「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The first III-V compound semiconductor layer 33 is GaAs, the second III-V compound semiconductor layer 35 is GaInNAs, and the third III-V compound semiconductor layer 37 is GaAs.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体層３３はＧａＡｓであり、第２のIII−Ｖ化合物半導体層３５はＧａＩｎＮＡｓであり、第３のIII−Ｖ化合物半導体層３７はＧａＡｓである。 - 特許庁

The power semiconductor device includes a first conductivity type second semiconductor layer 2, and a second conductivity type third semiconductor layer 3 alternately disposed on a first conductivity type first semiconductor layer 1.例文帳に追加

電力用半導体装置は、第１導電型の第１半導体層１上に交互に配設された、第１導電型の第２半導体層２と第２導電型の第３半導体層３とを有する。 - 特許庁

The source electrode 16A and the drain electrode 16B are formed so that a first metal layer 161, a second metal layer 162 and a third metal layer 163 are stacked from the side of the oxide semiconductor film 14.例文帳に追加

ソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂは、酸化物半導体膜１４の側から第１金属層１６１、第２金属層１６２および第３金属層１６３が順に積層してなる。 - 特許庁

The barrier layer 84 is formed on the diffusion prevention layer 82 at the side faces of the through hole 72 and the interconnection trench 74, while being formed on a third insulation layer 50 at the bottom of the interconnection trench 74.例文帳に追加

バリア層８４は、スルーホール７２の側面および配線溝７４の側面にて拡散防止層８２上に形成され、かつ、配線溝７４の底面にて第３絶縁層５０上に形成されている。 - 特許庁

A first active layer containing first conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate, a first electrode is provided on the first active layer, a second active layer containing second conductivity type impurities is formed on a partial region of the first active layer, a third active layer containing first conductivity type impurities is formed on the second active layer, and a second electrode is formed on the third active layer.例文帳に追加

半導体基板上に、第１の導電型不純物を含有する第１の能動層を形成し、この第１の能動層に第１の電極を設ける一方、前記第１の能動層の一部領域上に、第２の導電型不純物を含有する第２の能動層を形成するとともに、この第２の能動層上に第１の導電型不純物を含有する第３の能動層を形成し、この第３の能動層に第２の電極を形成する。 - 特許庁

A third region 34a of the third piezoelectric layer 34 is poled in a laminated direction of the piezoelectric element 2 and poled in a direction of canceling poling of the second region 18a.例文帳に追加

第３圧電体層３４の第３領域３４ａは、圧電素子２の積層方向に分極されると共に、第２領域１８ａの分極を打ち消す方向に分極されている。 - 特許庁

A third region 14a of the third piezoelectric layer 14 is polarized in a laminated direction of the piezoelectric element 2, and also is polarized in a direction of canceling polarization of the second region 18a.例文帳に追加

第３圧電体層１４の第３領域１４ａは、圧電素子２の積層方向に分極されると共に、第２領域１８ａの分極を打ち消す方向に分極されている。 - 特許庁

A third power supply wiring for supplying third power supply voltage to circuits other than the display memory is formed on the upper layer of the wirings SHD for protecting the bit lines.例文帳に追加

複数のビット線保護用配線ＳＨＤの上層には、表示メモリ以外の回路に第３の電源電圧を供給するための第３の電源供給配線が形成されている。 - 特許庁

The impurities in the third filter tank 49 are captured by the coke lumps 69 in the third filter tank 49 and the captured impurities deposit on the lower layer segments of a settling tank 45.例文帳に追加

第３濾過槽４９内の不純物は、第３濾過槽４９内のコークス塊６９に捕捉され、この捕捉された不純物は沈降槽４５の下層部分に堆積する。 - 特許庁

The first pseudo-memory cell transistor 10 comprises a third gate 2 formed on an element separation layer 21 of the second region 32; and a fourth gate 3 formed on the side of the third gate 2.例文帳に追加

第１擬似メモリセルトランジスタ１０は、第２領域３２の素子分離層２１上に形成された第３ゲート２と、第３ゲート２の側面に形成された第４ゲート３とを備える。 - 特許庁

To provide a laser beam machining method that enables a metallic layer to be drilled without using a third harmonic.例文帳に追加

第３高調波を用いることなく、金属層に穴あけ加工を行うことができるレーザ加工方法を提供する。 - 特許庁

The second and third clad layers 108 and 109 and contact layer 110 are formed in the form of a stripe-like ridge and become a current injecting region.例文帳に追加

第２、第３クラッド層、及びコンタクト層はストライプ状リッジとして形成され、電流注入領域となる。 - 特許庁

A semiconductor chip 10 is equipped with a third wiring layer composed of metal wirings 50 (50A, 50B, etc,), of copper.例文帳に追加

半導体チップ１０は、第３配線層を構成している金属配線５０（５０Ａ、５０Ｂ、……）が銅から形成してある。 - 特許庁

Then, a hydrogen barrier layer 134 is formed by aluminum oxide, or the like, and a third insulating film 131b is formed thereon.例文帳に追加

