「w mo」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The present month, the day of the week, and the present time are read out from a clock and stored in a register R (Mo), R (W) (S1-S4).例文帳に追加

時計から現在の月、曜日、時刻を読み取り、レジスタＲ(Mo)、Ｒ(W)に格納する（S1〜S4）。 - 特許庁

As the bulb metal, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, etc., are given.例文帳に追加

バルブメタルには、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ等が挙げられる。 - 特許庁

Instead of single incorporation of W, Mo and W may be compositely comprised so as to satisfy 2Mo+W: 0.10 to 1.40%.例文帳に追加

なお、Ｗ単独含有に代えて、２Mo＋Ｗ：0.10〜1.40％を満足するようにMoとＷを複合含有してもよい。 - 特許庁

(2): WI=C+Mn/6+Mo/5+V/5+W/10+Sn/2+Sb/2≤0.50; and (3): 0<ACR={Ca-(0.18+130×Ca)×O}/(1.25×S)<1.00.例文帳に追加

ACP＝{１−(0.8×W＋0.5×Mo)^0.3}×{１−(Sn＋0.4×Sb)^0.3}≦0.50 ---(1)WI＝Ｃ＋Mn/6＋Mo/5＋Ｖ/5＋Ｗ/10＋Sn/2＋Sb/2≦0.50 ---(2)０＜ACR＝{Ca−(0.18＋130×Ca)×Ｏ}／(1.25×Ｓ)＜1.00 ---(3) - 特許庁

Mo-W MATERIAL FOR WIRING FORMATION, Mo-W TARGET FOR WIRING FORMATION AND ITS PRODUCTION, AND Mo-W WIRING THIN FILM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

配線形成用Ｍｏ—Ｗ材、配線形成用Ｍｏ—Ｗタ—ゲットとその製造方法、およびＭｏ—Ｗ配線薄膜と液晶表示装置 - 特許庁

The compositional material includes Mo, W, Mo-Cu, W-Cu, and the like.例文帳に追加

そのような構成材料として、例えばＭｏ、Ｗ、Ｍｏ−Ｃｕ、Ｗ−Ｃｕ等を挙げることができる。 - 特許庁

(A): Ta, Nb, V, (B): Cr, Mo, W, (C): Ti, Zr, Hf.例文帳に追加

（Ａ）Ｔａ，Ｎｂ，Ｖ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、（Ｃ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ - 特許庁

Mo-W TARGET FOR FORMING WIRING, Mo-W WIRING THIN FILM USING THE SAME, AND LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

配線形成用Ｍｏ−Ｗターゲットとそれを用いたＭｏ−Ｗ配線薄膜および液晶表示装置 - 特許庁

The chemical for regenerating used denitration catalysts is characterized in that catalyst composition powder including respective oxides of titanium (Ti), vanadium (V) and molybdenum (Mo) or tungsten (W) is dispersed into an aqueous solution including a soluble oxo-acid salt of Mo or W.例文帳に追加

チタン(Ti)、バナジウム(V)およびモリブデン（Mo）またはタングステン(W)の各酸化物を含有する触媒組成物粉末を、MoまたはWの可溶性オキソ酸塩を含む水溶液に分散させたことを特徴とする使用済脱硝触媒の再生用薬剤。 - 特許庁

Further, 5 to 30% Pt, 10 to 30% Cr, >0 to 10% Ta, >0 to 30% Ni and >0 to 15% (Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+ Os+Ir+rare earth elements) can be incorporated therein.例文帳に追加

30≧Pt≧5at%、30≧Cr≧10at%、10≧Ta＞0at%、30≧Ni＞0at%、さらには、15≧(Ti+Zr+Hf+V+Nb+Mo+W+Cu+Ag+Au+Ru+Rh+Pd+Os+Ir+希土類元素)＞0at%を含有させることが可能である。 - 特許庁

The Mo-W alloy has the composition containing, for example, W ranging from 0.1 to 70mass% and the balance substantially Mo.例文帳に追加

Ｍｏ−Ｗ合金は、例えば0.1〜70質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＭｏからなる組成を有する。 - 特許庁

Alternatively, a part of Ir is substituted by one or more elements selected from Ru, Rh, Pd, Os, Mo, Nb, Ta, Hf, W, Ti, Zr, Y, La Cr, and V in the above alloy.例文帳に追加

またIrの一部がRu,Rh,Pd,Os,Mo,Nb,Ta,Hf,W,Ti,Zr,Y,La,Cr、Vから選択される一種若しくは二種以上の元素で置換される前記合金。 - 特許庁

An aluminum anodized coating is immersed into an aqueous solution containing the fluoro-complex salt of Zr, Si, Ti, Au, Ag, Co, Ni, Mo, Mn, Nb, Ta, W, Zn, Fe, Ir or Sc.例文帳に追加

