「third layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

When forming a modified area on a layer immediately above an electrode 6, in other words, when forming a fourth modified area d on a lowest layer of an opposing substrate 2, the laser beam condensing property is enhanced more than when forming first to third, fifth and sixth modified areas a-c, e, f on other layers.例文帳に追加

電極６の直上の層に改質領域を形成するときに、つまり、対向基板２の最下層に第４の改質領域ｄを形成するときには、他の層に第１〜３、５および６の改質領域ａ〜ｃ，ｅ，ｆを形成するときよりも、レーザ光の集光性を高めるようにした。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer comprises a first portion 8a located in an area, including an area which opposes thin-film coils 12, 18, a second portion 8b which forms a magnetic pole portion and is connected to the first portion 8a, and a third portion for connecting the first portion 8a with a upper magnetic pole layer.例文帳に追加

下部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分８ａと、磁極部分を形成し、且つ第１の部分８ａに接続された第２の部分８ｂと、第１の部分８ａと上部磁極層とを接続するための第３の部分とを有している。 - 特許庁

This method for manufacturing the model is achieved by carrying out a first step to create a backup structure 1, a second step to blow a foamable resin 21 to the surface of the backup structure 1 and a third step to finish the surface of a surface layer by cutting the surface of a foamable resin layer 2 after the setting of the foamable resin 21.例文帳に追加

バックアップ構造体１を作成する第１工程と、バックアップ構造体１の表面に、発泡性樹脂２１を吹き付ける第２工程と、発泡性樹脂２１が硬化した後、その発泡性樹脂層２の表面を切削して表層表面を仕上げる第３工程と、を実行する方法とした。 - 特許庁

Consequently, the magnetization of the both side areas 15a of the free magnetic layer 15 can be fixed by appropriately forming the magnetization in a single magnetic domain in the track width direction by the synergistic effect of a magnetic field bonded with exchange interaction generated between the magnetic layer 15 and the third antiferromagnetic layers and a vertical bias magnetic field from the hard bias layers 18.例文帳に追加

これにより前記フリー磁性層１５の両側領域１５ａの磁化を、前記第３反強磁性層２１との間で発生する交換結合磁界と、ハードバイアス層１８からの縦バイアス磁界との相乗効果によって、適切にトラック幅方向に単磁区化し固定することができる。 - 特許庁

A second layer probe inspection pad metal 300 for laying a part of probe inspection pad in layer by lowering a first power supply main line 123 while ensuring a sufficient distance L2, and a contact 310 for touching the third and second layers of that probe inspection pad are arranged in an I/O cell 301.例文帳に追加

入出力セル３０１において、距離Ｌ２を十分に取り、第１の電源幹線１２３を下げて、プローブ検査用パッドの一部を積層化するための第２層プローブ検査用パッドメタル３００と、そのプローブ検査用パッドの第３層と第２層とを接続するためのコンタクト３１０とを配する。 - 特許庁

Here, in the element substrate manufacturing process (S301), from among the plurality of the organic compound layers, the plurality of the organic compound layers are formed so that a first organic compound layer having the lowest glass transition temperature will be pinched between the second and third organic compound layers of glass transition temperatures higher than that of the first organic compound layer.例文帳に追加

ここで、素子基板製造工程（Ｓ３０１）では、複数の有機化合物層のうち、ガラス転移温度が最も低い第1の有機化合物層が、第1の有機化合物層よりガラス転移温度が高い第２および第３の有機化合物層の間で挟持されるように、複数の有機化合物層を形成する。 - 特許庁

A first conductive part 15a and a second conductive part 15b constituted as rectangular frames are respectively provided on the upper surfaces of the second insulating layer and a third insulating layer 22 spaced in parallel with the extending direction of the pseudo-post part so as to surround the pseudo-post part.例文帳に追加

この擬似ポスト部を取り囲むように、当該擬似ポスト部の延在方向に互いに平行に離間されている、第２の絶縁層及び第３の絶縁層２２のそれぞれの上面上に、四角い枠状部として構成されている第１の導電部１５ａ及び第２の導電部１５ｂがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A semiconductor layer 103 is covered with a gate electrode 104 and a second shading part 106, so as to be completely shaded from light 117 diffracted at the end of a third shading layer 108, with a TFT being capable of avoiding variations in the characteristics, and realizing a superior display image.例文帳に追加

