「wider gap」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The seal structure includes adjusting mechanisms (a tension adjusting part 24 and a fixing part 25, for example), by which a band-shaped member 21 with a width wider than that of the gap is wound around the side face of the optical fiber preform 1 in the fiber drawing furnace upper end 11a to seal the gap and winding tension of the band-shaped member 21 is kept constant.例文帳に追加

このシール構造は、そのために、上記隙間の幅より大きい幅をもった帯状部材２１を線引炉体上端部１１ａにおいて光ファイバ母材１の側面に巻付けて、上記隙間をシールし、且つ帯状部材２１の巻付張力を一定に保つように調節する調節機構（張力調整部２４及び固定部２５で例示）を備える。 - 特許庁

A roll 6 entangling a seal membrane 5 wider than a gap M is attached and pulled down at the top position of the gap M of roll type heat insulation membranes 4A, 4B arranged at a constant interval at the top of every showcase of constant length, and is brought into face contact with the surfaces on both ends of the heat insulation membranes 4A, 4B.例文帳に追加

各定尺ショーケース毎の間口上部定間隔に配置されたロール式保冷膜４Ａ、４Ｂの引き出し装着される際の間隙部Ｍの上部位置に、間隙部Ｍより広巾のシール膜５を巻き込んだロール６を取り付けて引き下ろし、保冷膜４Ａ、４Ｂの両端部表面に面接触させてシールを可能としている。 - 特許庁

The terahertz wave radiating element includes: a nitride semiconductor layer 109 formed on a substrate 108; a nitride semiconductor layer 110 formed over the nitride semiconductor layer 109, and having a wider band gap than the nitride semiconductor layer 109; and a source electrode 101, a gate electrode 102, and a drain electrode 103 formed on the nitride semiconductor layer 110.例文帳に追加

テラヘルツ波放射素子は、基板１０８の上に形成された窒化物半導体層１０９と、窒化物半導体層１０９の上に形成され、窒化物半導体層１０９と比べてバンドギャップが大きい窒化物半導体層１１０と、窒化物半導体層１１０の上に形成されたソース電極１０１、ゲート電極１０２、及びドレイン電極１０３とを備えている。 - 特許庁

The solid-state imaging element includes: a semiconductor layer; a photoelectric transducer formed in the semiconductor layer; a single crystal layer which is formed on at least a part wherein the photoelectric transducer is formed, of the semiconductor layer and is made of a material having a wider band gap than the semiconductor layer; and a superlattice provided between the semiconductor layer and the single crystal layer.例文帳に追加

半導体層と、この半導体層内に形成された光電変換素子と、半導体層の少なくとも光電変換素子が形成された部分の上に形成された、半導体層よりもバンドギャップが広い材料から成る単結晶層と、半導体層と単結晶層との間に設けられている超格子とを含む固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

This plasma display device is provided with the sustaining circuit supplying a sustaining pulse voltage to electrodes of a plasma display panel and switching elements which are made of a wide band-gap semiconductor such as silicon carbide (SiC), diamond, gallium nitride (GaN), zinc oxide (ZnO) whose band gaps are wider as compared with that of a silicon semiconductor are used in the sustaining circuit.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト（ＳｉＣ）、ダイヤモンド、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。 - 特許庁

A gap between the first and second substrates 2 and 6 are sealed with a mold layer 11, terminals 14 and 15 for conduction with the first and second lands 5 and 7 are provided on other surfaces 12 and 13 opposed to the surfaces 8 and 9 of the substrates 2 and 6, and electrodes wider in width than the first and second lands 5 and 7 are exposed to the both surfaces.例文帳に追加

第１および第２配線基板２，６間の隙間は、モールド層１１によって封止し、第１および第２配線基板２，６の対向する各一表面８，９とは反対側の各他表面１２，１３に、第１および第２のランド５，７にそれぞれ導通する端子１４，１５を設け、両面に第１および第２のランド５，７よりも幅の広い電極を露出させる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, conductivity for the upper plate electrode is improved by forming the width of a seal part in which a connection part connected to the upper electrode is formed comparatively wider than the other part and control of the cell gap can be made simple by forming the width of a seal part narrower for a part in which the connection part is not formed.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は上板電極が接触する連結部が形成された部分のシール部の幅を他の部分に比べて相対的に広く形成することで、上板電極に対する導電性を向上し、連結部が形成されない部分に対してはシール部の幅を狭く形成することでセルギャップの制御を容易にする。 - 特許庁

In the mold for lamination molding to integrally fusion bond the skin material to the molten resin to become the core material by injection molding or press molding, a gap of a bitten part of the mold is wider than a thickness when the skin material is compressed by 50 kgf/cm2 and narrower than a thickness when compressed by 1 kgf/cm2.例文帳に追加

以上のような課題を解決するために、本発明においては、第１の発明では、射出成形またはプレス成形により表皮材とコア材となる溶融樹脂を融着一体化する貼合わせ成形用金型装置であって、該金型の食切り部の隙間が該表皮材を５０ｋｇｆ／ｃｍ^2 で圧縮した時の厚さより広く、１ｋｇｆ／ｃｍ^2で圧縮した時の厚さよりも狭くなるようにした。 - 特許庁

The gap between at least one of the developer carriers 3, 4 and the transport member 5 is set wider than the gap between a control member 9 for regulating the thickness of a developer layer and the developer carrier 3.例文帳に追加

像担持体１に対向し表面にトナーを担持するトナー担持体２と、このトナー担持体２に所定の間隔をおいて対向する位置に配設され、トナー担持体２へトナーを供給する供給用現像剤担持体３及びトナー担持体２からトナーを回収する回収用現像剤担持体４と、この二つの現像剤担持体３，４とトナー担持体２とに対向して配設され、二つの現像剤担持体３，４との間で二成分現像剤を受け渡す搬送部材５を備え、現像剤層厚を規制する制御部材９の間隙より現像剤担持体と搬送部材５との間隙を広く設定する。 - 特許庁