「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor storage device which can perform write operation at high speed even in low voltage without making activation period of time for a word line longer in the ordinary voltage.例文帳に追加

通常電圧においてワード線の活性化期間を長くすることなく、低電圧でも高速に書き込み動作を実行できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To erase temporarily written contents from a shared window even without performing an erasing operation every time with respect to desired write contents.例文帳に追加

所望の書き込み内容については、消去操作を一々行わなくても一旦書き込んだ内容を共有ウィンドウ上から消去することができるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which voltage stress caused in a transfer register for transferring high voltage used during write operation or the like can be relaxed.例文帳に追加

書き込み動作時等に用いられる高電圧を転送するための転送トランジスタに発生する電圧ストレスを緩和することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then, the virtual storage device 10 presents the virtual storage regions through a computer 20 to a user, and makes the user perform an operation to write data in the virtual storage regions.例文帳に追加

そして、仮想ストレージ装置１０はこの仮想的な記憶領域をコンピュータ２０を介してユーザに提示し、ユーザにはこの仮想的な記憶領域にデータを書き込むような操作を行わせる。 - 特許庁

An operation control circuit 2 controlling write-in to a memory cell of a memory cell array 1 is provided between the memory cell array 1, a data input buffer 3, and a data output buffer 4.例文帳に追加

メモリセルアレイ１とデータ入力バッファ３及びデータ出力バッファ４の間には、メモリセルアレイ１のメモリセルへの書き込みを制御する演算制御回路２が設けられている。 - 特許庁

To provide an encrypting apparatus in which power consumption can be reduced by preventing memory write operation based on useless encryption in the case of dynamic data encryption between a processor and a memory.例文帳に追加

プロセッサとメモリ間の動的データ暗号化時に不要な再暗号化によるメモリ書込み動作を防いで消費電力を減少させることができる暗号化装置を提供する。 - 特許庁

In implementations that dynamically select read interleaving policies and write interleaving policies, the selection may be based on various operating conditions, such as temperature, power source, battery voltage, and operation mode.例文帳に追加

読出しインターリーブポリシーおよび書込みインターリーブポリシーを動的に選択する諸実施形態では、選択は、温度、電源、バッテリ電圧、動作モードなど様々な動作状態に基づく可能性がある。 - 特許庁

A sequencer 60 and a ROM writer 42 are controlled by setting two printed circuit boards 1 to a carrier device 20 and running a program by a computer 30, and data write-in operation is started.例文帳に追加

２枚のプリント基板１が搬送装置２０にセットされ、コンピュータ３０がプログラムを実行することで、シーケンサ６０とＲＯＭライタ４２が制御され、データ書込作業が開始される。 - 特許庁

A CPU 200 determines the optimum bias electric current and the write electric current, based on the temperature measurement result of the GMR read element, and executes the reset operation by the supply of these electric currents.例文帳に追加

ＣＰＵ２００は、ＧＭＲリード素子の温度測定結果に基づいて、最適なバイアス電流とライト電流を決定し、これらの電流供給によりピン・リセット動作を実行する。 - 特許庁

To provide a handwriting input system capable of dispensing with an operation of a button or the like in both on-line and off-line, easy to write by handwriting, and capable of supporting an input by a gesture.例文帳に追加

オフラインでもオンラインと同じようにボタン等の操作の必要がなく、手書きならではの筆記しやすさとジェスチャーによる入力支援が行える手書き入力システムを提供する。 - 特許庁

That is, in a series of rewriting sequence in the flash memory 1, output operation of existing data for page buffers 5, 6 of the flash memory 1 can be inhibited, and a write-in time can be largely reduced.例文帳に追加

即ち、フラッシュメモリ１における一連の書き換えシーケンスの中で、フラッシュメモリ１のページバッファ５、６に対する既存データの出力動作を禁止でき、書き込み時間を短縮できる。 - 特許庁

Even in the case that a power break occurs during page update, a stage of data write operation at the time of the power break can be determined on the basis of validity and stability of each page when starting at the next time.例文帳に追加

ページ更新中に電源遮断が発生しても、次回起動時に、各ページの有効性と安定性を基に電源社団時におけるデータ書き込み動作の段階を判定できる。 - 特許庁

When a power source potential Vcc is increased, in write-operation in which a current value flowing into the memory cell is large, a cell power source potential which drops more is supplied to the memory cell MC.例文帳に追加

