「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The modulus of longitudinal elasticity is the highest at the front side stopper part 10, while the lowest at a third layer 23, the lowest layer of the rear side stopper part 20.例文帳に追加

縦弾性係数は、前側ストッパ部１０が最もが高く後側ストッパ部２０の第３層２３が最も低い。 - 特許庁

Thus, it is possible to increase the contact area between the third poly-crystal silicon layer 3 and a titanium layer 15.例文帳に追加

これにより第３の多結晶シリコン層３およびチタン層１５間の接触面積を増加させることができるようになる。 - 特許庁

The fibers of the first layer 14 and the third layer 20 get entangled with each other by a needle punch work to be integrally formed into the sheet-like body.例文帳に追加

ニードルパンチ加工により、第１層１４と第３層２０の繊維同士が互いに絡まり、シート状に一体に形成する。 - 特許庁

The second magnetization fixation layer includes a third and a fourth magnetic layers which are separated by a second non-magnetic material layer 154.例文帳に追加

第２磁化固定層は第２非磁性体層１５４により分離された第３磁性体層及び第４磁性体層を含む。 - 特許庁

The second belt layer 5 is disposed with its center aligned with the tire equatorial plane E, and a width W_2 is narrower than the width W_3 of the third belt layer.例文帳に追加

第２ベルト層５は、タイヤ赤道面Ｅを中心として配設され、幅Ｗ_２が第３ベルト層幅Ｗ_３よりも狭い。 - 特許庁

The photodector includes a substrate having a first photodiode, a second photodiode, a third photodiode, a first color filter layer and a second color filter layer.例文帳に追加

光検出器は、第１、第２、および第３のフォトダイオードと、第１および第２の色素フィルタ層とを有する基板を含む。 - 特許庁

The third source layer 2c is so buried over the recess 3 and in the gate opening that the bottom portion thereof is brought into contact with the second source layer 2b.例文帳に追加

第３のソース層２ｃは、下部が第２のソース層２ｂと接するように、凹部３上及びゲート開口部に埋設される。 - 特許庁

Nothing is drawn on the third layer 43, and a NEXT button 22 and an INFO button 23 are drawn on the fourth layer 44.例文帳に追加

第３レイヤ４３には、何も描画せず、第４レイヤ４４には、ＮＥＸＴボタン２２およびＩＮＦＯボタン２３を描画する。 - 特許庁

The wiring is electrically connected to the first land penetrating through the third insulation layer and the second insulation layer.例文帳に追加

前記配線は、前記第３の絶縁層および前記第２の絶縁層を貫通して、前記第１のランドと電気的に接続される。 - 特許庁

On the outer periphery of this thin layer 5, a coating layer (consisting of a second and a third coating layers 7a, 7b) 7 is formed.例文帳に追加

この薄層５の外周に被覆層（２層目の被覆層７ａと３層目の被覆層７ｂとから成る）７が形成されている。 - 特許庁

The n-type InP layer 14 and the p-type InP layer 13 are electrically connected with each other by means of a metal electrode 23 (third electrode).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ層１４とｐ型ＩｎＰ層１３を金属電極２３（第３の電極）が電気的に接続している。 - 特許庁

The conductive spacer of the third element from the bottom is made to be abutted on or adjacently opposed to the carbon paste layer of the most upper layer element.例文帳に追加

また、下から３枚目の素子の導電性スペーサを最上層の素子のカーボンペースト層に当接又は近接対向させる。 - 特許庁

The third ferromagnetic layer has a single layer structure made of CoFe or NiFe or a multilayer structure made of CoFe/NiFe/CoFe.例文帳に追加

第３の強磁性層は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。 - 特許庁

The first electrode 10 is provided above the portion of the third semiconductor layer 5, where the fourth semiconductor layer 6 is not provided.例文帳に追加

第１電極１０は、第３半導体層５の上において第４半導体層６が設けられていない部分に設けられる。 - 特許庁

The inductor of the second layer is connected via the contact 78 passing through the second interlayer insulating film to the inductor of a third layer.例文帳に追加

