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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > vddに関連した英語例文

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vddを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1478



例文

A relation of VDD3>VDD 2>VDD 1 holds.例文帳に追加

ここで、VDD3>VDD2>VDD1である。 - 特許庁

An integrator INT forms the means value VDD_-AV of the supply voltage VDD, and corresponding energy is stored in a first memory MEM1.例文帳に追加

積分器(INT)は電源電圧(VDD)の平均値(VDD_AV)を形成し、対応するエネルギーが第一のメモリ(MEM1)内に蓄積される。 - 特許庁

A charging control circuit (12) receives the drive voltage (VDD) to charge the secondary battery (20).例文帳に追加

充電制御回路(12)は、駆動電圧(VDD)を受けて、二次電池(20)を充電する。 - 特許庁

A DC/DC converter (11) converts an input voltage (VIN) into a drive voltage (VDD).例文帳に追加

DC/DCコンバータ(11)は、入力電圧(VIN)を駆動電圧(VDD)に変換する。 - 特許庁

例文

Voltages V11m, V11n, V12m and V12n respectively become Vdd×Vdd, Vdd, Vddα×Vdd, and Vdd+2α×Vdd, when clock signals CLK1 and CLK2 are at a high level and a low level, respectively.例文帳に追加

クロック信号CLK1,CLK2がそれぞれ、ハイレベル,ローレベルである場合、電圧V11m,V11n,V12m,V12nは、それぞれ、Vdd+α・VddVddVdd+α・VddVdd+2α・Vddになる。 - 特許庁


例文

A bias voltage generating section (2V) includes voltage dividers (2H, 2L), between a power supply terminal (VDD) and a ground terminal (GND).例文帳に追加

バイアス電圧生成部(2V)は電源端子(VDD)−接地端子(GND)間に分圧器(2H、2L)を含む。 - 特許庁

This VDD terminal functions as a terminal of a virtual power supply line V_-VDD.例文帳に追加

このVDD端子は仮想電源供給線V_VDDの端子として機能する。 - 特許庁

When the anode voltage Vdd is changed, the cathode voltage Vss is also shifted to make it link with the anode voltage Vdd.例文帳に追加

アノード電圧Vddを変化させる時は、カソード電圧Vssも連動させてシフトさせる。 - 特許庁

Next, the voltage Vdd is set higher by ΔV, and current Ic(Vdd+ΔV, Vss) is measured.例文帳に追加

次に、電圧Vddを△V分だけ高く設定し、電流Ic(Vdd+△V,Vss)を測定する。 - 特許庁

例文

The gates of the NFET (134 or 136) compare/transfer FETs are driven to a voltage above the positive power source voltage (VDD).例文帳に追加

比較・転送FETのNFET(134と136)のゲートが正の電源電圧(VDD)を超える電圧まで駆動される。 - 特許庁

例文

A potential Vsense of a detection line 14 becomes VSS<Vsense<VDD.例文帳に追加

検出線14の電位VsenseはVSS<Vsense<VDDとなる。 - 特許庁

A first path is defined from a high potential power supply VDD to an output node B via a logic level setting resistance R_L, and a second path is defined from the high potential power supply VDD to the output node B as bypassing the logic level setting resistance R_L.例文帳に追加

高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由して出力ノードBに至る第1経路と、高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由しないで出力ノードBに至る第2経路と、を設ける。 - 特許庁

A PMOS transistor Qp_2n has a drain connected to a source of a PMOS transistor Qp_1n and a source connected to a Vdd, and a switch SW_1n is connected to a gate of the PMOS transistor Qp_2n and switches a gate voltage of the PMOS transistor Qp_2n to Vdd or VP.例文帳に追加

PMOSトランジスタQp_2nは、PMOSトランジスタQp_1nのソースにドレイン、Vddにソースが接続され、スイッチSW_1nは、PMOSトランジスタQp_2nのゲートに接続され、PMOSトランジスタQp_2nのゲート電圧を、VddまたはVPに切り替える。 - 特許庁

