形成した。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film.例文帳に追加

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 - 特許庁

In the multi-layered structure keeping a first layer, a second layer and a third layer these layers piled up in the order, the first layer is composed of a thermoplastic resin, the second layer is composed of a composition A containing a fluorine-containing compound, and the third layer is composed of a composition B containing an inorganic layered compound.例文帳に追加

第１の層、第２の層および第３の層がこの順に積層された多層構造体であって、該第１の層が熱可塑性樹脂からなる層であり、該第２の層がフッ素含有化合物を含む組成物Ａからなる層であり、該第３の層が無機層状化合物を含む組成物Ｂからなる層である多層構造体。 - 特許庁

A first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a third semiconductor layer are formed by forming a first element separation region 110a extending to an insulating layer, and a third element separation region 110b on a substrate 10 on which there are formed in order a support substrate 10a, the insulating layer 10b, and a semiconductor layer 10c.例文帳に追加

支持基板１０ａと絶縁層１０ｂと半導体層１０ｃとが順に形成された基板１０に、絶縁層に到達する第１素子分離領域１１０ａおよび第３素子分離領域１１０ｂを形成することで第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層を形成する。 - 特許庁

In the process (d), the second conductive layer 18 and the ferroelectric layer 14 are formed in regions where the first conductive layer 12 and the third conductive layer 16 cross each other.例文帳に追加

前記工程（ｄ）において、前記第２導電層１８および前記強誘電体層１４は、前記第１導電層１２と、前記第３導電層１６との交差領域に形成される。 - 特許庁

The etching stop layer underlying the third cad layer has a thickness T1≤100 nm and the etching stop layer underlying the block layer has a thickness T2 satisfying following relations; T1-T2>1 nm and T2>1 nm.例文帳に追加

第３クラッド層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ１はＴ１≦１００ｎｍであり、ブロック層下部のエッチング停止層の層厚Ｔ２は、Ｔ１−Ｔ２＞１ｎｍかつＴ２＞１ｎｍである。 - 特許庁

Data of dynamic images have a hierarchical structure made of a zero layer 30, a first layer 32, a second layer 34, and a third layer 36 in the z-axis direction from the top to the bottom of the illustration.例文帳に追加

動画像のデータは、図の上から下へ向かうｚ軸方向に、第０階層３０、第１階層３２、第２階層３４および第３階層３６からなる階層構造とする。 - 特許庁

A second fiber layer 41 formed with a fluid absorptive core material 4 abuts the bottom surface of the first fiber layer 13 and a third fiber layer 42 abuts the bottom surface of the second fiber layer 41.例文帳に追加

第１繊維層１３の下面には吸液性芯材４を形成する第２繊維層４１が当接し、第２繊維層４１の下面には第３繊維層４２が当接する。 - 特許庁

The elapsed image is created by using first layer meshes 61x and 61y, second layer meshes 62x and 62y, third layer meshes 63x and 63y and fourth layer meshes 64x and 64y.例文帳に追加

経過画像は、第１層メッシュ６１ｘ、６１ｙと、第２層メッシュ６２ｘ、６２ｙと、第３層メッシュ６３ｘ、６３ｙ、第４層メッシュ６４ｘ、６４ｙを用いて作成する。 - 特許庁

The tunnel junction includes the second layer of the first conductivity type and the second layer of the second conductivity type, and separates the first layer of the first conductivity type from the third layer of the first conductivity type.例文帳に追加

トンネル接合は、第１伝導型の第２層と、第２伝導型の第２層を含んでおり、第１伝導型の第１層を第１伝導型の第３層から分離している。 - 特許庁

Level differences corresponding to an insulating layer 30 and the wiring layer 31 are formed in a fourth insulating layer 33 covering the third wiring layer 31 and a passivation film 35.例文帳に追加

３層目の配線層３１上を被覆する第４の絶縁層３３及びパッシベーション膜３５にも、第３の絶縁層３０及び配線層３１に対応する段差が形成される。 - 特許庁

The menu has a layered structure including a fist layer through a third layer, and at least each menu of the first layer and second layer is a seamless menu in which a forefront menu and a tail menu are connected.例文帳に追加

また、メニューを第１〜第３の階層構造とし、すくなくとも第１，第２階層の各メニューは、先頭のメニューと後尾のメニューとが接続されたシームレスなメニューとする。 - 特許庁

The surface density of the first layer and the fourth layer sound absorbing blanks 101 and 104 is 500 g/m2 and the surface density of the second layer and the third layer sound absorbing blanks 102 and 103 is 800 g/m2.例文帳に追加

第１層および第４層吸音素材１０１、１０４の面密度は５００ｇ／ｍ^2、第２層および第３層吸音素材１０２、１０３の面密度は８００ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁

The third belt layer 13 to be the crossing layer is divided in the tire width direction and is constituted of an inside belt layer piece 13A on a center part side and an outside belt layer piece 13B on a shoulder part side.例文帳に追加

この交錯層である第３ベルト層１３をタイヤ幅方向に分断し、センタ部側の内側ベルト層片１３Ａとショルダ部側の外側ベルト層片１３Ｂから構成する。 - 特許庁

By using an etching mask including at least the mask layer and etching, a trench 10 passing through the second layer 5 and third layer 7 and reaching the first layer 2 is formed.例文帳に追加

少なくともマスク層を含むエッチングマスクを用いてエッチングを行なうことによって、第２の層５および第３の層７を貫通して第１の層２に至るトレンチ１０が形成される。 - 特許庁

The forming method is repeated to form a first layer 6a, a second layer 6b and a third layer 6c of the pattern layer 6 to produce a mold precursor 7 with the fine pattern formed thereon.例文帳に追加

前記の形成方法にて繰り返し、一層目６ａ、二層目６ｂ、三層目６ｃとパターン層６の形成を行い、微細パターンを形成した金型原版７を作製した。 - 特許庁

A second insulating layer 42 is formed on the first insulating layer 41 so as to cover the wiring patterns W1, R1, and a third insulating layer 43 is formed on the second insulating layer 42.例文帳に追加

第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１，Ｒ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成され、第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３が形成される。 - 特許庁

Subsequently, the first plating layer 6 is removed by etching, and a third plating layer 9 may be formed in a hole from which the first plating layer 6 is removed by etching, by electrifying from the second plating layer 7.例文帳に追加

第１のめっき層６をエッチング除去し、第１のめっき層６がエッチング除去された孔内に、第２のめっき層７から通電して第３のめっき層９を形成してもよい。 - 特許庁

The thickness of the first layer is 0.1 to 0.5 mm, the thickness of the second layer is 0.2 to 0.5 mm, the thickness of the third layer is 3.0 to 5.0 mm, and the thickness of the fourth layer is 0.5 to 1.0 mm.例文帳に追加

第１層〜第４層の層厚は、それぞれ第１層：０．１〜０．５ｍｍ、第２層：０．２〜０．５ｍｍ、第３層：３．０〜５．０ｍｍ、第４層：０．５〜１．０ｍｍであるとよい。 - 特許庁

The optical fiber 5 is communicated from a first wiring layer to a second wiring layer through the cut-out portion 2a, and from the second wiring layer to the third wiring layer through the cut-out portion 3a.例文帳に追加

光ファイバ５を、切り欠き２ａを通して第１配線層から第２配線層へ連絡し、切り欠き３ａを通して、第２配線層から第３配線層へ連絡する。 - 特許庁

The antireflection film 10 is constituted of a four-layered structure which consists of, in order from a substrate 11 side, thin films of a first layer 12, a second layer 13, a third layer 14, and a fourth layer 15.例文帳に追加

反射防止膜１０は、４層構造で構成されており、基板１１側から順に第１層１２、第２層１３、第３層１４、第４層１５の薄膜が積層されている。 - 特許庁

Relating to the refractive indices of the respective layers of the films 13, that of the second layer 13b is highest and those of the first layer 13a and the third layer 13c are lower than the refractive index of the second layer 13b.例文帳に追加

また、光学多層膜１３における各層の屈折率は、第２層１３ｂが最も高く、第１層１３ａ及び第３層１３ｃが第２層１３ｂの屈折率よりも低い。 - 特許庁

A terminal electrode 5 has at least three-layer structure of a first layer 7, a second layer 8 and a third layer 9 which are formed on each end surface 4 of an electronic component main body 3 in this order.例文帳に追加

端子電極５を、電子部品本体３の各端面４上に順次形成される第１層７と第２層８と第３層９との少なくとも３層構造とする。 - 特許庁

Next, by the use of a third substrate 301 as a transfer object, the first thin film device layer 103 and the second thin film device layer 203 are transferred via an adhesive layer 304 on a third thin film device layer 303 formed on the third substrate 301 so that the second substrate 201 which was the first transfer object may be exfoliated.例文帳に追加

次に、第三基板３０１を転写体として、第三基板３０１上に形成された第三薄膜デバイス層３０３上に接着層３０４を介して第一薄膜デバイス層１０３と第二薄膜デバイス層２０３を転写し、最初の転写体であった第二基板２０１を剥離する。 - 特許庁

The driven roller 33 includes a core metal 34 and a roller part 35, and the roller part 35 is formed of a third elastic layer coated on an outer periphery of the core meatal 34, and a surface layer coated on an outer periphery of the third elastic layer and formed of a higher density and high lubrication material than the third elastic layer.例文帳に追加

