「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

This is so constituted that a layer containing a light-emitting material is formed between a first electrode and a second electrode, and a third electrode is provided that is connected to the first electrode via an aperture formed on the second electrode and the layer containing the light-emitting substance.例文帳に追加

第１の電極と、第２の電極との間に、発光物質を含む層が形成され、第２の電極と、発光物質を含む層とに形成された開口部を介して、第１の電極と接続する第３の電極が備えられている構成とする。 - 特許庁

(4) A field effect transistor uses a third electrode to control the current amount of a semiconductor layer as a current flow passage between a first electrode and a second electrode, wherein the semiconductor layer is made of the functional organic thin film according to (1) or (2).例文帳に追加

（４）第一の電極と第二の電極間の電流流路である半導体層の電流量を、第三の電極によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、該半導体層が（１）又は（２）記載の機能性有機薄膜からなる電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

When plasma emission is monitored during dry etching and an emission wavelength derived from nitrogen is monitored, the silicon oxide nitride film in the third insulation layer 3 is eliminated and exposure of the silicon oxide nitride film in the second insulation layer 2 is detected thus ending the etching.例文帳に追加

ドライエッチング中にプラズマ発光のモニタリングを行って窒素由来の発光波長をモニタリングすることにより、第３の絶縁層３のシリコン酸窒化膜がなくなり、第２の絶縁層２のシリコン酸窒化膜が露出してきたことが検出され、エッチングを終了する。 - 特許庁

Regarding the wire drawing furnace 10, a glass preform 1 for an optical fiber is heated and melted in the body 16 of a furnace core tube, so as to produce an optical fiber 2, in which laminated carbon foils 13 to 15 from the first layer to the third layer are arranged at the inside of the body 16 of the furnace core tube.例文帳に追加

光ファイバ用ガラス母材１を炉心管本体１６内で加熱溶融して光ファイバ２を製造する線引炉１０であって、炉心管本体１６内に、積層された第１層目〜第３層目のカーボンフォイル１３〜１５が配置されている。 - 特許庁

Fourth color layers 37, fifth color layers 38 and sixth color layers 39 different from one another in color are disposed by gravure printing on the third color layer 30c to give close print with a repetitive pattern.例文帳に追加

第３色層３０ｃの上層に、それぞれが異なる色の第４色層３７、第５色層３８、第６色層３９をグラビア印刷により設け、繰り返し模様の細かい印刷を施す。 - 特許庁

The holding capacity 70 is provided from a non-aperture area to the aperture area of a third layer and extended to the aperture area to be superposed to a pixel electrode 9a in plane view.例文帳に追加

保持容量７０は、第３層の非開口領域から開口領域に渡って設けられており、平面的に見て画素電極９ａと重なるように開口領域に延在されている。 - 特許庁

A part of the alumina thin film 8a on the surface of the lower electrode 7 is removed off, and an extraction electrode 17b connected to the lower electrode 7 is formed by the use of the other part of the third metal layer 16.例文帳に追加

また、下部電極表面のアルミナ薄膜８ａの一部を除去して、第３金属層１６の他の一部を用いて下部電極７に接続された引出電極１７ｂを形成する。 - 特許庁

When manufacturing the multilayer wiring board 10, via holes 11, 12 are formed as alignment marks to an edge of a core substrate 5 in the widthwise direction thereof, and a third layer 6 is then formed not closing these via holes 11, 12.例文帳に追加

多層配線基板１０を製造する際には、コア基板５の幅方向の縁部にビアホール１１，１２をアライメントマークとして形成し、これらビアホール１１，１２を塞がないように第３層６を形成する。 - 特許庁

Also, when Co-Fe-B in a third ferromagnetic layer on MgO is film-formed, it is formed while holding the temperature of the substrate at 100°C below freezing point, to obtain amorphous Co-Fe-B of B concentration of 6 at%.例文帳に追加

また、MgO上の第３の強磁性層中のCo-Fe-Bを成膜する際にも基板を氷点下１００℃に保持しながら形成することにより、Ｂ濃度6at%のアモルファス状のCo-Fe-Bを得ることができる。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

First and second conductors for coils are formed around each of the first and second openings 11A and 11B on the third-sixth layer substrates 10-3 to 10-6.例文帳に追加

第３層〜第６層目の基板１０−３〜１０−６上において、第１および第２の開口部１１Ａ，１１Ｂのそれぞれの周囲には、第１および第２のコイル用導体が形成されている。 - 特許庁