２層目のインダクタは、第２の層間絶縁膜を貫通するコンタクト７８を介して３層目のインダクタに接続されている。 - 特許庁

The semiconductor element 1A further comprises: a first main electrode 20 connected to the third semiconductor layer 16; a second main electrode 21 connected to the third semiconductor layer 16; and a gate electrode 31 provided between the first main electrode and the second main electrode on the third semiconductor layer 16.例文帳に追加

半導体素子１Ａは、第３半導体層１６に接続された第１主電極２０と、第３半導体層１６に接続された第２主電極２１と、第１主電極と第２主電極とのあいだの第３半導体層１６の上に設けられたゲート電極３１と、を備える。 - 特許庁

The arrangement further includes a first pump 11 to take out the upper layer liquid having small specific gravity in the second chamber 10, a second pump 13 to transfer the lower layer liquid having a larger specific gravity in the second chamber 10 to the third chamber 14, and a third pump 16 to take out the lower layer liquid having large specific gravity in the third chamber 14.例文帳に追加

そして第２槽１０の比重の小さい上層液を取り出す第１ポンプ１１と、第２槽１０の比重の大きい下層液を第３槽１４に移す第２ポンプ１３と、第３槽１４の比重の大きい下層液を取り出す第３ポンプ１６とが設けられている。 - 特許庁

In addition, the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the first semiconductor layer 101 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the first semiconductor layer 101, and the second semiconductor layer 102 is different in lattice constant from the third semiconductor layer 103 and also the second semiconductor layer 102 is different in band gap energy from the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

加えて、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第１半導体層１０１とバンドギャップエネルギーが異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３と格子定数が異なる、また、第２半導体層１０２が、第３半導体層１０３とバンドギャップエネルギーが異なる。 - 特許庁

A second vertical region 116 is formed having a second light attenuation parameter through the combination of the first layer 106 and transparent substrate 102, and a third vertical region 117 is formed having a third light attenuation parameter through the transparent substrate102.例文帳に追加

また、透過基板１０２による第３の光減衰パラメータを有するように第３の垂直領域１１７を形成する。 - 特許庁

On a second piezoelectric substrate, a third groove is provided on an upper surface, a polished part is provided at an edge, and an electrode layer is formed while being separated into a third electrode and a fourth electrode.例文帳に追加

第２圧電基板には、上面に第３溝，エッジに研磨部を設けて、第３電極，第４電極に分離して形成する。 - 特許庁

A first peripheral transistor 31 constitutes part of a peripheral circuit and has a third gate electrode 34 and a third source/drain diffused layer 35.例文帳に追加

第１周辺トランジスタ３１は、周辺回路の一部を構成し、第３ゲート電極３４と、第３ソース／ドレイン拡散層３５と、を有する。 - 特許庁

A third interlayer film 17 and a Cu wiring 24 protruding over a third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31.例文帳に追加

第３層間膜１７およびこの第３層間膜１７上に突出するＣｕ配線２４は、被覆層３１によって被覆されている。 - 特許庁

In this case, the first wire 11 is formed in a first layer in a crossing region AR1, and formed in the first layer, a second layer lower than the first layer, and a third layer between the first and second layers in peripheral regions AR2.例文帳に追加

ここで、第１配線１１は、交差領域ＡＲ１では第１層に形成し、周辺領域ＡＲ２では第１層、第１層より下層の第２、及び第１，第２層間の第３層に形成する。 - 特許庁

The first ferromagnetic layer 21 is formed by laminating a first layer made of CoFe, a second layer made of CoFeb, and a third layer made of ferrocobalt alloy in order, for example, from the side coming into contact with the tunnel barrier layer.例文帳に追加

第１の強磁性層２１は、例えばトンネルバリア層と接する側から、ＣｏＦｅからなる第１の層と、ＣｏＦｅＢからなる第２の層と、コバルト鉄合金からなる第３の層とが順に積層されたものである。 - 特許庁

The nano-structure 30 is composed by laminating a first hard magnetic layer 34, a first soft magnetic layer 35, a second hard magnetic layer 36, a second soft magnetic layer 37 and a third hard magnetic layer 38.例文帳に追加