アルミニウム陽極酸化皮膜を、Zr 、Si、Ti、Au、Ag、Co、Ni、Mo、Mn、Nb、Ta、W、Zn、Fe、Ir、又はScのフルオロ錯塩を含む水溶液に浸漬させることを特徴とする。 - 特許庁

X is at least one selected from W and Mo.例文帳に追加

前記ＸはＷ、Ｍｏから選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The second barrier (126) is a barrier of low conductivity such as Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoN or TiN so that the second barrier remains in the bottom of the via or contact.例文帳に追加

第２のバリア（126）はビアまたはコンタクトの底に残っているので、第２のバリア（126）は、Ta, Ti, Mo, W, TaN, WN, MoNまたはTiNのような低い抵抗率のバリアを有する。 - 特許庁

The masteralloy can include Cr, B, Ta, Nb, C, Mo, W, Zr, Zn, Cu, Hf, O, Si or N.例文帳に追加

母合金には、Ｃｒ，Ｂ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｈｆ，Ｏ，Ｓｉ又はＮを含むことができる。 - 特許庁

One or ≥ two kinds selected from Mn, P, Al, Sn, Sb, Ni, Cu, Mo, W, La, V, Nb, Ti, Y, Zr, B and Co may be incorporated therein.例文帳に追加

Mn、Ｐ、Al、Sn、Sb、Ni、Cu、Mo、Ｗ、La、Ｖ、Nb、Ti、Ｙ、Zr、Ｂ及びCoから選ばれる１種又は２種以上を含有させてもよい。 - 特許庁

Moreover, one or more kinds selected from the group consisting of 0.1 to 1.0% Mo, 0.1 to 1.0% Nb, 0.1 to 1.0% Ti and 0.1 to 1.0% W are preferably incorporated therein.例文帳に追加

さらに質量％でMo：0.1〜1.0％、Nb：0.1〜1.0％、Ti：0.1〜1.0％およびW：0.1〜1.0％よりなる群から選択された1種以上を含有することが好ましい。 - 特許庁

The hard phase is mainly formed of carbonitrides of one or more metals selected from the group consisting of Ti and W, which are indispensable, and Ta, Nb, Mo, Hf, V and Cr.例文帳に追加

また、前記硬質相は、TiとWを必須とし、Ta、Nb、Mo、Hf、VおよびCrよりなる群から選択される１種以上を金属成分とする炭窒化物を主体とする。 - 特許庁

Further, the sintered compact may comprise one or more kinds of metals selected from Ni, Co, Cr, Mo, W, Si and V by ≤50% in total.例文帳に追加

なお、Ni、Co、Cr、Mo、Ｗ、Si、Ｖのうちから選ばれた１種または２種以上を合計で50％以下含有してもよい。 - 特許庁

The hexavalent metal element is at least one kind of element selected from W and Mo.例文帳に追加

６価金属元素は、Ｗ、Ｍｏから選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

ELECTROPLATING METHOD OF ALLOY COMPOSED OF IRON GROUP METAL AND Mo AND/OR W例文帳に追加

鉄族金属とＭｏ及び／又はＷからなる合金の電気めっき方法 - 特許庁

Overall composition contains Mo: 5-83 mass%, and the remainder contains inevitable impurities and W, a porphyritic texture composed of a Mo alloy phase containing W and a W alloy phase containing Mo is formed, and their density ratio is 80-96%.例文帳に追加

全体組成を、Ｍｏ：５〜８３質量％、および残部が不可避不純物とＷとし、Ｗを含有するＭｏ合金相と、Ｍｏを含有するＷ合金相とからなる斑状組織を形成させ、密度比を８０〜９６％とする。 - 特許庁

On the surface of the sintered body for heatsink, a particle size-increased layer, in which the size of W (or Mo) grains is made larger than that of W (or Mo) grains existing in the sintered body, is formed by melting Ni into W (or Mo) 12 existing on the surface of the body.例文帳に追加

本発明のヒートシンク用焼結体は、表面に存在するＷ（あるいはＭｏ）１２にＮｉが固溶されて、その粒径が内部に存在するＷ（あるいはＭｏ）の粒径よりも大きく成長した増大粒層が形成されている。 - 特許庁

The metallized layer 5 may be formed from one or more elements selected among Mo, Mn, W, Ni, Ag, Cu, Ti, Nb, and Zr.例文帳に追加

また、メタライズ層５としては、Mo、Mn、Ｗ、Ni、Ag、Cu、Ti、NbおよびZrのうちから選択される１種以上の元素を用いることができる。 - 特許庁

The metal of the metal silicide is one or more metals selected from the group consisting of Mo, Ti, W, Zr, Cr and Ta and is preferably Mo.例文帳に追加

金属シリサイドの金属は、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｔａからなる群より選ばれた１種以上の金属であり、好ましくはＭｏである。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

The chemical conversion film contains no organic component and the silica component selected from silica sol and fumed silica, in addition to the oxide and hydroxide of the valve metal such as Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo or W.例文帳に追加

