| 例文 |
write-operationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1358件
The semiconductor storage device which arranges two or more memory cells in a matrix and performs read operation and write operation, is configured so that load capacity (PA, PB, PC) to be driven by a buffer 15 is detected and an auxiliary buffer (auxiliary buffer main part 10A) is activated by a detection signal SBEN of the load capacity.例文帳に追加
複数のメモリセルをマトリックス状に配置し、読み出し動作および書込み動作を行う半導体記憶装置において、バッファ15が駆動する負荷容量(PA,PB,PC)を検出し、該負荷容量の検出信号SBENにより補助バッファ(補助バッファ本体10A)を活性化する構成としてある。 - 特許庁
A storage element (MC) is constituted of four variable resistance elements (VREa-VREd) arranged circularly, write-in bit lines (WBLa, WBLb) and digit lines (DLa, DLb) are current-driven, and a magnetic field having intensity in accordance with data of arithmetic operation and contents of arithmetic operation is applied to the variable resistance element.例文帳に追加
環状に配置される4個の可変抵抗素子(VREa−VREd)で記憶素子(MC)を構成し、書込ビット線(WBLa,WBLb)およびデジット線(DLa,DLb)を電流駆動して、可変磁性体抵抗素子に演算データおよび演算内容に応じた強度の磁界を印加する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which permits high speed write-in cycle for a memory cell without requiring a standby time for shift decoding operation in accordance with a defective address is decided even if a data line shift system is used for relieving defect.例文帳に追加
不良救済にデータ線シフト方式を用いたとしても、不良アドレスに応じたシフトデコード動作が確定するまでの待ち時間を要することなく、メモリセルへの高速書き込みサイクルを可能にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Mask data is synthesized with write-in data in a data generating circuit 18, quaternary output data corresponding to writing '1', writing '0', writing mask, and no operation is generated at a pair of output terminal connected to a data buffer 16.例文帳に追加
マスクデータは、データ生成回路18において書き込みデータと合成され、データバッファ16に接続される出力端子対に、“1”書き込み、“0”書き込み、マスク書き込み及びノーオペレーション動作に対応させた4値出力データが発生される。 - 特許庁
Therefore, as decoding a row address and a column address is started from a time at which a clock is L, at the time of rise of a row address and a column address, decoding can be finished, an operation clock period can be shortened, and read/write can be performed at high speed.例文帳に追加
これにより、クロックがLの時より、行アドレス及び列アドレスのデコードを開始するため、各動作クロックサイクルの立ち上がりには、デコードを終了でき、動作クロック周期が短くでき、リード・ライトを高速に行うことができる。 - 特許庁
This information storage apparatus sets audio-visual information recorded while viewing and listening of content on a SMART domain during the period when the USB hard-disk operates as a media player, and stores audio-visual information without performing re-write operation of FAT (File Allocation Tables).例文帳に追加
USBハード・ディスクがメディア・プレーヤとして動作している期間中は、コンテンツの視聴とともに記録される視聴情報をSMART領域に置き、FATの書き換え動作をせずに視聴情報を保存する。 - 特許庁
Further, a detected value is compared with the reference value by a comparator, when it exceeds the reference value previously set, a stop instruction of read/write operation by the head 9 is outputted to a host interface circuit 14.例文帳に追加
更に、検出した値と基準値とをコンパレータにより比較し、それが予め設定されている基準値を越えた場合には、上位インターフェース回路14に対し、ヘッド9によるリード/ライト動作の中止命令を出力する。 - 特許庁
This display device performs write processing by using the array conversion processing part 6 to a memory area where a read operation by the frame rate conversion processing part 4 has been completed, and thus the frame rate conversion processing part 4 and array conversion processing part 6 share the frame memory.例文帳に追加