電源電位Ｖｃｃが上昇した場合、メモリセルに流入する電流値が大きなライト動作では、より大きく降圧したセル電源電位がメモリセルＭＣへ供給される。 - 特許庁

To provide a disk drive which does not improve the material and the structure of a head, but has a function capable of suppressing especially a PTP (Pole Tip Protrusion) phenomenon in the time of a write operation effectively.例文帳に追加

ヘッドの材料や構造の改善ではなく、特にライト動作時でのＰＴＰ現象をライト制御により効果的に抑制できる機能を有するディスクドライブを提供することにある。 - 特許庁

When start of video recording is designated by using an entry key 4, a memory control circuit 31 controls a write operation of a track memory 19 according to an instruction from a microcomputer 33.例文帳に追加

入力キー３４を用いて録画開始が指定されると、メモリ制御回路３１はマイクロコンピュータ３３からの命令に従って、トラックメモリ１９の書込み動作を制御する。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory device in which execution timing of pre-charge can be adjusted without considering an operation state of an internal circuit at read and write.例文帳に追加

データ読出および書込時の内部回路の動作状態を考慮することなくプリチャージの実行タイミングを調整することが可能な同期型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an entirely new semiconductor storage device which does not delay read/write access by a refresh operation, and is interface-compatible with a high-speed SRAM such as a QDR SRAM, and to provide a refresh control method.例文帳に追加

リフレッシュによるリード／ライトアクセスを遅延させず、ＱＤＲ ＳＲＡＭ等の高速ＳＲＡＭにインタフェース互換の全く新規の半導体記憶装置とリフレッシュ制御方法の提供。 - 特許庁

The controller 38 instructs the voice synthesis IC 32 to complete generation of the shutter operation sound when write of the image data to a DRAM 24 is finished by giving a control signal to the IC 32.例文帳に追加

コントローラ３８は画像データのＤＲＡＭ２４への書き込みが終了した時点で音声合成ＩＣ３２に制御信号を与えてシャッタ動作音の発生終了を指示する。 - 特許庁

To allow an old person to easily look displayed characters in a screen, and more easily grasp an image of the whole text, and read out and write in with simple operation and without labor.例文帳に追加

お年寄りにとって、画面の表示文字が見やすく、文章全体のイメージがよりつかみやすく、同時に操作が簡単で手間がかからずに読み取り、書き込みが可能になる - 特許庁

To provide a drive method of a nonvolatile ferroelectric memory device, being capable of write and read operation uniformly over an overall memory cell array, and suitable for obtaining a compact memory cell with a reduced sensing voltage.例文帳に追加

メモリセルアレイ全体で均一に書込・読出動作が可能で、センシング電圧を低下させてメモリセルの小形化に適した不揮発性強誘電体メモリ装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁

The intensity and gradient of the recording magnetic field in the heat spot on the magnetic medium are coupled to a profile of the heat energy of the plasmon mode to form an optimal situation for write operation.例文帳に追加

磁気メディア上のヒートスポットにおける記録磁界の強度および勾配がプラズモンモードの熱エネルギーのプロファイルと結合し、書込動作にとって最適な状況が形成される。 - 特許庁

To prevent an error which can be caused in pre-charge and read/write operation by generating a column path control signal influenced by the same PVT (process, voltage, and temperature) characteristic variation of a CMOS transistor.例文帳に追加

ＣＭＯＳトランジスタのＰＶＴ特性変化に同一の影響を受けるカラム経路制御信号を生成することで、プリチャージ及びリード／ライト動作で発生しうるエラーを防止する。 - 特許庁

The simulation model is provided with a processor model for condensing the operation of the processor into three stages, i.e. a fetch stage, an execution stage and a memory and write-back stage, and executing weight control of each stage when necessary.例文帳に追加

プロセッサの動作をフェッチステージ、実行ステージ、メモリおよびライトバックステージの３段のステージに集約し、それぞれのステージに必要に応じてウェイト制御を行うプロセッサモデルを備える。 - 特許庁

When a write-in operation is performed, high programming voltage is applied to a selective word line, path voltage is applied to other work line, a power source voltage VCC is applied to the gate of the selective transistor 21.例文帳に追加

書き込みのとき、選択ワード線に高電圧のプログラミング電圧Ｖ_pgm を印加し、他のワード線にパス電圧Ｖ_passを印加し、選択トランジスタ２１のゲートに電源電圧Ｖ_CCを印加する。 - 特許庁

