「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The photocatalyst sheet 1 is composed of a base material 2, the first fluoroplastic layer 3 applied to the base material 2, the second fluoroplastic layer 4 applied on the first fluoroplastic layer 3 and the third fluoroplastic layer 5 containing a photocatalyst applied on the second fluoroplastic layer 4.例文帳に追加

基材２と、基材２上に被覆される第１のフッ素樹脂層３と、第１のフッ素樹脂層３上に被覆される第２のフッ素樹脂層４と、第２のフッ素樹脂層４上に被覆される光触媒を含有させた第３のフッ素樹脂層５と、からなる。 - 特許庁

The pad 11P includes: a first metal layer 21 whose surface is exposed from the wiring board; a second metal layer 22 provided on the metal layer; and a third metal layer 23 which is provided between the second metal layer and a via 13 inside the board.例文帳に追加

このパッド１１Ｐは、配線基板からその表面が露出した第１の金属層２１と、該金属層上に設けられた第２の金属層２２と、該第２の金属層と基板内部のビア１３との間に設けられた第３の金属層２３とを有する。 - 特許庁

A first electrode 31 is conducted to the first intermediate conductive layer 541 through a conductive hole HC1 of a second insulating layer L2, and a second electrode 32 is conducted to the second intermediate conductive layer 542 through a conductive hole HC2 of the second insulating layer L2 and a third insulating layer L3.例文帳に追加

第１電極３１は、第２絶縁層Ｌ2の導通孔ＨC1を介して第１中間導電層５４１に導通し、第２電極３２は、第２絶縁層Ｌ2と第３絶縁層Ｌ3との導通孔ＨC2を介して第２中間導電層５４２に導通する。 - 特許庁

Since there are many parts where particles constituting the first reaction layer 12 and polymer constituting the electrolyte layer 14 contact in the third mixture layer 13, hydrogen ions ionized in the first reaction layer 12 easily flow in the electrolyte layer 14.例文帳に追加

第３の混合層１３では、第１の反応層１２を構成する粒子と電解質層１４を構成する重合体が接触している個所が多く存在するので、第１の反応層１２でイオン化した水素イオンが電解質層１４に流れ易くなっている。 - 特許庁

In addition, when a change in processing (S2, S4, S6 and S8) among the first layer DB 3, the second layer DB 5, the third layer DB 7 and the fourth layer DB 9 occurs, processing is reexecuted from a DB ahead of performing the processing.例文帳に追加

また、１層ＤＢ３、２層ＤＢ５、３層ＤＢ７および４層ＤＢ９のそれぞれの間の処理（Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ８）のいずれかに変更が発生した場合、その処理を行う前のＤＢから処理をやり直す。 - 特許庁

The first semiconductor region (the p-layer 6), the intrinsic region (the i-layer 7), the second semiconductor region (the p-layer 8), and the third semiconductor region (the n-layer 9) are arranged in line in order along a surface direction of the silicon film 11.例文帳に追加

第１の半導体領域（ｐ層６）、真性半導体領域（ｉ層７）、第２の半導体領域（ｐ層８）、及び第３の半導体領域（ｎ層９）は、シリコン膜１１の面方向に沿って、順に一列に配置されている。 - 特許庁

A first diffusion layer 8 having P type conductivity, a second diffusion layer 9 having N^+ type conductivity, and a third diffusion layer 10 having N^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＰ型である第１拡散層８、導電型がＮ^＋型である第２拡散層９、および導電型がＮ^＋型である第３拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。 - 特許庁

The hole injection layer 321 and the hole transport layer 322 are formed to protrude from the luminescent layer 323 as a single carrier layer using holes as carriers, and the protruding part is sandwiched between the third electrode 330 and the fourth electrode.例文帳に追加

正孔注入層３２１及び正孔輸送層３２２は、正孔をキャリアとするシングルキャリア層として発光層３２３からはみ出すように形成され、はみ出した部分が第３電極３３０と第４電極とに挟まれる。 - 特許庁