ナノ構造体３０を、第１の硬質磁性層３４と第１の軟質磁性層３５と第２の硬質磁性層３６と第２の軟質磁性層３７と第３の硬質磁性層３８とを積層して構成する。 - 特許庁

The composite plating layers consist of three layers: a first layer comprising an electroless nickel plating layer, a second layer obtained by dispersing ceramics particles in electroless nickel plating, and a third layer comprising an electroless nickel plating layer.例文帳に追加

複合メッキ層は、無電解ニッケルメッキ層から成る第一層、無電解ニッケルメッキ中にセラミックス粒子を分散させた第二層、および無電解ニッケルメッキ層から成る第三層を有する三層構成を成す。 - 特許庁

Next, a first upper layer insulation film, a first upper layer re-wiring, a second upper layer insulation film, a second upper layer re-wiring 4 and a third upper layer insulation film are sequentially formed in a laminate, and finally, solder balls are formed.例文帳に追加

次に、第１の上層絶縁膜、第１の上層再配線、第２の上層絶縁膜、第２の上層再配線４、第３の上層絶縁膜を順次、積層状に形成し、最後に、半田ボールを形成する。 - 特許庁

To transit a third optical transmission layer deposited on a stripping layer of a substrate for transfer via a second optical transmission layer by a transparent adhesive agent on a first optical transmission layer deposited on a signal layer of a disk substrate.例文帳に追加

ディスク基板の信号層上に成膜した第１光透過層上に、透明接着剤による第２光透過層を介して転写用基板の剥離層上に成膜した第３光透過層を移行させる。 - 特許庁

The transmission part 211 has a first layer 361 formed as the outermost periphery, a second layer 362 adjacent to the first layer 361 at its radial inside, and a third layer 363 adjacent to the second layer 362 at its radial inside.例文帳に追加

伝送部２１１は、最外周である第１層３６１と、この第１層３６１の径方向内側で隣接する第２層３６２と、この第２層３６２の径方向内側で隣接する第３層３６３とを有する。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

Five-layered radome plate 200 comprises three layers of a skin material and two layers of a core material, starting from the left; a first skin layer 43, first core layer 52, second skin layer 44, second core layer 53 and third skin layer 45.例文帳に追加

５層レードーム板２００は、左から順に第１スキン層４３、第１コア層５２、第２スキン層４４、第２コア層５３、および第３スキン層４５の順で、スキン材が３層、コア材が２層から構成される。 - 特許庁

With an etchant passage 89 reaching to the first layer left, a cover resist 87 is arranged at a resist space 81, an etchant is acted on the first layer through the etchant passage, and the first layer, second layer and third layer are removed at a time.例文帳に追加

第１層に達するエッチャント通路８９を残して、レジストスペース８１にカバーレジスト８７を配置し、エッチャント通路を通して第１層にエッチャントを作用させ、第１層、第２層及び第３層を一度に除去する。 - 特許庁

The mounting layer 11, the first thermal stress softening layer 12, the second thermal stress softening layer 13, the third thermal stress softening layer 14, and the heat radiating layer 16 are integrally formed by a discharge plasma sintering.例文帳に追加

そして、これらの搭載層１１と第１熱応力緩和層１２と第２熱応力緩和層１３と第３熱応力緩和層１４と放熱層１６は放電プラズマ焼結により一体的に形成されている。 - 特許庁

A multilayer tube comprises; from inside to outside, an interior layer of a polyolefine, a first intermediate layer based on an adhesive, a second intermediate layer of ethylene-vinylidene alcohol, a third intermediate layer of a polyamide and an exterior protection layer.例文帳に追加

内側から外側に向かって、ポリオレフィンの内層と、接着剤を基にした第１中間層と、エチエンビニリデンアルコールの第２中間層と、ポリアミドの第３中間層と、外側の保護層とを含んで成る多層チューブ。 - 特許庁

