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vrtを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 12



例文

To screen a so-called variable retention time (VRT) defect caused by the fact that a data retention time varies like random telegraph noise in DRAM.例文帳に追加

DRAMにおいて、データ保持時間がランダム・テレグラフ・ノイズ的に変化してリテンション不良となる、いわゆるVariable Retention Time(VRT)不良をスクリーニングする。 - 特許庁

A reference voltage VRT in an analog/digital conversion processing is altered to correct the gain of an imaging result.例文帳に追加

本発明は、アナログディジタル変換処理における基準電圧VRTを変更して撮像結果の利得を補正する。 - 特許庁

A total residual amount VRT totalling a residual amount of each of the tanks is indicated on a fuel residual amount meter 21, but a fuel residual amount meter indicates the fulling-up of the tank when the total fuel residual amount VRT exceeds the capacity VO of the raw fuel tank 3.例文帳に追加

各タンクの残量を合計した総燃料残量VRTを燃料残量計(21)に表示するが、総燃料残量VRTが原料燃料タンク(3)の容量V0を超えた場合は燃料残量計は満タン表示をする。 - 特許庁

In both cases, the ABC circuits 12, 14 increase the Vrt, Vrb respectively in the case of a high capacity image data such as a whity original and decrease the Vrt, Vrb respectively in the case of a low capacity image data such as a blackish original as their control.例文帳に追加

上記各場合において、ABC回路12、14は、白っぽい原稿のように画像データが大きい場合はVrt、Vrbを高くし、黒っぽい原稿のように画像データが小さい場合はVrt、Vrbを低くするようにそれぞれ制御する。 - 特許庁

例文

Additionally, oil feeding to the raw fuel tank is prohibited when the total fuel residual amount VRT exceeds the capacity VO of the raw fuel tank.例文帳に追加

そして、総燃料残量VRTが原料燃料タンクの容量V0を超えた場合には原料燃料タンクへの給油を禁止する。 - 特許庁


例文

In order to generate clamp voltages (Vpr and Vpb), a potential divider (401) is coupled with the reference voltages (Vrt and Vrb) of the converter (U3).例文帳に追加

クランプ電圧(Vpr、Vpb)を生成するため、ポテンシャル分割器(401)がアナログ/デジタル変換器(U3)の基準電圧(Vrt、Vrb)に結合される。 - 特許庁

Source reference voltages VRT, VB to VG, and VRB used to generate reference voltages V1 to V64 for digital-to-analog conversion are generated according to source reference voltage setting data DV.例文帳に追加

本発明は、ディジタルアナログ変換用の基準電圧V1〜V64の生成に使用する原基準電圧VRT、VB〜VG、VRBを、原基準電圧設定データDVに応じて生成する。 - 特許庁

Thus, a photodiode output in light emission with a small amount of power is adapted to the VRB and VRT of the A/D converter, so that the characteristic of the A/D converter is measured in an area with the linear LD light emission characteristic.例文帳に追加

小さなLD発光時のフォトダイオード出力をA/D変換器の下端電圧と上端電圧に適応することができ、A/D変換器の特性をLD発光特性が線形な領域で測定できる。 - 特許庁

When a negative/positive designation circuit 11 designates a positive film, a switch 13 gives an output of an ABC circuit 12, that controls a high conversion reference voltage Vrt to the A/D converter 8 and a switch 15 gives a prescribed value Vb to the A/D converter 8.例文帳に追加

ネガポジ指定回路11がポジフィルムを指定すると、スイッチ13は上位変換基準電圧Vrtを制御するABC回路12の出力をA/Dコンバータ8に入力し、スイッチ15は一定値Vbを入力する。 - 特許庁

例文

The output of the operation amplifier 304 is connected to an output A 309 and the negative input of an operation amplifier 307, calculated by difference with a VRB 306 through the use of the operation amplifier 307, and added to the offset value of the voltage of reference top (VRT) 308 of the A/D converter.例文帳に追加

オペアンプ304の出力はA出力309とオペアンプ307の負側入力に接続され、オペアンプ307で下端電圧306と差分計算され、A/D変換器の上端電圧308のオフセット値が追加される。 - 特許庁

例文

Thus, since the comparison of a reference voltage VREF and the analog input voltage VIN/2 can be carried out, while using a thin film transistor, a transistor is designed which constitutes a reference voltage generation circuit 10 and a comparative amplifier AMP by reducing a voltage level of a high-side power supply voltage VRT connected with the reference voltage generation circuit 10.例文帳に追加

これにより、基準電圧VREFとアナログ入力電圧VIN/2との比較動作が実行可能であるため基準電圧発生回路10と接続されるハイ側電源電圧VRTの電圧レベルを低くして、基準電圧発生回路10および比較増幅器AMPを構成するトランジスタを薄膜トランジスタを用いて設計する。 - 特許庁

例文

Resistors R1, R2 are connected in series between a node VRTin receiving a high level reference voltage VRT and a node VRBin receiving a low level reference voltage VRB independently of n series resistors (r) used to produce a reference voltage for each sub analog/digital converter 9 so as to generate a DC bias voltage VRT1 to bias an AC component of an external analog input signal VA.例文帳に追加

各サブA/Dコンバータ9のリファレンス電圧を発生するn個の直列抵抗rとは独立に高電位側リファレンス電圧VRTを受けるノードVRTinと低電位側リファレンス電圧VRBを受けるノードVRBinとの間に直列抵抗R1,R2を直列に接続することにより、外部アナログ入力信号VAの交流成分をバイアスする直流バイアス電圧VRT1を生成する。 - 特許庁




  
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