The wiring board 120 has a multilayer structure laminating a plurality of wiring layers and a plurality of the insulating layers, and has the configuration laminating the insulating layers for a first layer 122, a second layer 124, a third layer 126 and a fourth layer 128.例文帳に追加

配線基板１２０は、複数の配線層と複数の絶縁層が積層された多層構造であり、第１層１２２、第２層１２４、第３層１２６、第４層１２８の絶縁層が積層された構成になっている。 - 特許庁

An adhesive b between the semiconductor device C of a first layer and the semiconductor F of a second layer is different in material from an adhesive c between the semiconductor device F of the second layer and the semiconductor device G of a third layer.例文帳に追加

第１層目の半導体装置Ｃと第２層目の半導体装置Ｆとの間の接着剤ｂと、第２層目の半導体装置Ｆと第３層目の半導体装置Ｇとの間の接着剤ｃとは、材質が異なる。 - 特許庁

The third semiconductor layer 18C is formed on and in contact with the second semiconductor layer 18B and has a lattice constant that is smaller than that of the first semiconductor layer 18A and larger than that of the second semiconductor layer 18B.例文帳に追加

第３の半導体層１８Ｃは、２の半導体層１８Ｂの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さく且つ第２の半導体層１８Ｂと比べて格子定数が大きい。 - 特許庁

A first electrode 16 is formed on the opposite side of the first quantum well layer 11 of the energy barrier layer 13 and a second electrode 17 is formed on the opposite side of the second quantum well layer 12 of the third energy barrier layer 15.例文帳に追加

第１のエネルギー障壁層１３の第１の量子井戸層１１と逆側に第１の電極１６を形成し、第３のエネルギー障壁層１５の第２の量子井戸層１２と逆側に第２の電極１７を形成する。 - 特許庁

A second metal pad 112 formed on a semiconductor substrate 100 is directly connected through a second inter-layer insulation layer 106, and a third inter-layer insulation layer 110 to a first metal pad 108 and a P-poly pattern 104.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された第２メタルパッド１１２が第２層間絶縁層１０６および第３層間絶縁層１１０を介して第１メタルパッド１０８およびＰ−ポリパターン１０４と直接接続される。 - 特許庁

To provide a method of calculating the thickness of a third light transmission layer of a three-layer structure, and a method of manufacturing an SOI wafer for thinning the film thickness of an active layer, while exactly computing the thickness of the active layer.例文帳に追加

３層構造体の第３の光透過層の厚さの算出方法および活性層の厚さを正確に算出しながら前記活性層の薄膜化を行うＳＯＩウェーハの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This cushion 1 is provided with a three-layer structure consisting of a third inner cotton 13 with the smallest hardness in the most upper layer, a first inner cotton 11 with the largest hardness in a middle layer and a second inner cotton 12 with a middle hardness in the lowest layer.例文帳に追加

クッション１を、最上層が最も硬さの小さい第３の中綿１３であり、中間層が最も硬さの大きい第１の中綿１１であり、最下層が中間の硬さの第２の中綿１２である三層構造とした。 - 特許庁

A conductive alloy is used in the first layer 26 of the alloy layer laminate 20, a resistant alloy is used in the second layer 25 and a polymer is used in the third layer 24 to manufacture a part adapted to a printed wiring board, an IC package or the like.例文帳に追加

この合金層積層体２０の第１の層２６に導電性合金、第２の層２５に抵抗性合金、第３の層２４に高分子を用いることで、プリント配線板、ＩＣパッケージなどに適用される部品を製造する。 - 特許庁

In the color filter, a first part being the TN liquid crystal layer corresponding to the first color is disposed, so that the domain may be made larger than in the second and the third parts respectively being the TN liquid crystal layer corresponding to the second and the third colors.例文帳に追加

カラーフィルタは、第1色に対応するＴＮ液晶層である第1部分が、第２色及び第３色に対応するＴＮ液晶層である第２部分及び第３部分に比べて、ドメインが大きくなるように配置されている。 - 特許庁