配列変換処理部6による書き込みを、フレームレート変換処理部4による読み出しが終了したメモリ領域に対して行うことで、フレームレート変換処理部4と配列変換処理部6とでフレームメモリを共用する。 - 特許庁
To provide a magnetic memory device which can obtain a readout signal output having a high S/N and a read method of the same, and also to provide a write method of the magnetic memory device which enables information read operation in high S/N.例文帳に追加
S/N比が高い読み出し信号出力を得ることが可能な磁気メモリデバイスおよび磁気メモリデバイスの読出方法、並びに、S/N比が高い情報読み出しを可能とする磁気メモリデバイスの書込方法を提供する。 - 特許庁
When the high voltage VPP does not reach the desired voltage, a write-in control circuit 10 stops oscillation operation of the oscillation circuit based on the discrimination signal DIS/, and stops the boosting of high voltage VPP of the charge pump circuit 30.例文帳に追加
高電圧VPPが所望電圧に満たない場合には、判定信号DIS/に基づき、書き込み制御回路10が発振回路20の発振動作を停止し、チャージポンプ回路30の高電圧VPPの昇圧を停止する。 - 特許庁
A first portion of the memory array includes memory cells (normal row group N_ROWS) to be accessed for read/write during normal operation, and a second portion includes memory cells (configuration row group C_ROWS) to be read when power is turned on.例文帳に追加
メモリアレイの第1の部分は通常動作時の読出書込のためにアクセスされるメモリセル(ノーマル横列群N_ROWS)を含み、第2の部分は電源投入時に読み出されるメモリセル(設定用横列群C_ROWS)を含む。 - 特許庁
Since a flash memory driver is changed and an existing disk type DBMS can be reused as a flash type DBMS, it is the isolation-DBMS method, and a frequency of a write-in operation is reduced and a life of the flash memory is extended.例文帳に追加
フラッシュメモリードライバーを変更して既存のディスク式DBMSをフラッシュ式DBMSとして再使用できるのでDBMSに独立的な方法であり、書き込み演算の回数を減らしてフラッシュメモリーの寿命を伸ばす。 - 特許庁
The device is provided with two groups of address counters and a control counter, and has such constitution that control of the number of addresses to be generated corresponding to each of operation mode in which read, write, erasure, or the like are different and successive generation of address values can be performed.例文帳に追加
2組のアドレスカウンタと制御カウンタを備えて、読み出し、書き込み、消去等の異なる動作モードの各々に対応して発生すべきアドレス数の管理とアドレス値の順次発生が可能な構成となっている。 - 特許庁
In a single data read operation, data read of stored data of each of before and after applying the prescribed data write magnetic field to a selection memory cell is performed, and data read is performed in accordance with comparison of voltage levels corresponding to each data read.例文帳に追加
1回のデータ読出動作内に、選択メモリセルへの所定のデータ書込磁界の印加前後のそれぞれの記憶データのデータ読出を実行し、それぞれのデータ読出に対応する電圧レベルの比較に応じてデータ読出を実行する。 - 特許庁
Audio data obtained from a digital signal processing part 15 are, after writing into a buffer memory 17 from a write-in control part 16a by synchronizing to the processing operation, read out to an audio reproducing circuit 16c at a specified speed and outputted.例文帳に追加
デジタル信号処理部15から得られるオーディオデータを、その処理動作に同期して書き込み制御部16aからバッファメモリ17に書き込んだ後、一定の速度で音声再生回路16cに読み出して出力する。 - 特許庁
However, even if the write instruction is issued, the specified article information is discarded when the state detection sensor 12 is in the non-conductive state, the operation of a processing unit is terminated without storing the specified article information in the memory unit.例文帳に追加
ただし、動作指令が書込指令であっても、状態検出センサー12が不通状態であれば、規定物品情報を破棄し、その規定物品情報を記憶部に記憶することなく、処理部の動作を終了する。 - 特許庁
In a refresh control circuit 105, an activate command and precharge command are issued to each bank when a specific bank of the SDRAM 107 becomes idle during write or read operation of the SDRAM 107, for refresh.例文帳に追加