When receiving notification, the transmission side file management device 1c reads the file system information of the storage device 2e, and confirms the area of the file to be written by itself, and performs a desired file write operation.例文帳に追加

送信側ファイル管理装置は、通知を受け取ると、蓄積装置のファイル・システム情報を読み出し、自らが書き込むファイルの領域を確認して、所望のファイル書き込み動作を行なう。 - 特許庁

To provide a data storing method in which restoration can be performed by simple procedure, in a shorter time, and surely, even if write operation of data for a data region of a flash memory is interrupted.例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ領域に対するデータの書き込み動作が中断されても、簡素な手順で、より短時間で確実に、復旧させることができるデータ記憶方法を提供する - 特許庁

To provide a reset circuit by which a RAM storing backup data cannot write a value of a reset signal even when a power supply voltage is lower than an operation warrant voltage of a reset IC.例文帳に追加

電源電圧の値がリセット用ＩＣの動作保証電圧値より低い場合でも、リセット信号の値をバックアップデータが記憶されるＲＡＭが書き込み可能とならない値に保持する。 - 特許庁

To provide a MRAM which can reduce the resistance of a route in which a write current flows while stabilizing the magnetizing direction of a free ferromagnetic layer in non-writing operation.例文帳に追加

非書き込み動作時の自由強磁性層の磁化の向きを安定化しつつ，書き込み電流が流れる経路の抵抗を小さくすることを可能にするＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The selected column is selected and the power supply voltage to that column is reduced during a write operation in which a bit is written to one of the SRAM cells belonging to the selected column.例文帳に追加

選択された列が選択され、その列への電源電圧は、選択された列に属するＳＲＡＭセルの１つにビットが書き込まれる書込み動作中に減少されている。 - 特許庁

To provide a control unit which can read and write data of a storage section according to a processing request from an external device during the abnormal operation of a main computation processing section.例文帳に追加

主計算処理部の異常動作時において、外部装置からの処理要求にしたがって記憶部のデータの読み出し及び書き込みを行うことができる制御装置を提供する。 - 特許庁

Functionally, this additional circuit element separates a latch node from bit line capacitance being comparatively large during write-in operation, and is operated so that the latch node can change a state more quickly.例文帳に追加

機能的には、この追加の回路素子は書込動作中の比較的大きなビット線キャパシタンスからラッチノードを分離させ、ラッチノードがより早く状態を変化できるように働く。 - 特許庁

To perform write operation at high speed in a semiconductor integrated circuit for fetching serial data synchronously with a clock signal and writing these data in a memory cell as parallel data.例文帳に追加

本発明は、クロック信号に同期して直列データを取り込み、並列データとしてメモリセルに書き込む半導体集積回路に関し、書き込み動作を高速に行うことを目的とする。 - 特許庁

Complementary data are written in each reference cell 10a, 10b, and data are each re-written so as to be inverted in the polarity at each erase/write operation of the memory cells 10.例文帳に追加

各基準セル１０ａ，１０ｂには互いに相補なデータが書き込まれ、各データは、メモリセル１０の消去／書き込み動作毎にそれぞれ逆の極性となるように反転して書き換えられる。 - 特許庁

Writing data DQ is captured by an input circuit which is activated based on the write command WR, and the writing operation is carried out on the basis of the captured writing data DQ.例文帳に追加

書き込みデータＤＱは、ライトコマンドＷＲに基づいて活性化される入力回路で取り込まれ、取り込まれた書き込みデータＤＱに基づいて書き込み動作が行われる。 - 特許庁

A CPU 19 omits whole the bit write termination determination operation which determines completion of writing whole bits, up to the number of times set in a setting register 18 of number of determination omit times.例文帳に追加

ＣＰＵ１９は、判定省略回数設定レジスタ１８に設定された回数分まで、全ビット書き込み完了を判定する全ビット書き込み終了判定動作を省略する。 - 特許庁

Change of contents of a storage means (adjustment value) and rewrite of an incorporated ROM (flash memory ROM) are permitted only in a specific system out of a plurality of communication modes to prevent erroneous operation and erroneous write.例文帳に追加

また、複数の通信モードの内、特定方式でのみ、記憶手段（調整値）の変更、内臓ＲＯＭ（フラッシュＲＯＭ）の書き換えの許可することで、誤動作、誤書込の防止にもなる。 - 特許庁