To simultaneously correct the third-order components and fifth-order components of spherical aberration generated due to differences (including difference errors) in thickness of a cover layer to excellently correct aberration even in an optical system in which high-order aberration occurs.例文帳に追加

カバー層の厚さ（厚み誤差を含む）の相違で生じる球面収差の３次と５次の成分を同時に補正して、高次の収差が発生する光学系においても良好に収差補正を行う。 - 特許庁

After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加

第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁

A power conductor, having relatively large width, is routed on a third metal layer, to reduce the size of the power conductor on a first and second metal layers and remove it in some cases.例文帳に追加

相対的に幅の広いパワーコンダクタは第３金属層上でラウティングされて、第１及び第２金属層上でパワーコンダクタの大きさを減少させたり、場合によっては除去させたりする。 - 特許庁

A third passivation film 45 is provided beneath an EL element 203 made up of a pixel electrode (positive electrode) 46, an EL layer 47, and a negative electrode 48, thereby radiating the heat generated in the EL element 203.例文帳に追加

画素電極（陽極）４６、ＥＬ層４７及び陰極４８でなるＥＬ素子２０３の下には第３パッシベーション膜４５が設けられ、ＥＬ素子２０３で発生した熱を逃がす構造となっている。 - 特許庁

In a process of forming a first conductive wiring layer 11A by etching the first thin conductive film 11, an etching depth can be controlled by stopping etching with the third conductive film 13.例文帳に追加

第１の導電膜１１をエッチングすることにより導電配線層１１Ａを形成する工程では、第３の導電膜１３でエッチングがストップすることにより、エッチングの深さを制御することができる。 - 特許庁

The color filter array 58 is subjected to etching using the photo resist layer 59 as a mask by using a dry etching device to form color filter array removed parts 61 at the boundaries from the first to third colored layers 41, 54 and 57.例文帳に追加

フォトレジスト層５９をマスクとしてカラーフィルタアレイ５８をドライエッチング装置でエッチング処理し、第１〜第３の着色層４１，５４，４６の境界にカラーフィルタアレイ除去部６１を形成する。 - 特許庁

A first conductive type of third and fourth semiconductor layers 5, 6 substantially composed of the diffused layer of a lower resistance than the first and second semiconductor layers are formed on the surface of the first and second trenches.例文帳に追加

第１及び第２トレンチの表面内に、第１及び第２半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第１導電型の第３及び第４半導体層５、６が形成される。 - 特許庁

Most electromagnetic waves in the LSM_01 mode propagate in the third dielectric layer 13 whose dielectric constant is relatively higher in a region sandwiched between the lines of the first and second through-holes 21, 22.例文帳に追加

第１および第２のスルーホール２１，２２の列によって挟まれた領域内において、ＬＳＭ_01モードの電磁波のほとんどが、相対的に誘電率の高い第３の誘電体層１３内を伝搬する。 - 特許庁

The magnetic recording medium comprises a substrate, first, second and third underlayers formed on the substrate, and a magnetic data recording layer formed on the underlayers.例文帳に追加

本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板と、前記基板の上に形成される第１、第２、及び第３の基層と、前記基層の上に形成される磁気データ記録層と、を含んでいる。 - 特許庁

The minus electrode layer 6 includes first to fourth minus split electrodes 61A to 64B, and a minus diagonal connection electrode 65A for connecting the first and third minus split electrodes 61A, 63A.例文帳に追加

マイナス電極層６は、第１〜第４マイナス分割電極６１Ａ〜６４Ｂと、第１及び第３マイナス分割電極６１Ａ，６３Ａを接続するマイナス対角接続電極６５Ａとを有する。 - 特許庁

The new condom 1 covers the penis essentially in its full length and the adhesive layer 2 is situated in the area closer to the open end of the condom, preferably on the first one third thereof.例文帳に追加

この新規なコンドーム１は、ペニスをその実質的に完全な長さで覆い、また前記接着剤層２はコンドームの開放端に近接して配置され、好ましくは前記開放端の最初の１／３に位置する。 - 特許庁

In addition, the third belt ply 18C secures rigidity in the vicinity of the end of the main crossing layer and lighten tire weight while suppressing belt separation resulting from the oxygen-deterioration of the coating rubber 22A.例文帳に追加

また、第３のベルトプライ１８Ｃによって主交錯層の端部付近の剛性を確保し、該コーティングゴム２２Ａの酸素劣化に起因するベルトセパレーションを抑えつつ、軽量化を図ることができる。 - 特許庁