Based on these set values, current Ic(Vdd, Vss) is measured first.例文帳に追加

これらの設定値において、まず電流Ic(Vdd,Vss)を測定する。 - 特許庁

The other (Q12) of the switches is biased to an on position when the signal (S13) is greater than the high level (VDD), with the signal (S14) discharging to at least below the high level (VDD) while the switch (Q12) is in the on position.例文帳に追加

信号(S14)が高レベル(VDD)を超えると、スイッチの他方(Q12)に、オン位置につくようにバイアスがかけられ、スイッチ(Q12)がオン位置にいる間、信号(S14)が少なくとも高レベル(VDD)より低くなるまで、放電する。 - 特許庁

Based on the current Ic(Vdd, Vss), the current Ic(Vdd+ΔV, Vss), and the current Ic(Vdd, Vss-ΔV), the capacity value C(Vdd-Vsub) and the capacity value C(Vss-Vsub) of the variable capacity are calculated, respectively.例文帳に追加

そして、電流Ic(Vdd,Vss)、電流Ic(Vdd+△V,Vss)及び電流Ic(Vdd,Vss−△V)から、可変容量の容量値C(Vdd−Vsub)及び容量値C(Vss−Vsub)をそれぞれ計算する。 - 特許庁

Each charge circuit 50 precharges only a bit line pair BL/BLB of a selection target to be selected by the address AD to a VDD level on the basis of the precharge signal RPC, and charges the bit line pair BL/BLB to maintain a potential VDD-x lower than the VDD level after the data read or write operation.例文帳に追加

各チャージ回路50は、データの読み出し時において、アドレスADにより選択される選択対象のビット線対BL/BLBのみを、プリチャージ信号RPCに基づいてVDDレベルへプリチャージし、データの読み出し動作又はデータの書き込み動作後にビット線対BL/BLBを、VDDレベルよりも低い電位VDD-xを維持するようにチャージする。 - 特許庁

A comparator 54 compares a voltage Vdd" which corresponds to a power supply voltage Vdd' fed to the power supply terminal 104b with the reference voltage Vref.例文帳に追加

コンパレータ54は、電源端子104bに供給される電源電圧Vdd’に応じた電圧Vdd’’を、基準電圧Vrefと比較する。 - 特許庁

As a result, a VDD wiring can be formed into a solid metal layer, and the inductance of the VDD wiring can be lowered remarkably.例文帳に追加

これによりVDD系配線を金属ベタ層とすることができ、VDD系配線のインダクタンスを著しく低減することができる。 - 特許庁

A third charge pump circuit 3 boosts the third voltage 3*VDD to generate a fourth voltage 4*VDD.例文帳に追加

第3チャージポンプ回路3は、第3電圧3*VDDを昇圧して第4電圧4*VDDを生成する。 - 特許庁

A second charge pump circuit 2 boosts the second voltage 2*VDD to generate a third voltage 3*VDD.例文帳に追加

第2チャージポンプ回路2は、第2電圧2*VDDを昇圧して第3電圧3*VDDを生成する。 - 特許庁

The -0.5 Vdd generating circuit 40 generates voltage -0.5 Vdd according to a clock ϕ from a clock generating circuit 30.例文帳に追加

−0.5Vdd発生回路40は、クロック発生回路30からのクロックφに応じて、電圧−0.5Vddを発生する回路である。 - 特許庁

A comparator COMP compares the supply voltage VDD with prescribed voltage intervals Vref1, Vref2,and closes a switch S when the supply voltage is out of the intervals.例文帳に追加

比較器(COMP)は電源電圧(VDD)を所定の電圧間隔([Vref1,Vref2])に対して比較し、電源電圧がこの間隔から外れたときスイッチ(S)を閉じる。 - 特許庁

When an input (Vin) is at a high level, the transistors (M_5, M_6) are conducted and cut off, respectively, and the output (Vout) of the buffer circuit becomes VDD.例文帳に追加