化成皮膜は、有機成分を全く含まず、Ti，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Mo，W等のバルブメタルの水酸化物，酸化物に加えてシリカゾル，フュームドシリカから選ばれたシリカ成分を含んでいる。 - 特許庁

The wiring film can be formed by using this Mo-W target.例文帳に追加

配線膜は上記したＭｏ−Ｗターゲットを用いて形成してなるものである。 - 特許庁

WC-BASED W-Mo-Si-C SYSTEM COMPOSITE CERAMIC, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス及びその製造方法 - 特許庁

Mo-W ALLOY, AND LEAD AND LIGHT EMITTING DEVICE, AND COPYING MACHINE USING THE SAME例文帳に追加

Ｍｏ−Ｗ系合金およびそれを用いたリードおよび発光装置および複写機 - 特許庁

Moreover, B, Zr, Mg, Ca, W, Mo, V and rare earth metals can be incorporated therein.例文帳に追加

さらにＢ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、ＲＥＭを含有することができる。 - 特許庁

The metal powder is formed of at least one of W, Mo, and Ti.例文帳に追加

金属パウダーは、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ等のうちの少なくとも１つを用いて形成される。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

The inorganic oxide is preferably an oxide of one element selected from Si, Ti, W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb and Mn or oxides of a combination of two or more elements.例文帳に追加

ここで、無機酸化物は、Si,Ti,W, V, Y, Ag, Mg, Al, Fe, Ni, Ce, Co, Mo, Au, Pt, Ta, Lu, Zr, Cu, Zn, Pd, Cd, Cr, Pb, Mnから選ばれるいずれか１種の酸化物、またはいずれか２種以上の組み合わせの酸化物であることが好ましい。 - 特許庁

The sputtering target 2 is composed of an Mo-W-Al material having a composition containing Al ranging from 0.1 to 50mass% and the balance substantially a Mo-W alloy.例文帳に追加

0.1〜50質量％の範囲のＡｌを含有し、残部が実質的にＭｏ−Ｗ合金からなる組成を有するＭｏ−Ｗ−Ａｌ材により構成されたスパッタリングターゲット２である。 - 特許庁

The total weight of Ni and Co is 15 to 25 mass%, a Ti content is 30 to 50 mass%, a W content is 15 to 30 mass%, and the total content of Ta, Nb, Mo, Hf, V and Cr is 5 to 15 mass%.例文帳に追加

そして、NiとCoの合計量が15〜25質量％で、Tiの含有量が30〜50質量％で、Wの含有量が15〜30質量％で、Ta、Nb、Mo、Hf、VおよびCrの合計含有量が5〜15質量％である。 - 特許庁

In addition, the steel pipe can contain one or more groups among a group of Cu, a group of Ni, Mo, V and Nb, a group of Ti, Zr, B and W, and a group of Ca, as needed.例文帳に追加

なお、Cuの群、Ni,Mo,V,Nbの群、Ti,Zr,Ｂ,Ｗの群、Caの群のうちの１群または２群以上を、必要に応じて選択して含有できる。 - 特許庁

The p-type semiconductor can be constituted of either one kind of chalcogenide of Mo, W and Cr.例文帳に追加

ｐ型半導体は、Ｍｏ、ＷおよびＣｒのいずれか１種のカルコゲナイドにより構成できる。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane contains further preferably 0.1-15 mol% of W, 0.1-15 mol% of Mo and the residual part of V.例文帳に追加

さらに好ましくはＷ０．１〜１５モル％、Ｍｏ０．１〜１５モル％、残部Ｖよりなる。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane contains particularly preferably 0.1-30 mol% of W, 0.1-30 mol% of Mo and the residual part of V.例文帳に追加

特に好ましくはＷ０．１〜３０モル％、Ｍｏ０．１〜３０モル％、残部Ｖよりなる。 - 特許庁

Preferably, 0.1 to 3 mol% of one or two kinds of Mo and W is substituted for Sn.例文帳に追加

ＭｏおよびＷの１種または２種の０．１〜３モル％を、Ｓｎで置換してもよい。 - 特許庁

As a refractory metal, Ti, Pt, W, Re, Mo, Cr, Ni, Pd or the like is preferable.例文帳に追加

高融点金属としては、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ等が好ましい。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

(A group) Fe ion, Ni ion, Cu ion, Co ion, Cr ion, phosphoric acid ion (B group) Mo ion, Ti ion, W ion, Al ion, Mg ion, Sr ion, molybdic acid ion, titanic acid ion, tungstic acid ion.例文帳に追加

（Ａ群）Feイオン、Niイオン、Cuイオン、Coイオン、Crイオン、リン酸イオン （Ｂ群）Moイオン、Tiイオン、Ｗイオン、Alイオン、Mgイオン、Srイオン、モリブデン酸イオン、チタン酸イオン、タングステン酸イオン - 特許庁