The second film is removed by using the third film and the resist layer as masks until the first film is exposed in the sparse part R1 but the second film remains in the dense part R2.例文帳に追加

次に、前記第３の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部Ｒ２内では前記第２の膜が残存するが、疎部Ｒ１内では前記第１の膜が露出するまで、前記第２の膜を除去する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes: a first electrode; a transistor formed on a semiconductor substrate and having a second electrode: and third and fourth electrodes formed on the same wiring layer.例文帳に追加

半導体集積回路であって、第１の電極と、半導体基板上に形成され、第２の電極を有するトランジスタと、同一の配線層に形成された第３及び第４の電極とを有する。 - 特許庁

A light-emitting layer 214 of the light-emitting element 212 is divided into a first region (R) for emitting red light, a second region (G) for emitting green light, and a third region (B) for emitting blue light.例文帳に追加

発光素子２１２の発光層２１４は、赤色光を発光する第１領域（Ｒ）と、緑色光を発光する第２領域（Ｇ）と、青色光を発光する第３領域（Ｂ）とに分かれている。 - 特許庁

A third analog port 4c, arranged in a conventional physical layer chip, is removed, a digital signal outputted from a logic circuit 3 is put directly outside the chip 1 and it is detected by a logic tester 9 detects.例文帳に追加

従来の物理層チップに設けられている３つ目のアナログポート４ｃを取り除き、ロジック回路３から出力されるデジタル信号を直接チップ１の外に出し、ロジックテスタ９で検出する。 - 特許庁

In the chamber of the film formation furnace 8b of the processing apparatus 8, a conductive film 89 for an electrode grows on an exposed surface of the p-type contact layer 35 to form a third substrate product E3.例文帳に追加

処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバにおいて、ｐ型コンタクト層３５の露出された表面の上に、電極のための導電膜８９を成長して、第３の基板生産物Ｅ３を形成する。 - 特許庁

Even when the protrusion 15 is formed on the pad part 20 by the measuring needle, the protrusion 15 is not brought into contact with the counter electrode 11 because the pad part 20 is formed to be lower than the third metal layer 4.例文帳に追加

パッド部２０は、第３メタル層４より掘り下げて形成されているので、測定針によりパッド部２０に突起１５が形成されても、該突起１５が対向電極１１に接触することはない。 - 特許庁

After having formed the metal wirings by patterning the laminated layer 105 for wiring, a third interlayer insulating film is formed on the metal wirings so that there is the gap between the metal wirings.例文帳に追加

配線用積層膜１０５をパターニングして金属配線を形成した後、該金属配線の上に第３の層間絶縁膜を、金属配線同士の間に空隙が存在するように形成する。 - 特許庁

The composition inclining layer contains a third element of at least one element selected from W, Mo, Cr, Co, Fe, Mn, Ni, and P.例文帳に追加

組成傾斜層は、集電体に含まれる元素及び負極活物質薄膜に含まれる元素の他にＷ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、及びＰの中から選ばれた少なくとも１つの第３元素を含む。 - 特許庁

The coding device 106 also records past coding parameters of first, second, or third generation on user_data of a picture layer, and performs multiplexing to coding stream ST of fourth generation and outputting to a channel encoding device 602.例文帳に追加

符号化装置１０６はまた、第１世代乃至第３世代の過去の符号化パラメータをピクチャ層のuser_dataに記録し、第４世代の符号化ストリームSTに多重化して、チャンネルエンコーディング装置６０２に出力する。 - 特許庁

With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.例文帳に追加

これにより、第１層間膜１３、第２層間膜１５、第３層間膜１７およびパッシベーション膜２２の各側面は、封止樹脂層４の溝３１に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁

At the third step, the solvent is applied onto the coating film and after 1-300 seconds have passed, the upper layer portion of the coating film is removed by rotating the substrate for 30-300 seconds at 500-5,000 (revolutions per minute) revolving speed.例文帳に追加

第３工程が、前記塗布膜上に溶剤を塗布し、１〜３００秒間経過後、前記基板を回転速度５００〜５０００（回／分）、回転時間３０〜３００秒で回転することによる。 - 特許庁

The core layer 13 comprises a first linear part 13a and a second linear part 13b that bisect each other at right angles, and a third linear part 13c which slopes approximately 45° to the first and second linear parts 13a and 13b.例文帳に追加