The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer.例文帳に追加

基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium 10 having the reproducing layer 3, the non-magnetic layer 4 consisting of SiN and a recording layer 5 consisting of TbFeCo formed on a dielectric material layer 2 consisting of SiN is characterized in that the reproducing layer 3 is constituted of a first layer 31 consisting of a Gd layer, a second layer 32 consisting of GdFeCo and a third layer 33 consisting of a Gd layer.例文帳に追加

ＳｉＮから成る誘電体層２上に、再生層３、ＳｉＮから成る非磁性層４、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層５を形成した光磁気記録媒体１０において、再生層３は、Ｇｄ層である第１の層３１と、ＧｄＦｅＣｏから成る第２の層３２と、Ｇｄ層である第３の層３３とから構成される。 - 特許庁

The second source/drain region includes a third n-type impurity layer having an impurity concentration lower and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer, and a fourth n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth deeper than those of the third n-type impurity layer.例文帳に追加

さらに、第２のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が低く深さの浅い第３のｎ型不純物層と、第３のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの深い第４のｎ型不純物層を備える。 - 特許庁

An external connection electrode 2 of the interposer 1 has a stack having a first metal layer 2a made of copper, a second metal layer 2b made of nickel, and a third metal layer 2c made of gold laminated in this order, the third metal layer 2c forming a top surface.例文帳に追加

インターポーザ１の外部接続電極２は、銅からなる第１金属層２ａとニッケルからなる第２金属層２ｂと金からなる第３金属層２ｃがこの順に積層された積層体を有して、表面が第３金属層２ｃとなるように形成されている。 - 特許庁

Moreover, the tool width is expanded by an amount equivalent to a half of the coil diameter at the side of the first coil S of the first layer before starting winding a coil 9 of a third layer so that the coil of the third layer is wound around the outside of the coil 8 of the second layer (Fig.3(B)).例文帳に追加

また、３層目の巻線９が前記２層目巻線８の外側に巻回されるように、該３層目巻線の巻回が開始される迄に、前記１層目最初の巻線の側に於て、線径の二分の一相当分、治具幅を拡開する（図３（Ｂ））。 - 特許庁

When the die 10 for forging is used, the graphite passes through the pores of the third layer 20 having a relative density higher than that of the second layer 18 and also set to the value equal to or lower than that of the first layer 16, and is drawn out to the surface of the third layer 20.例文帳に追加

この黒鉛は、鍛造用金型１０が使用される際、相対密度が第２層１８に比して大きく、且つ第１層１６の相対密度以下に設定された第３層２０の気孔を経由して該第３層２０の表面に導出される。 - 特許庁

The last winding B13 in a second layer and a first winding C1 in a third layer are crossed, to make the first winding C1 in this third layer pass through an aligned groove part 206 formed by the last winding B13 in the second layer and a winding B12 in one step before the last winding B13.例文帳に追加

第２層目の最終巻線Ｂ１３と第３層目の第１巻線Ｃ１とを交差させて、この第３層目の第１巻線Ｃ１を、第２層目の最終巻線Ｂ１３とその１段前の巻線Ｂ１２とのなす整列溝部２０６を通す。 - 特許庁

A fourth planar metal layer 130-4 includes the first, second, and third contact portions, that are electrically isolated from each other and which are connected to the second planar metal layer, the first planar metal layer, and the third planar metal layer, respectively.例文帳に追加

第４平面状金属層１３０−４は、互いに電気的に絶縁され、第２平面状金属層、第１平面状金属層、および第３平面状金属層それぞれに接続された第１、第２および第３の複数の接触部を含んでいる。 - 特許庁

Either of the second or the third metal layer may be wired in the first metal wiring region.例文帳に追加

第１のメタル配線領域には、第２または第３メタル層の何れかが配線可能である。 - 特許庁

Via the third metal layer 7, the wiring 6 is connected to the terminal 9 for external connection.例文帳に追加

また、第３の金属層７を介して、配線６は外部接続用端子９に接続されている。 - 特許庁

The third reinforcing layer 38 includes a cord wound spirally and extended in a substantially peripheral direction.例文帳に追加

この第三補強層３８は、螺旋巻きされて実質的に周方向に延在するコードを含む。 - 特許庁