第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 - 特許庁

One wiring layer 22 is conducted on a side electrode formed in a through hole 2d on a break line 29 of the first side via an extended part 22a and the other wiring layer 22 is conducted on the side electrode formed in a through hole 2d on a break line 29 of the third side via the extended part 22a.例文帳に追加

一方の配線層２２は、第１辺のブレイク線２９上のスルーホール２ｄに形成された側面電極に、延在部２２ａを介して導通しており、他方の配線層２２は、第３辺のブレイク線２９上のスルーホール２ｄに形成された側面電極に、延在部２２ａを介して導通している。 - 特許庁

The imaging lens 1 includes, successively from a subject side, a first optical lens 2 composed of a convex lens, the liquid crystal lens 3 in which an intra-surface refractive index distribution of a liquid crystal layer is changed according to the voltage applied to the liquid crystal layer sealed between opposed transparent substrates, a second optical lens 4, and a third optical lens 5.例文帳に追加

撮像レンズ１は、被写体側から順に、凸レンズよりなる第１の光学レンズ２と、対向する透明基板間に封入された液晶層に印加する電圧に応じて液晶層の面内屈折率分布が変化する液晶レンズ３と、第２の光学レンズ４と、第３の光学レンズ５を備えている。 - 特許庁

Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.例文帳に追加

レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁

A part of an interlayer insulating film 19A, which is exposed to an area wherein an opening 21 corresponding to a wiring pattern in the second layer of a hard mask film 18 and an opening 23 corresponding to a wiring pattern in the first layer of a third resist pattern 22 overlap, is etched to form via openings 26 and 27.例文帳に追加

ハードマスク膜１８における２層目配線パターンと対応する開口部２１と、第３のレジストパターン２２における１層目配線パターンと対応する開口部２３とが重なった領域に露出する部分の層間絶縁膜１９Ａに対してエッチングを行うことによって、ビア開口部２６及び２７を形成する。 - 特許庁

First, second, third and fourth sheet-like piezoelectric layers 21, 22, 23 and 24 are laminated while screen printing individual electrodes 25 and common electrodes 26 between respective layers and a first thin metal film 27 is formed on the uppermost layer while a second thin metal film 28 is formed on the lowermost layer thus constituting a piezoelectric element 20.例文帳に追加

シート状の第１圧電体層２１、第２圧電体層２２、第３圧電体層２３、及び第４圧電体層２４を、各々の間に個別電極２５と共通電極２６をスクリーン印刷しながら積層し、最上層に第１金属薄膜２７を、最下層に第２金属薄膜２８を形成して圧電素子２０を構成する。 - 特許庁

By forming a first layer metal film 3a to improve close contact with a substrate, a second metal film 3b to prevent diffusion, a third layer metal film of low resistance, and a fourth metal film 3d for protection, it is possible to achieve low-resistance and low-capacitance wiring and electrodes for external connection.例文帳に追加

基板との密着性を向上させる第１層金属膜３ａ、拡散を防止する第２金属膜３ｂ、低抵抗の第３層金属膜３ｃおよび保護のための第４金属膜３ｄを形成することで、低抵抗かつ低静電容量の配線および外部接続用電極が達成できる。 - 特許庁

A second contact hole 42a passing through a second interlayer dielectric 42 and a third interlayer dielectric 43 is formed at a position off the upper layer side light reflecting film 7a, and a reflecting film pattern 5c comprising the lower layer side light reflecting film is formed at a position overlapped with the second contact hole 42a in the plane view.例文帳に追加

第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３を貫通する第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａからずれた位置に形成され、第２コンタクトホール４２ａに対して平面視で重なる位置には下層側光反射膜からなる反射膜パターン５ｃが形成されている。 - 特許庁

Further, since the third layer 16 comprising the mixed transmission body as the first layer 12 provided on a reduction side is provided on an oxidation side in the same thickness dimension, even when the oxygen separation membrane 10 is exposed to a high temperature at usage or the like, difference of the thermal expansion amount on both surfaces is not generated.例文帳に追加

しかも、還元側に設けられた第１層１２と同一の混合伝導体から成る第３層１６が酸化側にも同一の厚さ寸法で設けられていることから、使用時等において酸素分離膜１０が高温に曝された場合にも、その両面における熱膨張量の相違が生じない。 - 特許庁