コア層１３は、直交する第１直線部１３ａと第２直線部１３ｂ、及び第１，第２の各直線部１３ａ，１３ｂに対してほぼ45°傾いた第３直線部１３ｃを有する。 - 特許庁

The first polarizing plate 2, the first retardation plate 3, the second retardation plate 8, the third retardation plate 9 and the second polarizing plate 10 are disposed by setting their disposition angles based on the alignment axis of an alignment layer.例文帳に追加

また、第１偏光板２、第１位相差板３、第２位相差板８、第３位相差板９、第２偏光板１０は、配向膜の配向軸を基準に配置角度を設定し配置する。 - 特許庁

According to this installation method, the installation is divided into the first to third construction work periods, in the first construction work period, the elevator is installed in a lower layer shaft 3 by an ordinary installation method to be used as an elevator for construction work.例文帳に追加

据付方法を第一期工事から第三期工事に分けて、第一期工事では、通常の据付方法で下層昇降路３にエレベータを据え付け、工事用エレベータとして使用する。 - 特許庁

Next, the edge 14 of the chip element 12 is immersed into a flat-surface-like third paste 33 of the same thickness to the second paste layer 32 again, and a part of the electrode film M is removed further.例文帳に追加

この後、第２ペースト層３２と同様の厚さで平面状に形成された第３ペースト層３３に、チップ素子１２の端部１４を再度浸漬し、電極膜Ｍの一部をさらに取り除く。 - 特許庁

The electrophotographic member includes a polysiloxane having a first unit represented by SiO_0.5R^1(OR^2)(OR^3), a second unit represented by SiO_1.0R^4(OR^5) and a third unit represented by SiO_1.5R^6 in an outermost layer.例文帳に追加

最外層に、ＳｉＯ_0.5Ｒ^1（ＯＲ^2）（ＯＲ^3）で示される第１のユニット、ＳｉＯ_1.0Ｒ^4（ＯＲ^5）で示される第２のユニットおよびＳｉＯ_1.5Ｒ^6で示される第３のユニットを有するポリシロキサンを含有する。 - 特許庁

The transformer device 10 has a primary winding 15 and a secondary winding 13 wound around an outer peripheral surface of a third leg portion (core) 11d one over the other, the primary winding 15 being disposed as an outermost layer.例文帳に追加

第三脚部（コア）１１ｄの外周面に一次巻線１５と二次巻線１３とが積層するように巻回されたトランス装置１０であって、最外層に一次巻線１５を配置した。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes a first substrate 1, second substrate 2, liquid crystal layer 3, first optical plate 6, second optical plate 7, first polarizing plate 4, third optical plate 8, fourth optical plate 9, and second polarizing plate 5.例文帳に追加

液晶表示素子は、第１基板1、第２基板2、液晶層3、第１光学板6、第２光学板7、第１偏光板4、第３光学板8、第４光学板9、第２偏光板5を備える。 - 特許庁

The third layer of material is disposed between the first and second layers and is a material which substantially prevents diffusion between the first and second layers of material.例文帳に追加

第３の材料層は、第１の材料層と第２の材料層との間に配置されかつ第１の材料層と第２の材料層の間で拡散するのを実質的に阻止する材料である。 - 特許庁

The first internal electrode layer 20 has a first internal electrode 22 extending to be led out to the first side face 4, and a second internal electrode 24 extending to be led out to the third side face 8.例文帳に追加

第１の内部電極層２０は、第１の側面４に引き出されるように伸びる第１の内部電極２２と、第３の側面８に引き出されるように伸びる第２の内部電極２４とを有する。 - 特許庁

The third mask defines a common line 510 and a data line 520 on the insulating layer, and simultaneously forms a source electrode 530 and a drain electrode 540 on the island of the semiconductor to form a TFT structure.例文帳に追加

第３マスクは、ゲート絶縁層上に共通線５１０とデータ線５２０を定義し、同時に半導体の島上にソース電極５３０とドレイン電極５４０を形成して、ＴＦＴ構造を形成する。 - 特許庁

The third semiconductor layer 3 includes a fundamental part 3F and a high impurity amount part 3H formed locally such that the amount of the impurity becomes larger than the fundamental part in a depthwise direction.例文帳に追加

第３半導体層３は、基本部分３Ｆと、深さ方向において不純物量が基本部分よりも大きくなるように局所的に形成された高不純物量部分３Ｈと含む。 - 特許庁