A first block layer 112B is provided between the second insulating film 112 and the third insulating film 113, and a second block layer 113B is provided between the third insulating film 113 and the fourth insulating film 114.例文帳に追加

第２の絶縁膜１１２と第３の絶縁膜１１３との間には、第１のブロック層１１２Ｂが設けられ、第３の絶縁膜１１３と第４の絶縁膜１１４との間には、第２のブロック層１１３Ｂが設けられている。 - 特許庁

The piezo polarizations PZC1 and PZC3 of the first and third regions 25a and 25c of the channel layer 25 in the first and third regions 23a and 23c are oriented, in a direction from the barrier layer 27 to the group-III nitride semiconductor region 23.例文帳に追加

第１及び第３の領域２３ａ、２３ｃにおけるチャネル層２５の第１及び第３の領域２５ａ、２５ｃのピエゾ分極ＰＺＣ１、ＰＺＣ３は、バリア層２７からIII族窒化物半導体領域２３への方向に向いている。 - 特許庁

A first to a third film 111, 112, 113 and a resist layer 114 are formed on a substrate 101, then a pattern having a sparse part R1 and a dense part R2 is formed on the resist layer to etch the third film.例文帳に追加

基板１０１上に、第１から第３の膜１１１，１１２，１１３およびレジスト層１１４を形成した後、疎部Ｒ１と密部Ｒ２が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第３の膜をエッチングする。 - 特許庁

The impurity concentration of the fourth impurity layer PW is higher than that of the third and fifth impurity layers OFB and OFB2, and the impurity concentration of the fifth impurity layer OFB2 is higher than that of the third impurity layer OFB.例文帳に追加

第４の不純物層ＰＷにおける不純物濃度は、第３および第５の不純物層ＯＦＢ，ＯＦＢ２における不純物濃度よりも高く、第５の不純物層ＯＦＢ２における不純物濃度は、第３の不純物層ＯＦＢにおける不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

A first layer metal interconnection 49, a second layer metal interconnetion 50, and a third layer metal interconnection 52 are laminated on the upper surface of the source/drain heavily-doped region 48, and neither a contact hole nor a via hole is used for the connection from the source/drain heavily-doped region 48 to the third metal interconnection.例文帳に追加

ソース・ドレイン高濃度領域４８の上表面には第１層目の金属配線４９と第２層目の金属配線５０と第３層目の金属配線５２が積層され、ソース・ドレイン高濃度領域４８から第３金属配線までの接続にコンタクトホールやビアホールなどを利用していない。 - 特許庁

When, however, the refractive index of the third layer 30 is varied in this state to a smaller refractive index, the incident wave increases in frequency while trapped nearby the third layer to exit as a transmitted wave once the frequency reaches the frequency of a high-frequency end (a wavelength at a short-wavelength end) of the second layer 20.例文帳に追加

しかし、この状態で第３の層３０の屈折率を小さくなるように変化させると、入射波は第３の層付近にトラップされたまま、周波数が上昇し、第２の層２０の高周波数端の周波数（短波長端の波長）に達した段階で、透過波として出ていく。 - 特許庁

On the first inter-layer insulating film 14, second and third inter-layer insulating films 22 and 25 are so formed as to fill an opening 16, and a contact hole 26 is formed at the second and third inter-layer insulating films 22 and 25 at the inside part of the opening 16.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１４上に、開口１６を埋め込むようにして第２の層間絶縁膜２２および第３の層間絶縁膜２５を形成し、開口１６の内側の部分における第２の層間絶縁膜２２および第３の層間絶縁膜２５にコンタクトホール２６を形成する。 - 特許庁

A region covered with the first gate electrode 10a on the first semiconductor layer 3a, a region covered with the second gate electrode 10b on the second semiconductor layer 3b and a region covered with the third gate electrode 10c on the third semiconductor layer 3c become metal silicides, respectively.例文帳に追加