A mesh power wiring that is constituted of first power wirings 110, second power wirings 120, and mesh power wiring conducts 130 is connected to strap power wirings 140 on a third wiring layer, which is more on the substrate side than the wiring layer of the mesh power wiring, by strap power wiring contacts 150.例文帳に追加

第１の電源配線１１０、第２の電源配線１２０、およびメッシュ電源配線用コンタクト１３０によって構成されたメッシュ電源配線と、メッシュ電源配線の配線層より基板側の第３の配線層上のストラップ電源配線１４０とがストラップ電源配線用コンタクト１５０によって接続される。 - 特許庁

This method for producing an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one crystal surface, a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of voids on the crystal surface of the substrate, and a third step of growing an epitaxial layer on the crystal surface of the substrate.例文帳に追加

本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

The substrate with a built-in electronic component has: a second conductive pattern 6 that is provided inside a first insulating layer 1 and is made of a first metal; and a via hole 8 passing through a second insulating layer 4 and connecting the second conductive pattern 6 to a third conductive pattern 7 electrically, with a second plating film 9.例文帳に追加

本発明の電子部品内蔵基板は、第１絶縁層１の内部に設けられた第１金属からなる第２導電性パターン６を備え、第２絶縁層４を貫通し、第２めっき膜９により第２導電性パターン６と第３導電性パターン７とを電気的に接続するビアホール８を備える。 - 特許庁

The second internal electrode layer 26 has a third internal electrode 28 extending to be led out to the first and second side faces 4 and 6, and a fourth internal electrode 30 extending to be led out to the fourth side face 10.例文帳に追加

第２の内部電極層２６は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁

The second semiconductor layer has a third portion covering at least a portion of a top surface of the first portion and a fourth portion covering at least a portion of side surfaces of the second portion, contains the nitride semiconductor, and has a second conductivity type.例文帳に追加

第２半導体層は、第１部分の上面の少なくとも一部を覆う第３部分と、第２部分の側面の少なくとも一部を覆う第４部分と、を有し、窒化物半導体を含み第２導電形である。 - 特許庁

Reflectors 7 are provided on the rear surface side of the antenna device at a prescribed angle with respect to the surface of the radiating element, and the reflectors 7 are made to conduct to the ground conductor plate or an auxiliary conductor plate 9 provided through the third dielectric layer.例文帳に追加

そしてアンテナ・ユニットの裏面側に、地導体板と導通させて、或いは第３の誘電体層を介して設けた補助導体板９と導通させて、放射素子の面に対して所定の角度をなしてリフレクタ７を設ける。 - 特許庁

The device body 11 determines, whether the selection candidate is present in a third layer 31c within the address database 31 or not back to the step S26, and displays the selection candidate on a display 2 when the determination result is YES.例文帳に追加

次いで、検索装置本体１１は、ステップＳ２６に戻って住所データベース３１内の第３階層３１ｃに選択候補があるか否かを判定し、この判定がＹＥＳの場合には選択候補をディスプレイ２に表示する。 - 特許庁

A first resonator 26 penetrates an electrode 36 formed in the principal plane of a fourth dielectric layer S4, and the first to third dielectric layers S1-S3 and has a via-hole 38 which connects the electrode 36 and a ground electrode 18.例文帳に追加

第１の共振器２６は、第４の誘電体層Ｓ４の主面に形成された電極３６と、第１〜第３の誘電体層Ｓ１〜Ｓ３を貫通し、且つ、電極３６とアース電極１８とを接続するビアホール３８とを有する。 - 特許庁

The constituent part includes a third N-type region 22 of high doping level formed under a layer part which is almost in a middle between an outer circumferential edge part of the second region 4 and an inner circumferential edge part of a wall surface in a substrate 1.例文帳に追加

この構成部品は、基板中の、第２の領域の外側周縁部と壁面の内側周縁部の間のほぼ中間となる層の部分の下に形成された、ドーピング・レベルの高い第３のＮ型領域を含む。 - 特許庁

In a preprocessing, the optical writing type display device 10 exposes a photoconducting layer 20, by using writing light with first intensity lower than third intensity required for a writing process which is performed without the preprocessing.例文帳に追加