入力(Vin)がハイレベルであればトランジスタ(M_5、M_6)が各々導通及び遮断され、バッファー回路の出力(V_out)はVDDになる。 - 特許庁

A first charge pump circuit 1 boosts a first voltage VDD to generate a second voltage 2*VDD.例文帳に追加

第1チャージポンプ回路1は、第1電圧VDDを昇圧して第2電圧2*VDDを生成する。 - 特許庁

Moreover, a set signal SET is set to the VDD level and the set signals SETt/SETc are respectively set to the VDD/GND levels.例文帳に追加

また、セット信号SETをVDDレベルにして、セット信号SETt/SETcを、それぞれVDD/GNDレベルにする。 - 特許庁

The low-withstand voltage circuit 15 has a MOS transistor driven with a power-supply voltage Vdd lower than the voltage VDD.例文帳に追加

低耐圧回路部15は、電源電圧VDDよりも低い電源電圧Vddにより駆動されるMOSトランジスタを有する。 - 特許庁

When the power supply voltage VDD becomes equal to or greater than the first reference voltage, the power supply voltage VDD is supplied as the bias voltage Vbias.例文帳に追加

電源電圧VDDが第1の基準電圧以上となったら、バイアス電圧Vbiasとして電源電圧VDDを供給する。 - 特許庁

Level adjustment is obtained by resistive division between a termination resistor and controllable impedances between an output node and VDD and VSS power supplies.例文帳に追加

レベル調整は、端末抵抗器と、出力ノードとVDDおよびVSS電源との間の制御可能なインピーダンスとの間の抵抗分割によって得られる。 - 特許庁

A microcomputer power supply part 102 determines whether the output voltage Vdd detected by a voltage detection circuit 106 is below a predetermined voltage.例文帳に追加

マイクロコンピュータ電源部102は、電圧検出回路106により検出された出力電圧Vddが所定電圧以下であるか否かを判定する。 - 特許庁

The capacitance between the bit line being driven high and the gate of a compare/transfer NFET (134, 136) couples the gate higher than VDD.例文帳に追加

高に駆動されるビット線と比較・転送NFET(134又は136)のゲートとの間のキャパシタンスは、VDDより高いゲートを結合する。 - 特許庁

To stably supply GND or VDD to a semiconductor chip of a mounted object from a small number of supply terminals of a package through a heat sink.例文帳に追加

取り付け対象となる半導体チップに対してパッケージの少数の供給端子から放熱体を経由してGND またはVDD を安定に供給する。 - 特許庁

According to these two states of the memory, the electronic circuit controls three kinds of voltages +1/2 Vdd, -1/2 Vdd, and 0 to be applied to the liquid crystal.例文帳に追加

これら二つのメモリの状態により、該電子回路は三種類の液晶への印可電圧+1/2Vdd,−1/2Vdd,0を制御する。 - 特許庁

An external power source (vdd) is supplied to the register part 2 and an internal power source vii (vii<vdd) is supplied to the mode set decision part 1.例文帳に追加

レジスタ部2には外部電源(vdd)が供給され、モードセット判定部1には内部電源vii(vii<vdd)が供給される。 - 特許庁

Furthermore, power sources VDD', VSS' of clamping circuits are made to be power sources having a voltage range narrower than the power sources VDD, VSS of the operational amplifier circuit.例文帳に追加

クランプ回路の電源VDD’、VSS’を演算増幅回路の電源VDD、VSSよりも狭い電圧範囲の電源にする。 - 特許庁

This invention is concerned with the detector circuit 100 for detecting a voltage pulse (spike) lasting for a short period in a supply voltage VDD.例文帳に追加

本発明は電源電圧(VDD)内の短期間持続する電圧パルス(スパイク)を検出するための検出器回路(100)に関する。 - 特許庁

Power lines VDD, VSS, VSSM are provided to surround a circuit block RUSR and a region RPWR arranging these power lines therein is utilized to dispose the power supply control circuit.例文帳に追加