第１の半導体層3aのうちの第１のゲート電極10aにより覆われた領域、第２の半導体層3bのうちの第２のゲート電極10bにより覆われた領域及び第３の半導体層3cのうちの第３のゲート電極10cにより覆われた領域は、それぞれ金属シリサイド化される。 - 特許庁

The double-layer liquid crystal lens includes a first transparent substrate, a second transparent substrate, a third transparent substrate, a first liquid crystal layer interposed between the first transparent substrate and the second transparent substrate, and a second liquid crystal layer interposed between the second transparent substrate and the third transparent substrate.例文帳に追加

二重層液晶レンズは、第１の透明基板と、第２の透明基板と、第３の透明基板と、第１の透明基板と第２の透明基板との間に介在された第１の液晶層と、第２の透明基板と第３の透明基板との間に介在された第２の液晶層とを具備する。 - 特許庁

Then, at least one of the first insulating layer 11, the second insulating layer 12 and the third insulating layer 13 is formed of a member of a dielectric constant different from the ones of the other insulating layers.例文帳に追加

そして、第一の絶縁層１１、第二の絶縁層１２、および第三の絶縁層１３のうち、少なくとも１つの絶縁層は、他の絶縁層に対して誘電率の異なる部材で形成されている。 - 特許庁

In a third region adjacent to the second region, a control gate contact layer 12 is formed in an upper part of a layered product including layers identical to the n+ type drain layer 3 and the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

第２領域に隣接する第３領域には、ｎ＋型ドレイン層３及びｐ型半導体層４と同一層を含む積層体の上部にコントロールゲートコンタクト層１２が形成される。 - 特許庁

The thin-film resonator 10 is such that n layers (n is a natural number of 3 or above) of piezoelectric layers (first piezoelectric layer 111, second piezoelectric layer 112, third piezoelectric layer...) are provided between a first electrode 121 and a second electrode 122.例文帳に追加

薄膜共振子１０は、第１電極１２１と第２電極１２２の間にn層（nは3以上の自然数）の圧電体層（第１圧電体層１１１、第２圧電体層１１２、第３圧電体層. - 特許庁

Next, a first resist layer 27 opening on the fuse layer 18T is used as a mask to etch the second passivation film 26 to a midpoint in the thickness direction of a third insulating film on the fuse layer 18T.例文帳に追加

次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。 - 特許庁

A third adhesive layer 4 formed with the same component as that of the first adhesive layer is disposed in proximity with the second adhesive layer 3 so as to fix the bottle and label at two spots.例文帳に追加

第２の接着剤層３に近接して、上記第１の接着剤層と同じ成分で形成された第３の接着剤層４が設けられ、容器とラベルを２箇所で固定されるようにしている。 - 特許庁

This inner liner 14 is furnished with a third reinforcing layer 42 positioned on the inside in the axial direction of a region held between the first reinforcing layer 24 and the second reinforcing layer 26 of these side walls.例文帳に追加

このインナーライナー１４は、このサイドウォール６のこの第一補強層２４とこの第二補強層２６とに挟まれた領域の軸方向内側に位置する第三補強層４２を備えている。 - 特許庁

The source electrode 16A and the drain electrode 16B are formed so that a first metal layer 161, a second metal layer 162 and a third metal layer 163 are stacked from the side of the oxide semiconductor film 14.例文帳に追加

ソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂは、酸化物半導体膜１４の側から第１金属層１６１、第２金属層１６２および第３金属層１６３が順に積層してなる。 - 特許庁

This light emitting element includes: a first layer 311, a second layer 312 and a third layer 313 between a first electrode 301 and a second electrode 302 formed to face each other.例文帳に追加

対向するように設けられた第１の電極３０１と第２の電極３０２との間に、第１の層３１１と、第２の層３１２と、第３の層３１３とを有する発光素子を提供する。 - 特許庁

Then, the stator 2 has a structure including a first layer 211(221), a second layer 212(222) and a third layer 213(223); and its thickness H1 is made larger than the thickness H2 of the rotor magnet 11.例文帳に追加

