「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In read or write operation, in a freeze releasing circuit 60 in a semiconductor memory device, when a row-act signal /ROWACT is not activated in the prescribed period decided by a trailing edge delay circuit DL10 after a chip enable-signal/CE is made an H level, a freeze reset signal /FREEZRST is outputted from a logic gate L14 after the elapse of the prescribed period.例文帳に追加

書込または読出動作時、半導体記憶装置内のフリーズ解除回路６０において、チップイネーブル信号／ＣＥがＨレベルとなったのち、後縁遅延回路ＤＬ１０にて決定される所定期間中にロウアクト信号／ＲＯＷＡＣＴが活性化されない場合、所定期間経過後に論理ゲートＬ１４からフリーズリセット信号／ＦＲＥＥＺＲＳＴが出力される。 - 特許庁

An operation terminal 2 successively accepts and stores print data and write data and a creation instruction including creation command ID based on a plurality of application programs, and outputs a tag creation command to a tag label printer 3 for each of accumulated creation commands, and acquires creation result information by a tag label printer 3, and stores the acquired creation result information in association with the corresponding creation command ID.例文帳に追加

操作端末２は、複数のアプリケーションプログラムのそれぞれに基づく印字データ及び書き込みデータ及び作成指令ＩＤ含む作成指令を順次受け付けて蓄積し、蓄積した各作成指令ごとにタグ作成コマンドをタグラベルプリンタ３に出力し、タグラベルプリンタ３での作成結果情報を取得し、取得した作成結果情報を対応する作成指令ＩＤと関連づけて記憶する。 - 特許庁

To prevent a loss of stability of a seeking operation in a disk after erasure by preventing, when erasure target data is partially overwritten to be recorded to erase the entire erasure target data in a pseudo manner in a write-once disk recording medium, concentration of parts overwritten to be erased if the erasure target data is over a plurality of tracks of the disk.例文帳に追加

追記型のディスク状記録媒体について消去対象データの一部を上書き記録して上記消去対象データ全体が擬似的に消去されたものとする場合において、上記消去対象データがディスクの複数周にわたっている場合に、上書き消去された部分が集中して形成されてしまうことを防止して、消去後のディスクについてのシーク動作の安定性が損なわれることの防止を図る。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a memory cell array having a plurality of blocks respectively including a plurality of memory cells to store normal data in normal blocks among the plurality of blocks and store a time code set in each of the normal blocks and for including time data corresponding to a time when the last write operation of the normal block is executed in time code blocks among the plurality of blocks.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

To provide a simple circuit structure which corrects different voltages between respective line sections in a semiconductor integrated circuit, especially a circuit structure which corrects difference between the bit line voltage of a high level and the plate line voltage of a high level of a ferroelectric RAM memory and in which the different voltages (write voltage and read voltage in particular) are corrected with a standard operation and can mutually independently be decided in a test mode.例文帳に追加

半導体集積回路における各回線区間の異なる電圧を補正する簡単な回路構造、特に、強誘電体ＲＡＭメモリの高レベルのビット線電圧と高レベルのプレート線電圧との差異を補正する回路構造であって、異なる電圧（特に書込み電圧および読出し電圧）が標準動作で補正され、しかもテストモードで互いに独立して判定させることができるものを提供すること。 - 特許庁