While, at operation test time, read/write to either one of a pair cell can be made by activation of desired one line from word lines WL1 to WL6.例文帳に追加

一方、動作試験時においては、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ６のうち、所望の１本を活性化することにより、ペアセルのうち、何れか一方に対してのみ読み書きを可能とする。 - 特許庁

When a chip selection signal CS1B is activated, the memory circuit section 110A performs a read or write operation via the data input/output terminal LDQ based on an address signal ADD regardless of the operation of the memory circuit section 110B.例文帳に追加

メモリ回路部１１０Ａは、チップ選択信号ＣＳ１Ｂが活性化されると、メモリ回路部１１０Ｂの動作とは無関係にアドレス信号ＡＤＤに基づいてデータ入出力端子ＬＤＱを介したリード動作又はライト動作を行う。 - 特許庁

In the driving device of the display panel, write operation (Ws, We) for writing a display data to frame memory within one frame period and read operation (a, a', ..., h, h') for reading the display data written in the frame memory are carried out.例文帳に追加

表示パネルの駆動装置は、１フレーム期間内でフレームメモリに対して表示データを書き込む書き込み動作（Ｗｓ，Ｗｅ）と、前記フレームメモリに書き込まれた前記表示データを読み出す読み出し動作（ａ，ａ′〜ｈ，ｈ′）とが実行される。 - 特許庁

An input data signal is transmitted to a memory bank performing write-in operation through a wrote-in data path WP, and an output data signal is transmitted to an input/output pin from a memory bank performing read-out operation through a read-out data path RP.例文帳に追加

書込データ経路ＷＰを通じて入力データ信号が書込み動作を実行するメモリバンクに伝送され、読出しデータ経路ＲＰを通じて出力データ信号が読出し動作を実行するメモリバンクから入力／出力ピンに伝送される。 - 特許庁

To provide a DV recorder which can make the operation to write information on images, voices, etc., to recording media and the operation to read the information on the images, voices, etc., written on the recording media and is capable of simultaneously executing a plurality of such operations.例文帳に追加

記録媒体に画像、音声等の情報を書き込む動作や記録媒体に書き込まれた画像、音声等の情報を読み取る動作を行うことができ、且つ、このような動作を複数同時に行うことができるＤＶレコーダーを提供する。 - 特許庁

A control signal generating circuit 150 performs control for a memory cell array 200 in a non-normal operation mode being different from a normal operation mode in which write of data to the memory cell array 200 and read of data from the memory cell array 200 are performed.例文帳に追加

コントロール信号発生回路１５０は、メモリセルアレイ２００へのデータの書き込み及びメモリセルアレイ２００からのデータの読み出しを実行する通常動作モードと異なる非通常動作モードにおいてメモリセルアレイ２００に対する制御を行う。 - 特許庁

When a chip selection signal CS2B is activated, the memory circuit section 110B performs the read or write operation via the data input/output terminal UDQ based on the address signal ADD regardless of the operation of the memory circuit section 110A.例文帳に追加

メモリ回路部１１０Ｂは、チップ選択信号ＣＳ２Ｂが活性化されると、メモリ回路部１１０Ａの動作とは無関係にアドレス信号ＡＤＤに基づいてデータ入出力端子ＵＤＱを介したリード動作又はライト動作を行う。 - 特許庁

The circuit for counting the number of times of rewrite operation comprising an EEPROM cell gate voltage generating circuit 44 for memory, n write/read circuits 15-17, and n EEPROM cells 41-43 for memory counts rewrite operation of a flash type EEPROM and stores the count.例文帳に追加

記憶用ＥＥＰＲＯＭセルゲート電圧生成回路４４と、ｎ個の書き込み読み出し回路１５〜１７と、ｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセル４１〜４３とを有し、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭの書き換え回数を計数し、その計数値を記憶する。 - 特許庁

To manage the remaining capacity of a memory without depending upon an UP/DOWN counter which generates a write request signal and a read request signal and to make writing operation and reading operation fast and a relevant device inexpensive.例文帳に追加

書き込み要求信号及びリード要求信号を発生するＵＰ／ＤＯＷＮカウンタに依存することなく、メモリ残量を管理できるようにすると共に、書込み動作及び読出し動作を高速化及び、当該装置を低廉化できるようにする。 - 特許庁