リフレッシュ制御回路105にて、SDRAM107への書き込みまたは読み出し動作中にSDRAM107の特定のバンクのアイドル状態になるタイミングで、各バンクに対してアクティベートコマンドとプリチャージコマンドを発行してリフレッシュ動作を行う。 - 特許庁
A write operation using address information of the second bus by a direct memory access control unit is detected by a coincidence result of the second comparator and a set condition of a first register and is transmitted to a data processing unit.例文帳に追加
上記第2コンパレータの一致結果と第1レジスタの設定条件により上記ダイレクトメモリアクセス制御ユニットによる上記第2バスのアドレス情報を用いた書込動作みを検知して上記データ処理ユニットに伝える。 - 特許庁
When a counter 116 successively performs the counting operation in a first count period and a second count period, a correction value write control unit 3 writes the correction value in a correction register 101 in response to a correction notification execution signal dec_-WR_-REV.例文帳に追加
カウンタ116が、第1カウント期間および第2カウント期間でのカウント動作を順に行う場合において、補正値書込制御部3は、補正通知実行信号dec_WR_REVに応答して補正レジスタ101に補正値を書き込む。 - 特許庁
In the error processing routine of a CPU 2, processing for suppressing any critical operation is operated according to a control object system while executing an instruction to write 0 in the timer counter of a timer 8 for monitor with an interval which does not exceed an overflow cycle.例文帳に追加
CPU2のエラー処理ルーチンには、オーバフロー周期を超えない間隔で、監視用タイマ8のタイマカウンタに0をライトする命令を実行しながら、制御対象システムに即して、致命的な動作の抑止を行う処理を行う。 - 特許庁
A control signal generating circuit 23 sequentially selects the memory array of one side at the time of verify operation in a test mode and at the time of transfer of the write target values, and selects both memory arrays when applying a pulse to the memory cells in the test mode.例文帳に追加
制御信号生成回路23は、テストモードでのベリファイ動作時および書込み目標値の転送時に、片方のメモリアレイを順番に選択し、テストモードでのメモリセルへのパルス印加時に、両方のメモリアレイを選択する。 - 特許庁
A control section 40 sets the division ratio of the photographed image on the basis of information with respect to write operations of memory cards 51, 52 such as an access speed and a free capacity of the memory cards 51, 52 and information received from an operation section 25.例文帳に追加
制御部40は、メモリカード51,52の書き込み動作に関する情報、例えばメモリカード51,52のアクセス速度や空き容量、操作部25から入力された情報に基づいて撮影画像の分割比を設定する。 - 特許庁
The verification pattern generation device is divided to a transfer pattern generation device performing pattern generation in a transfer unit such as write or read, and a circuit operation simulation device simulating a circuit inputting a signal to a logic circuit of a verification object.例文帳に追加
検証パターンの発生装置を、書き込み、読み出しといった転送単位で行う転送パターン発生装置と、検証対象論理回路へ信号を入力する回路を信号レベルで摸擬する回路動作摸擬装置とに分ける。 - 特許庁
Accordingly, only the single cycle of the input and output is required after formation of the element to the electrons (or holes) for the floating gate and thereafter read and write of the information are conducted only with the mechanical operation of the floating gate layer, thereby requiring the input and output of electrons no longer.例文帳に追加
これにより浮遊ゲートに対する電子(または正孔)の出し入れは素子形成後1回のみ行えばよく、その後の読み書きは浮遊ゲート層の機械的動作によってのみ行い電子の出し入れが不要となる。 - 特許庁
Thus, even when the data of the read/write only area are lost due to any erroneous operation by a user in writing data, the basic function stored in the read only area is executed so that the data can be prevented from being lost.例文帳に追加
これにより、ユーザがデータを書き込む際、誤った操作をして読み書き専用領域のデータを損失した場合でも、読み出し専用領域に記憶される基本的な機能を実行するためデータを損失することがない。 - 特許庁