その後、酸化アルミニウム等により水素バリア層１３４を形成し、その上に第３の絶縁膜１３１ｂを形成する。 - 特許庁

On the lower layer side of the organic light emitting element 1202, a third insulating film 1207 functioning as a barrier film is formed.例文帳に追加

一方、有機発光素子１２０２の下層側にはバリア膜として機能する第３絶縁膜１２０７が形成される。 - 特許庁

The fluorescent layer includes a first fluorescent material which radiates second light and a second fluorescent material which radiates third light.例文帳に追加

蛍光層は２次光を放射する第１蛍光材料及び３次光を放射する第２蛍光材料を含む。 - 特許庁

Next, in the third step, a first insulating resin layer 4 is arranged covering the surface of the cover body 2 arranged in the first step.例文帳に追加

次に、第３の工程では、第１の工程で設けたカバー体２の表面に第１絶縁樹脂層４を覆設する。 - 特許庁

The projection light L1 reflected by the first face 21A is emitted outside the prism layer 21 via the third face 21C.例文帳に追加

第１の面２１Ａで反射された投射光Ｌ１は、第３の面２１Ｃを介してプリズム層２１の外に出射される。 - 特許庁

Rubbing directions of an alignment layer covering the third electrode 218 in the transmission part 60T and those in the reflection part 60R are different from each other.例文帳に追加

第３電極２１８を覆う配向膜は透過部６０Ｔと反射部６０Ｒとでラビング方向が異なる。 - 特許庁

Flattening is achieved by polishing the first to third coloring layers 56, 60, 64 until the polishing stopper layer 42 is exposed.例文帳に追加

第１〜第３の着色層５６，６０，６４を研磨処理して研磨ストッパー層４２が露出するまで平坦化する。 - 特許庁

The reflection part 11 is the second multilayer film 4 that is exposed from the third multilayer film 6 and the second intermediate layer 5.例文帳に追加

反射部１１は、第３の多層膜６及び第２の中間層５から露出する第２の多層膜４である。 - 特許庁

A first pad electrode 27 and a third electrode unit 31 are arranged on the other directional side of the layer structural body LS1.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１の他方面側には、第１パッド電極２７及び第３電極部３１が配置されている。 - 特許庁

A hollow linear part is formed with the first and third layers 41, 43 by removing the core material 3 and the second layer 42.例文帳に追加

その後、芯材3及び第2の層42を除去して、第1の層41及び第3の層43により中空線状部を形成する。 - 特許庁

The third layer has a total light transmissivity of ≥90%, a haze of ≤1% and a thickness of 1-10 mm.例文帳に追加

第３層：全光線透過率が９０％以上であり、ヘイズが１％以下であり、厚みが１〜１０ｍｍである層。 - 特許庁

On the other surface side of the layer structure LS1, a first pad electrode 27 and a third electrode portion 81 are disposed.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１の他方面側には、第１パッド電極２７及び第３電極部８１が配置されている。 - 特許庁

However, this temple has a special style; there are three areas between the pillars in the first and second layers, while there are two areas between the pillars in the third layer. 例文帳に追加

しかしこの塔は初層・二層の柱間が3間、三層の柱間が2間という特殊な形式になる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A protection layer 180 is stacked, on which a photosensitive film pattern including first, second, and third portions is formed.例文帳に追加

保護膜１８０を積層し、その上に、第１部分、第２部分、及び第３部分を含む感光膜パターンを形成する。 - 特許庁

A third underlayer 3 and a second underlayer 4 are successively formed and then a Ru layer is formed as a first underlayer 5.例文帳に追加

続いて第３下地層３および第２下地層４を形成した後、第１下地層５としてＲu層を形成する。 - 特許庁

Then, wiring 19 as third wiring connects the wiring 17 divided while striding over the insulating layer 15.例文帳に追加

そして、第３配線としての配線１９が、絶縁層１５の上を跨いで分断された配線１７を接続している。 - 特許庁

In parts of the surface of the second semiconductor layer 14, third semiconductor layers 15 are provided and constitute source regions.例文帳に追加

第２の半導体層１４の表面部の一部に第３の半導体層１５が設けられ、ソース領域を構成している。 - 特許庁

On the outer surface on the side of the third soil layer 33 of the second sheet body 24, a bag body 58 enclosing sediment is attached.例文帳に追加

第２シート体２４の第３土層３３側の外面には、土砂が封入された袋体５８が取り付けられている。 - 特許庁

The surface 151 of the surface layer part projects above the surfaces 121, 131 of the second and third center parts 12, 13.例文帳に追加

表層部１５の表面１５１は、第２、第３中央部１２、１３の表面１２１、１３１よりも突出している。 - 特許庁

An insulating layer 17 is provided on the third region 13c of the semiconductor region 13 and the conductor 15.例文帳に追加

絶縁層１７は、半導体領域１３の第３の領域１３ｃおよび導電体１５上に設けられている。 - 特許庁

Then the uppermost layer circular patch 210 transceives a first radio wave with a first frequency and the intermediate layers respectively transceive the second and third radio waves.例文帳に追加