光書込型表示装置１０では、前処理では、書込処理において前処理を行わずに書込処理を行う場合には必要であった第３の強度より小さい第１の強度の書込光を光導電層２０に露光する。 - 特許庁

In the gas sensor, a first pair of electrodes (17) is constituted of a first electrode (3) and a third electrode (7), and a second pair of electrodes (19) is constituted of a second electrode (5) and a fourth electrode (9), which sandwich a proton conductive layer (1).例文帳に追加

ガスセンサは、プロトン伝導層（１）を挟んで、第１電極（３）と第３電極（７）とにより第１電極対（１７）が構成され、第２電極（５）と第４電極（９）とにより第２電極対（１９）が構成されている。 - 特許庁

Additionally, on the side of the substrate, there are a first side for preventing the peel-off between the element and a lead frame, a second side for injecting one portion of the light from the light generation layer to the outside, and a third side for facilitating mounting.例文帳に追加

また、上記基板の側面に、素子とリードフレームとの剥離を防止する第１の側面と、前記発光層からの光の一部を外部に射出する第２の側面と、マウントを容易にする第３の側面と、を設ける。 - 特許庁

The second resonator 28 penetrates an electrode 42, formed penetrating the principal surface of the fourth dielectric layer S4, and the first to third dielectric layers S1-S3, and has a via hole 44 which connects the electrode 42 and the ground electrode 18.例文帳に追加

第２の共振器２８は、第４の誘電体層Ｓ４の主面に形成された電極４２と、第１〜第３の誘電体層Ｓ１〜Ｓ３を貫通し、且つ、電極４２とアース電極１８とを接続するビアホール４４とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.例文帳に追加

素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。 - 特許庁

When it is assumed that there is little propagation path fluctuation of a mobile terminal for performing MIMO transmission, an OCC is used to separate a first layer and the other layers among three layers, and the second and third layers are separated by a cyclic shift.例文帳に追加

ＭＩＭＯ伝送を行なう移動端末の伝搬路変動はほとんどないと考えると、３つのレイヤの内、第１レイヤとその他のレイヤの分離にＯＣＣを用い、第２および第３レイヤはサイクリックシフトによって分離させる。 - 特許庁

A first heating resistor 13a, a second heating resistor 13b, and a third heating resistor 13c are divided in the sub-scanning direction of the thermal head and are arranged in parallel to the main scanning direction on a glaze layer 12 on a substrate 11.例文帳に追加

支持基板１１上のグレーズ層１２に第１の発熱抵抗体１３ａ、第２の発熱抵抗体１３ｂ、第３の発熱抵抗体１３ｃがサーマルヘッドの副走査方向に分割され、その主走査方向に並行に配設される。 - 特許庁

The upper clad layers 15a of the mesa structure part 19a includes a first region 151a arranged on the core layer 14a, and a second region 152a and a third region 153a arranged on the first region 151a in parallel.例文帳に追加

メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。 - 特許庁

The third nitride-semiconductor layer 124 has a p-type impurity and is formed in between the first ohmic electrode 131 and the Schottky electrode 132, as well as, selectively formed so as to be in contact with the Schottky electrode 132.例文帳に追加

第３の窒化物半導体層１４１は、ｐ型の不純物を含み第１のオーミック電極１３１とショットキー電極１３２との間に形成され且つショットキー電極１３２と接するように選択的に形成されている。 - 特許庁

In a method for dryetching a diamond specimen P1 held on a specimen holder P5, the surface roughness of a sidewall of the diamond specimen P1 is controlled by forming a third layer P3 between the diamond specimen P1 and the specimen holder P5.例文帳に追加

試料ホルダーＰ５に保持されたダイヤモンド試料Ｐ１をドライエッチングする方法において、ダイヤモンド試料Ｐ１と試料ホルダーＰ５の間に第3の層Ｐ３を形成して、ダイヤモンド試料Ｐ１の側壁の表面粗さを制御する。 - 特許庁

Wiring to be connected to the first electrode diffusion layer is formed to form a cathode terminal KT, while wiring to be commonly connected with the second and third electrode diffusion layers 222 and 23 is formed to form an anode terminal AT.例文帳に追加