To provide a magnetic head capable of highly accurately aligning a light irradiation position with respect to a recording medium by near-field light with the recording position of a write head, and performing magnetic recording by a thermally assisted operation with the near-field light.例文帳に追加
近接場光による記録媒体に対する光照射位置とライトヘッドによる記録位置とを高精度に位置合わせ可能とし、近接場光による熱アシスト作用による磁気記録を可能とする磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
To provide a method and a device to write information in a nonvolatile memory, which can protect the information in an EEPROM even if the CPU operation is unstable.例文帳に追加
本発明の課題は、たとえCPUの動作が不安定になったとしても、EEPROM内の情報を保護することのできる不揮発性メモリへの情報書き込み方法及び不揮発性メモリ書き込み装置を提供することである。 - 特許庁
Subsequently, when the direct-read-after-write operation is applied to user data #3, as close processing, the last recording position information NBM(A1) is deleted by using predetermined pattern data, and new last recording position information NBM(B1) is recorded in a position after the user data #3.例文帳に追加
その後、ユーザデータ#3を追記した場合は、クローズ処理として最終記録位置情報NBM(A1)を所定パターンデータを用いて消去して、新たな最終記録位置情報NBM(B1)をユーザデータ#3の後方位置に記録する。 - 特許庁
An account write-in section 130 contained in the operation system records the amount of data recorded in the kernel space by the transfer amount accounting section 160 in an account file 140 as account information after the execution of the process 110 has ended.例文帳に追加
オペレーションシステムに含まれるアカウント書き込み部130が、プロセス110の実行が終了した後、転送量課金部160によってカーネル空間に記録されたデータ量をアカウント情報としてアカウントファイル140に記録する。 - 特許庁
To provide an information processor capable of determining an operating mode of the device in accordance with a write prohibited state set to the side of an external memory and a state of the device changed by operation performed on the device by a user.例文帳に追加
外部メモリ側に設定される書込み禁止の状態と、ユーザが装置に対して行った操作によって変化した装置の状態とによって、装置の動作モードを決定することができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁
Before the first write-in operation, a high resistance layer 19 is formed at an interface of the memory layer 17 with the lower electrode 14 by applying initialization pulse voltage to the upper electrode 18 and the lower electrode 14.例文帳に追加
初回の書込み動作の前に、上部電極18および下部電極14に対して初期化パルス電圧が印加されることにより、記憶層17の下部電極14との界面に高抵抗層19が設けられている。 - 特許庁
These data input method and data input buffer have effect for improving tDQSS window, also, have effect that write operation can be performed smoothly within a range from the minimum tDQSS to the maximum tDQSS.例文帳に追加
このようなデータ入力方法及びデータ入力バッファは、tDQSSウィンドウを改善する効果があり、また、最小tDQSSから最大tDQSSまでの範囲で円滑にデータ書込みの動作を行える効果がある。 - 特許庁
Thus, it is possible to calculate the maximum value or minimum value for every element by one instruction, and it is unnecessary to hold any element in vector data registers 41 to 43 once this arithmetic operation is performed, and it is possible to write the next elements.例文帳に追加
これにより、一つの命令で、要素毎に最大値または最小値を求めることが可能となり、この演算が行われ次第、ベクトルデータレジスタ41〜43には要素の保持が必要なくなり、次の要素の書込みが可能となる。 - 特許庁
A CPU 10 decides the upper limit value of a read/write operation time of each data sector in the access range based on the performing restricting time of the command and the number of data sectors included in the access range designated by the command.例文帳に追加
CPU10は、コマンドの実行制限時間及び当該コマンドにより指定されたアクセス範囲に含まれるデータセクタ数に基づいて、当該アクセス範囲の各データセクタ毎のリード/ライト動作時間の上限値を決定する。 - 特許庁