そして、最上層円形パッチ210で第１の周波数電波と中間層で第２，第３の電波を送受信する。 - 特許庁

While thermalizing the multiplied neutron energy by the moderate layer 4, the thermalized neutrons are applied to the third target 5.例文帳に追加

増倍した中性子のエネルギーをモデレート層４で熱化しつつ、熱化した中性子を第三ターゲット５に照射する。 - 特許庁

The belt layer includes at least first, second and third belt plies sequentially arrange from an innermost side of a tire radial direction.例文帳に追加

ベルト層はタイヤ半径方向の最内側から順次配された第１、第２及び第３のベルトプライを少なくとも含む。 - 特許庁

In another embodiment, the third layer is formed of cellophane which reacts to light having a specific wavelength and on which the object is already drawn.例文帳に追加

あるいは、第３の層を、特定の波長を持つ光に反応するオブジェクト描画済みのセロファンで形成する。 - 特許庁

Then a hydrogen barrier layer 134 is formed of an aluminum oxide, etc., and a third insulating film 131b is formed thereon.例文帳に追加

その後、酸化アルミニウム等により水素バリア層１３４を形成し、その上に第３の絶縁膜１３１ｂを形成する。 - 特許庁

Silicon and oxygen are taken in during growth of the third nitride gallium layer 8 to raise the concentration of n-type impurities.例文帳に追加

第３の窒化ガリウム層８が成長するときにシリコンや酸素が取り込まれて、ｎ型不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁

The metallic wiring layer 30 has a lower conductive layer 30A, a first layer 34 composed of aluminum or an aluminum alloy, a second layer 36 formed on the first layer 34 and composed of an intermetallic compound (aluminum nitride), and a third layer 38, formed on the second layer 36 and composed of a metallic nitride (titanium nitride) which serves as an antireflection coating.例文帳に追加

金属配線層３０は、下部導電層３０Ａ、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１の層３４、第１の層の上に形成された金属間化合物（窒化アルミニウム）からなる第２の層３６、および第２の層の上に形成された、反射防止膜としての金属の窒化物（窒化チタン）からなる第３の層３８を有する。 - 特許庁

A first insulating layer and a third insulating layer configuring each wiring layer 100 contain a silicon carbide/nitride film, silicon carbide and/or silicon oxide, the second insulating layer of a lower wiring layer contains the silicon oxide, and the second insulating layer of an upper wiring layer contains fluorinated silicon oxide and/or carbonated silicon oxide.例文帳に追加

各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。 - 特許庁

In a manufacturing method of a layer arrangement of the present invention, a first layer (203) having a thickness larger than a minimum thickness for the epitaxial growth of a second layer (408) is formed, a second layer (408) is epitaxially grown on the first layer (203), and a third layer (409) is formed on the second layer (408).例文帳に追加

本発明の層配置の製造方法においては、基板上であって基板の第１の面上に、第２の層（４０８）のエピタキシャル成長のための最小厚さより大きい厚さを有する第１の層（２０３）が形成され、第１の層（２０３）上に第２の層（４０８）がエピタキシャル成長させられ、第２の層（４０８）上に第３の層（４０９）が形成される。 - 特許庁

The heat sink 10 comprise a mounting layer 11 on which a semiconductor element 10a is mounted, a thermal stress softening layer 15 of a three-layer structure including a first thermal stress softening layer 12, a second thermal stress softening layer 13 and a third thermal stress softening layer 14, and a heat radiating layer 16 for radiating outside heat generated by the semiconductor element 10a.例文帳に追加

本発明の多層ヒートシンク１０は、半導体素子１０ａを搭載する搭載層１１と、第１熱応力緩和層１２と第２熱応力緩和層１３と第３熱応力緩和層１４からなる３層構造の熱応力緩和層１５と、半導体素子１０ａが発生した熱を外部に放出する放熱層１６を備えている。 - 特許庁

A regular tetrahedron channel 2 is formed at a wafer 1, and a memory part 3 is formed, which comprises a channel layer 21 which is a first semiconductor layer and functions as a channel, a floating layer 22 of a three-layer structure which is a second semiconductor layer functioning as a floating gate, and an electrode contact layer 23 which is a third semiconductor layer for assuring a drain contact.例文帳に追加

ウェハ１に正四面体溝２を形成し、チャネルとして機能する第１の半導体層であるチャネル層２１と、フローティングゲートとして機能する第２の半導体層である３層構造のフローティング層２２と、ドレインコンタクトを確保するための第３の半導体層である電極コンタクト層２３とから構成されるメモリ部３を形成する。 - 特許庁

The flexible printed circuit board includes a first insulating layer, a conductive layer having a signal line and a ground line, a second insulating layer laminated on the conductive layer and having an opening opened on the ground line, a ground layer laminated on the second insulating layer so as to cover the signal line and electrically connected to the ground line, and a third insulating layer covering the ground layer.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板は、第１の絶縁層と、信号ラインおよびグランドラインを有する導体層と、導体層に積層され、グランドラインの上に開口された開口部を有する第２の絶縁層と、信号ラインを覆うように第２の絶縁層に積層されるとともにグランドラインに電気的に接続されたグランド層と、グランド層を覆う第３の絶縁層と、を含む。 - 特許庁