第１電極用拡散層２２１に接続される配線を形成してカソード端子ＫＴとし、第２電極用拡散層２２２と第３電極用拡散層２３が共通接続される配線を形成してアノード端子ＡＴとする。 - 特許庁

In a semiconductor layer, a first impurity region 8, a second impurity region 9, a third impurity region 10, a fourth impurity region 11, a fifth impurity region 12 and a sixth impurity region 13 are formed.例文帳に追加

半導体層には、第１不純物領域８、第２不純物領域９、第３不純物領域１０、第４不純物領域１１、第５不純物領域１２および第６不純物領域１３が形成されている。 - 特許庁

After a source/drain diffusion layer 8, a first side wall oxide film 9 and a third polycrystalline silicon film 10 which becomes a contact pad are formed; a silicon oxide film is removed by dry etching by using photoresist where an opening is formed in a memory peripheral region alone.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層８、第１の側壁酸化膜９、コンタクトパッドとなる第３の多結晶シリコン膜１０を形成後、メモリ周辺領域のみを開口したフォトレジストをマスクにしてドライエッチによりシリコン酸化膜を除去する。 - 特許庁

The trunk part 25a of a common electrode to be laid in layer overlaps the discrete electrodes 24b and 24c in the second and third arrays in the plan view and the branch part 25b overlaps the discrete electrodes 24a and 24d in the first and fourth arrays in the plan view.例文帳に追加

積層するコモン電極の幹部２５ａは、第２列、第３列目の個別電極２４ｂ、２４ｃと平面視で重複し、枝部２５ｂは、前記第１列、第４列の個別電極２４ａ、２４ｄと平面視で重複させる。 - 特許庁

On the upper surface part of a third piezoelectric layer 23, a large number of inner electrodes 23A of the substantially same shape as that of the drive electrode 20A and the land pattern 20B are formed.例文帳に追加

また、第３圧電層２３の上面部には、前記各駆動電極２０Ａ及びランドパターン２０Ｂに対応する位置に、該駆動電極２０Ａ及びランドパターン２０Ｂとほぼ同じ形状の内部電極２３Ａが多数形成されている。 - 特許庁

A sealing resin of an integrated circuit covered with a film layer member is removed by a first step of cutting by means of a metal file or the like, a second step of cutting by means of laser irradiation, and a third step of cutting by means of compressed gas.例文帳に追加

層膜部材を被覆した集積回路の封止樹脂を、金属製やすり等による第１の掘削工程とレーザ照射による第２の掘削工程と圧搾気体による第３の掘削工程により除去する。 - 特許庁

In a second coating station ST2 downstream, each of robots 16d to 16f coats a protective layer formation material on a second area group 204 comprising a third roof area 200d, a fourth roof area 200e and a right bonnet area 200f.例文帳に追加

下流側の第２塗布ステーションＳＴ２では、第３ルーフエリア２００ｄ、第４ルーフエリア２００ｅ及び右ボンネットエリア２００ｆからなる第２エリア群２０４に対して、各ロボット１６ｄ〜１６ｆが保護層形成材を塗布する。 - 特許庁

A semiconductor element in which a first electrode and a second electrode are separated from each other by an insulating layer is prepared, a solder material is placed on metal foil, and then the semiconductor element is mounted on the solder material so that a third electrode is in contact with the solder material.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極とが絶縁層により分離されている半導体素子を準備し、半田材を金属箔上に配置し、半田材上に、第３の電極が接触するように半導体素子を載置する。 - 特許庁

Among the first, second and third dielectric layers, the dielectric layer having the highest refractive index contains, as a main component, at least one member selected from the group consisting of titanium oxide, niobium oxide and a mixture of zinc sulfide and silicon oxide.例文帳に追加

第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層のうち、最も屈折率が大きい誘電体層は、酸化チタン、酸化ニオブ、および、硫化亜鉛と酸化シリコンとの混合体の少なくとも１種を主成分とする。 - 特許庁

The encoder 20 is connected with and fixed to the retainer 19 through an intermediate layer 21 formed of a high-polymer material of a third kind which is different from both of the high-polymer material of the first kind and the high-polymer material of the second kind.例文帳に追加

上記エンコーダ２０を上記保持器１９に対し、上記第一種の高分子材料とも、上記第二種の高分子材料とも異なる、第三種の高分子材料製の中間層２１を介して結合固定する。 - 特許庁