従動ローラ３３は、芯金３４とローラ部３５とから成り、ローラ部３５は、芯金３４の外周面に被覆された第３弾性層と、第３弾性層の外周面に被覆され、第３弾性層よりも高密度且つ高潤滑性材料から形成された表面層と、から形成されている。 - 特許庁

The refractive layer of the antireflection film is constituted such that the total film thickness of the first to third refractive layers is 180 to 220 nm, the film thickness of the first refractive layer is 10 to 50 nm, the film thickness of the third refractive layer is 150 to 190 nm and, further, only the first to third layer are deposited under ion beam assisted irradiation.例文帳に追加

この反射防止膜の屈折率層の構造は第１〜第３の屈折率層の膜厚の総和を１８０〜２２０ｎｍとし、第１の屈折率層の膜厚を１０〜５０ｎｍとし、第３の屈折率層の膜厚を１５０〜１９０ｎｍとし、更に第１層〜第３層のみをイオンアシスト照射下で蒸着させる。 - 特許庁

The lamination wave guide formation part 102 has: a third main conductor 21; and a second dielectric body 22 formed on a main surface of the third main conductor layer 21 so as to have a layer form.例文帳に追加

積層導波管形成部１０２は、第３の主導体２１と、第３の主導体層２１の主面に層状に形成された第２の誘電体２２とを有している。 - 特許庁

First, in the mostupper third wiring layer, third layer wiring 11L3, each consisting of a laminated film of conductive films 11a-11c, are formed by photolithography or dry etching technique.例文帳に追加

まず、最上の第３配線層に、導体膜１１ａ〜１１ｃの積層膜で構成される第３層配線１１Ｌ３をフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術により形成する。 - 特許庁

The optical sensor includes at least a first semiconductor layer 2 provided on a top surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 serving as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, and a protection layer 5 provided on a reverse surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた保護層５とから構成されている。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.例文帳に追加

この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁

In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.例文帳に追加

単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁

In the organic layer 21, a first blue luminescent layer 13a, a first Dye layer 14a, a first green luminescent layer 16a, a second blue luminescent layer 13b, a second Dye layer 14b, a second green luminescent layer 16b, a hole blocking layer 15, and a third green luminescent layer 16c are stacked from the positive electrode side.例文帳に追加

有機層２１には、陽極側から順に第１の青色発光層１３ａ、第１のＤｙｅ層１４ａ、第１の緑色発光層１６ａ、第２の青色発光層１３ｂ、第２のＤｙｅ層１４ｂ、第２の緑色発光層１６ｂ、ホールブロッキング層１５、および第３の緑色発光層１６ｃを積層する。 - 特許庁

The method includes first etching at least a portion of the third layer, by using the second layer as an etching stop layer, exposing at least a portion of the second layer, and second etching at least the exposed portion of the second layer, by using the first layer as an etching stop layer.例文帳に追加

第２膜をエッチングストップ層として使用して、第３膜の少なくとも一部を第１エッチングして、第２膜の少なくとも一部を露出させ、第１膜をエッチングストップ層として使用して、第２膜の少なくとも露出した部分を第２エッチングする。 - 特許庁

The protective layer 4 consists of a hard first protective layer 4a covering the outer face of the information layer 3, a soft second protective layer 4b covering the outer face of the first protective layer 4a, and a hard third protective layer 4c covering the outer face of the second protective layer 4b.例文帳に追加

前記保護層４を、前記情報層３の外面を覆う硬質の第１保護層４ａと、当該第１保護層４ａの外面を覆う軟質の第２保護層４ｂと、当該第２保護層４ｂの外面を覆う硬質の第３保護層４ｃとから構成する。 - 特許庁

A first dielectric layer 2 as a lower protective layer, a recording layer 3, a second dielectric layer 4 as an upper protective layer, a third dielectric layer 5 and a reflecting and heat releasing layer 6 are formed in this order by sputtering on a polycarbonate substrate 1 with a guide groove.例文帳に追加

案内溝を有するポリカーボネート基板１上に、スパッタリング法により下部保護層として第１の誘電体層２、記録層３、上部保護層としての第２の誘電体層４、第３の誘電体層５および反射放熱層６をこの順に製膜する。 - 特許庁

The second optical semiconductor element 20 includes: a first cladding layer 23; an optical active layer 21 and a second optical waveguide layer 22 that are optically connected to each other; a second cladding layer 24 on the optical active layer 21; and a thin third cladding layer 27 on the second optical waveguide layer 22.例文帳に追加

第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。 - 特許庁