そして、ステーター２は、第１層２１１（２２１）、第２層２１２（２２２）、および第３層２１３（２２３）からなる構造にするとともに、その厚さＨ１をローター磁石１１の厚さＨ２に比べて厚くした。 - 特許庁

An n-layer 6 is formed on the surface of a third region R3, and further, the AlSi layer 14c serving as a step 20 is formed at a distance from an AlSi layer 14b located at the outermost periphery.例文帳に追加

第３領域Ｒ３の表面にはｎ層６が形成され、さらに、最外周に位置するＡｌＳｉ層１４ｂから距離を隔てて、段差部２０となるＡｌＳｉ層１４ｃが形成されている。 - 特許庁

The direction through which a fourth metal wiring layer positioned on a semiconductor layer extends is so provided as to be orthogonal to the direction of third wiring layers ML30 and 37 positioned on the fourth wiring layer.例文帳に追加

半導体層の上に位置する、第４メタル配線層が延びる方向と、第４配線層の上に位置する第３配線層ＭＬ３０，３７が延びる方向とが直交するように設けられている。 - 特許庁

The heat-ray reflecting film 1 includes the first sputtering layer 31, the second sputtering layer 32 and the third sputtering layer 33 overlying a transparent substrate film 2 in order by sputtering.例文帳に追加

透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成した、第１スパッタ層３１、第２スパッタ層３２、第３スパッタ層３３とを有する熱線反射フィルム１。 - 特許庁

This sheet for a portion cup is structured by keeping the first polystyrene layer, the second polystyrene and polypropylene layer and the third polystyrene layer stacked in the order.例文帳に追加

ポリスチレンから構成されている第１層、ポリスチレンとポリプロピレンとから構成されている第２層、及び、ポリスチレンから構成されている第３層とがこの順で積層されて構成されているポーションカップ用シート。 - 特許庁

The material for induction heating has a three-layered structure consisting of a first layer 10a, a second layer 10b, and a third layer 10c, using as a base a temperature-sensitive magnetic material (to be described later) in which magnetic permeability varies by temperature.例文帳に追加

温度によって透磁率が変化する感温磁性材（後述）をベースに、第１の層１０ａと第２の層１０ｂと第３の層１０ｃとからなる三層構造によって構成する。 - 特許庁

It is preferable that a film thickness of the first conductive layer 31 is 5 to 100 nm, that of the second conductive layer 32 is 5 to 50 nm, and that of the third conductive layer 33 is 5 to 100 nm.例文帳に追加

第１導電層３１の膜厚は５〜１００ｎｍであり、第２導電層３２の膜厚は５〜５０ｎｍであり、第３導電層３３の膜厚は５〜１００ｎｍであることが好ましい。 - 特許庁

A lower coil part of a primary side is formed on a first metal layer 13, a coil part of a secondary side is formed on a second metal layer 14, and an upper coil part of the primary side is formed on a third metal layer 15.例文帳に追加

第１のメタル層１３に一次側の下側のコイル部を形成し、第２のメタル層１４に二次側のコイル部を形成し、第３のメタル層１５に一次側の上側のコイル部を形成する。 - 特許庁

On a substrate 101, first, second and third dielectric layers 102, 103, 104, a recording layer 105, a fourth dielectric layer 106 and a reflection layer 107 are successively laminated.例文帳に追加

基板１０１上に、第１誘電体層１０２、第２誘電体層１０３、第３誘電体層１０４、記録層１０５、第４誘電体層１０６、反射層１０７を順に積層した構成をとる。 - 特許庁

Characters "Battery for high/middle load" is printed on the first layer of the section 6, "Battery for low load or for charging secondary battery" on the second layer, and "To specific recycling box" on the third layer.例文帳に追加

この残容量表示部６の第１層には「高／中負荷用電池」、第２層には「低負荷用ｏｒ二次電池充電用電池」、第３層には「専用回収箱へ」という文字が印刷されている。 - 特許庁