This flash memory device includes a write driver for driving a data line according to data to be written to a flash memory cell during a program period, a sense amplifier circuit for sensing and amplifying the data stored in the flash memory cell during a program verify period, and an isolation circuit for electrically isolating the sense amplifier circuit from the data line during an operation period of the write driver.例文帳に追加
ここに開示されるフラッシュメモリ装置は、プログラム区間の間、フラッシュメモリセルに書き込まれるデータに従ってデータラインを駆動する書き込みドライバと、プログラム検証区間の間、前記フラッシュメモリセルに貯蔵されたデータを感知増幅する感知増幅回路と、前記書き込みドライバの動作区間の間、前記データラインから前記感知増幅回路を電気的に絶縁させる絶縁回路とを含む。 - 特許庁
Thus, during the same operation, and at the same time, the separate sets of the plurality of write heads, temporarily write the received data to the magnetic tape so that a sender can erase its copy, and rewrite the saved data to the magnetic tape in a permanent arrangement, without waiting to complete first writing the received data, to complete subsequently rewriting the data and repeating a series of this flow.例文帳に追加
したがって、同じ操作中に、かつ同時に、複数の書き込みヘッドの個々の組は、受信データを一時的に磁気テープに書き込んで、送信元がそのデータのコピーを削除できるようにし、受信データの最初の書き込みの完了を待機することなく、退避データを磁気テープに永続的構成で再書き込みして、データのその後の再書き込みを完了させ、この一連の流れを繰り返す。 - 特許庁
An arithmetic unit 26 of a master set 2 receiving the vertical synchronization data S13, S13' via a data demodulator 25 controls the operation of a timing generator 24 to write/read the video signal via a field memory 22 and a display device 23 displays the image.例文帳に追加
垂直同期データS13、S13'をデータ復調器25を介して入力した親機2の演算装置26はタイミング発生器24を動作制御してフィールドメモリ22を介して映像信号を書き込み、読み出して表示装置23にて画面表示させる。 - 特許庁
The display panel is driven by firstly placing second discharge cells of respective pixel cells, belonging to display lines, in write address operation in sequence for every display display line according to pixel data in an address period of the subfield at the head of a one-field display period.例文帳に追加
すなわち、1フィールド表示期間の先頭のサブフィールドのアドレス期間において、先ず、画素データに応じて各表示ライン毎に順次その表示ラインに属する画素セル各々の第2放電セルに対して以下の如き書込アドレス動作を実行する。 - 特許庁
In a write operation, the bit line precharge circuit 120 controls the potential of a low-data holding power supply of a memory cell corresponding to a selected bit line to be higher than that of a low-data holding power supply of a memory cell corresponding to an unselected bit line.例文帳に追加
そして、書き込み動作時に、ビット線プリチャージ回路120によって、選択されたビット線に対応したメモリセルのローデータ保持電源の電位を、非選択のビット線に対応したメモリセルのローデータ保持電源よりも高い電位に制御する。 - 特許庁
To provide a general purpose LDPC decoder by generating control data for the read from a memory of data required for an operation and the write of the data to the memory from a check matrix in order to constitute the general purpose LDPC decoder corresponding to an optional check matrix.例文帳に追加
任意の検査行列に対応した汎用のLDPC復号器を構成するため検査行列から演算に必要なデータのメモリからの読み出し、メモリへのデータの書き込み制御データを生成して汎用のLDPC復号器を実現する。 - 特許庁
Since data can be sent in advance to the upstream section of a data path for writing at the time of performing late writing operation, the random cycle time at writing time can be shortened by making the writing speed of data in a memory cell faster in the next write cycle.例文帳に追加
レイトライト動作において、書き込みのデータパスにおける上流部側に予めデータを送り込むことができるので、次のライトサイクルにおいて、メモリセルにデータを書き込む動作を高速化して書き込み時のランダムサイクルタイムを短縮できる。 - 特許庁
To provide an information recorder capable of intentionally making the temporary stop or restarting the recording operation in the process of recording, under the condition for reading out data normally and continuously later even though the temporary stopping and restarting of the write-in of data are carried out.例文帳に追加