回路ブロックRUSRを周回するように電源線VDD,VSS,VSSMを設け、これら電源線が配置される領域RPWRを利用して電源制御回路を配置する。 - 特許庁

At this time, a common waveform 11 is set to +VDD and -VDD, with respect to an IGND as a reference potential.例文帳に追加

このとき、コモン波形11はIGNDを基準としたプラスVDDとマイナスVDDの電圧とする。 - 特許庁

A switching circuit (13) selectively supplies the drive voltage (VDD) and the battery voltage (VBAT) of the secondary battery to a load circuit (30).例文帳に追加

スイッチ回路(13)は、駆動電圧(VDD)および二次電池の電池電圧(VBAT)を負荷回路(30)に選択的に供給する。 - 特許庁

The group of the address control signals from the former stage row decoder are signals of a not-increased power source potential VDD system.例文帳に追加

前段のロウデコーダからのアドレス制御信号群は、昇圧されていない電源電位VDD系の信号である。 - 特許庁

Individual sources PMOSFET 11 and PMOSFET 12 constituting a current mirror circuit are connected to a power supply Vdd, with the gates of the sources connected to each other.例文帳に追加

カレントミラー回路を構成するPMOSFET 11及びPMOSFET 12の各ソースは電源Vddに接続され、そのゲートは互いに接続される。 - 特許庁

The operational amplifier 37B operates using the power-supply voltage VMM and a power-supply voltage VDD (VMM<VDD) and outputs a positive analog voltage.例文帳に追加

オペアンプ37Bは、電源電圧VMMと電源電圧VDD(VMM<VDD)を用いて動作して正極性のアナログ電圧を出力する。 - 特許庁

The sense amplifier 13 operates at a voltage VSS and a voltage VDD (VSS<VDD) and amplifiers the signal voltage of a bit line BL.例文帳に追加

センスアンプ13は、電圧VSSと電圧VDD(VSS<VDD)とにより動作し、ビット線BLの信号電圧を増幅する。 - 特許庁

To automatically recognize which one of a Half-VDD operation and a Full-VDD operation is under execution and automatically to switch the operation.例文帳に追加

Half−VDD動作又はFull−VDD動作を自動認識し自動的に動作を切替える。 - 特許庁

The output of is switched to/from a cancellation voltage Vdd_L from/to A power source selector 21 selects the output in the driving voltage Vdd_H and the high impedance state, and performs duty driving.例文帳に追加

電源セレクタ21は出力を駆動電圧Vdd_Hとハイインピーダンス状態とを選択することで、duty駆動を行なう。 - 特許庁

Vdd-Vss (GND) bonding pads 014 and 015, consisting of a nest structure, are formed between an LSI chip mounting part 004 and a wire bonding part in the vicinity of an LSI 005.例文帳に追加

LSIチップ搭載部とワイアーボンディング部との間に、入れ子構造からなるVdd,Vss(GND)ボンディングパッドをLSIの近くに形成する。 - 特許庁

When a word line level reaches VDD, a word line is stopped at a VDD level by disabling a decoder.例文帳に追加

本発明によれば、ワード線レベルがVDDに到達する場合にデコーダをディスエーブルしてワード線をVDDレベルに止どまらせる。 - 特許庁

A drain side select-gate line SGD is set to VSG1 (>VDD) which can sufficiently transfer VDD (time t1).例文帳に追加

ドレイン側セレクトゲート線SGDが、VDDを十分に転送できるVSG1(>VDD)に設定される(時刻t1)。 - 特許庁

Supply potential Vdd to be applied on a drain of the amplification transistor 13 is always set to a fixed low supply potential VDD.例文帳に追加

増幅トランジスタ13のドレインに印加される電源電位Vddは、常に一定の低い電源電位VDDとされる。 - 特許庁

例文

As a result, the voltage of a level shift signal O becomes 'VDD'.例文帳に追加

その結果、レベルシフト信号Oの電圧は‘VDD’になる。 - 特許庁

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