データの書込みの一時停止と再開とを行っても後から連続的に正常にデータを読み出せる条件下に、記録中の記録動作を意図的に一時停止させたり再開させたりできる情報記録装置を提供する。 - 特許庁
To shorten a test time when blocks to be erased selected over a plurality of banks are serially selected by a block unit and data are erased in a flash memory in which write/erasure operations and read operation are simultaneously performed.例文帳に追加
書き込み/消去動作と読み出し動作を同時実行可能なフラッシュメモリにおいて、複数のバンクにわたって選択された消去対象選択ブロックをブロック単位でシリアルに選択してデータ消去を行う際、テスト時間の短縮化を図る。 - 特許庁
To provide a system which can write images scanned only by a very simple operation (button pressing of a scanning tool bar), in a personal computer in a system for controlling an image processing unit having a scanner function and a card writing function from the personal computer.例文帳に追加
スキャナ機能とカードライタ機能を有する画像処理装置をPCから制御するシステムにおいて、PC上での非常に簡単な操作(スキャンツールバーのボタン押下)だけで、スキャンした画像をメモリカードに書き込むことが可能なシステムを提供する。 - 特許庁
To variably set timing of a write command read time (tRWL) for a RAS bar signal shorter than a specified value and a precharging time (tRP) to be desirably measured by executing operation tests at the tRWL for a RAS bar signal shorter than a specified value and the tRP.例文帳に追加
規定値よりも短い時間のRASバー信号に対するライトコマンドリード時間(tRWL)、プリチャージ時間(tRP)での動作テストを実行することができ、測定したいtRWLおよびtRPのタイミングを可変とする。 - 特許庁
The editing program contains several instructions for executing operation such as COPY, DELETE, RECORD, PLAYBACK, INSERT and OVER WRITE and is stored in an instruction RAM related to an edit engine.例文帳に追加
編集プログラムは、COPY、DELETE、RECORD、PLAYBACK、INSERT、およびOVERWRITEなどの操作を実行するいくつかの命令を含み、編集エンジンに関連付けられている命令RAMに格納されている。 - 特許庁
A signal processing system 120 of a video recorder apparatus 100 determines an allowed storage area VASS for the present disk before trying write operation to the disk 2, and selects a free area 72 for writing only within the allowed storage area.例文帳に追加
ビデオ記録装置(100)の信号処理システム(120)は、ディスク(2)に書き込み動作を試みる前に、現在のディスクの許容記憶領域(VASS)を見定め、書き込みのための空き領域(72)を該許容記憶領域の範囲内からのみ選択する。 - 特許庁
To automatically control a reproducing or recording laser power to be optimal by excluding trial write control as little as possible in the case of operation dealing with a dynamic fluctuation factor in a magneto-optical disk drive device using a magnetic domain wall movable magneto-optical recording medium.例文帳に追加
磁壁移動型光磁気記録媒体を用いる光磁気ディスクドライブ装置において、動的変動要因に対して運用時の試し書き調整を極力排除し、再生または記録レーザーパワーを最適に自動調整できるようにする。 - 特許庁
To provide an error checking and correction device and method for achieving the shortening of a time required for partial write and reduction in the size, which is applicable even to a CPU whose operation can not be temporarily stopped and a memory device equipped with the error checking and correction device.例文帳に追加
パーシャルライトに要する時間の短縮及び規模の低減を実現でき、動作を一時停止させることができないCPUにも適用可能な誤り検出訂正装置及び方法、及び当該装置を備えるメモリ装置を提供する。 - 特許庁
To solve a problem that a device for recording real-time data on a flash memory is not compatible with a system recording data via a file system because a means for continuing a writing operation when a write error occurs is unique and irrelevant to the file system.例文帳に追加
フラッシュメモリに対してリアルタイムデータを記録する機器において、書き込みエラーが発生したときに、書き込みを継続するための手段が、ファイルシステムとは無関係な独自形式であるため、ファイルシステムによりデータを記録するシステムには適合できない。 - 特許庁
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