「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve reliability by reducing the influence of noises generated by a write/erase operation on a read operation during execution of a simultaneous execution function in a flash memory having the simultaneous execution function.例文帳に追加

本発明は、同時実行機能を有するフラッシュメモリにおいて、同時実行機能の実行時に発生する書込み／消去動作によるノイズの、読出し動作への影響を低減でき、信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

When operation is switched from the mode 1 to the mode 2, as operation of the non-contact type IC module 8 is prohibited, The HDD part 6 can perform write-in or read-out without being affected by impact, electromagnetic wave, and magnetism.例文帳に追加

モード１からモード２へ切り替えると、非接触型ICモジュール８の動作が禁止されるので、HDD部６は衝撃や電磁波、磁力による影響を受けることなく書き込み又は読み出しを行うことができる。 - 特許庁

The data processing apparatus for nonvolatile memory is provided with: a nonvolatile memory including a plurality of blocks; an operation processing part for writing data into the blocks, when a user request a write operation, and enabling all the blocks with data written therein; and a block management part for managing the state of the blocks in accordance with the operation processing of the operation processing part.例文帳に追加

複数のブロックを含む不揮発性メモリと、ユーザの書き込み作業要求時、前記ブロックにデータを書き込んだ後に前記データが書き込まれたブロックを一括して有効化させる作業処理部と、前記作業処理部の作業処理に対応して前記ブロックの状態を管理するブロック管理部とを有する。 - 特許庁

A control circuit which has a CPU and a memory device capable of electrically being rewritten to store an operation program of the CPU has a switching means of switching a signal inputted to a write control end (write terminal) of the memory device to input a write signal outputted by the CPU logically as it is or inhibit the input.例文帳に追加

ＣＰＵと、ＣＰＵの動作プログラムを格納するための、電気的に書き換えが可能なメモリデバイスを有する制御回路において、上記メモリデバイスの書き込み制御端子（ライト端子）に入力される信号を、ＣＰＵの出力したライト信号を論理的にそのまま入力するか、入力を禁止するかを、切り替えるための切替え手段を有する。 - 特許庁

Therefore, while the characteristic that charge implantation efficiency is kept high during the write operation, the read current can be increased more than that in the structure of the related art.例文帳に追加

このため、書き込み動作時の電荷注入効率が高いと言う特長を有したまま、従来の構造よりも読み出し電流量を多くすることができる。 - 特許庁

To provide an information recording/reproducing apparatus which is improved in recording speed and the reliability of recording information by read-modify-write operation even when verifying is not required, and to provide a method therefor.例文帳に追加

ベリファイ不要時でも、記録速度の向上とリードモディファイライト動作による記録情報の信頼性とを兼ね備えた情報記録再生装置とその方法を提案する。 - 特許庁

When a processing section 30 performs write operation to the sector of a magnetic disk 12 after shipping, the defectiveness of the sector is verified and the result thereof is written to sector management data SMD.例文帳に追加

処理部３０が出荷後に、磁気ディスク１２のセクタへの書き込み動作を行う際に、当該セクタ良否を検証し、その結果をセクタ管理データＳＭＤに書き込む。 - 特許庁

The log memory 15 can control the write-in and read-out operation of the log data non-synchronously and independently, and can read out the log data repeatedly during performing the test.例文帳に追加

ログメモリ１５は、ログデータの書込み動作と読出し動作を非同期かつ独立に制御可能であり、テスト実行中に繰り返しログデータを読出し可能に構成されている。 - 特許庁

For example, when read/write operation of 7 bits data in which parity bits of 3 bits are added to 4 bits data is performed for a memory cell array 21, error correction is performed every 7 bits data.例文帳に追加

メモリセルアレイ２１に、例えば、４ビットのデータに３ビットのパリティビットが付加された７ビットデータのリード／ライト動作を行う際、７ビットデータ毎にエラー訂正が行われる。 - 特許庁

To provide an access control system, with which operation such as reference, write and read to personal data is disabled to the other person when plural persons are to use the same computer.例文帳に追加

同一コンピュータを複数人で使用する場合に、個人のデータを他者に閲覧、及び、書き込み、読み出し等の操作がなされないアクセス制御システムを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which can perform stable write-in operation even when a comparatively high frequency within the limit of specification of a setup time and a hold-time is used.例文帳に追加

セットアップ時間およびホールド時間の仕様一杯までの比較的高い周波数でも安定な書き込み動作ができる半導体集積回路を提供する． - 特許庁

This device is provided with a low potential supply circuit SUPG shifting a power source potential or a ground potential of a memory cell array MARY1 in a static operation mode such as a read-write mode or the like.例文帳に追加

リード・ライトモードなどの静的動作モードにおいてメモリセルアレイＭＡＲＹ１の電源電位または接地電位をシフトさせる低電位供給回路ＳＵＰＧを備える。 - 特許庁

By the control means 14, the operation of each buffer area is changed over between write and read in accordance with the number of sound packets stored in one buffer area.例文帳に追加

管理手段１４は、１つのバッファ・エリアに蓄積されている音声パケットの数に基づいて、各バッファ・エリアの動作を書き込みと読み出しの間で切り換えさせる。 - 特許庁

To provide a storage device capable of making a redundant write operation of unselected data unnecessary and optimizing an arrangement of pages to a state having a high efficiency for rewriting.例文帳に追加

非選択データの冗長な書き込み操作を不要とでき、ページの配列を書き換えに効率の良い状態に最適化することが可能な記憶装置を提供する。 - 特許庁

When a comparator circuit 4 detects that a memory read address coincides with the stored write address, the switched operation mode is instructed to the reading side.例文帳に追加

そして、比較回路４で、メモリ読出しアドレスと記憶されている書込みアドレスとの一致が検出されたときに、読出し側へ切替わった動作モードを指示するよう構成する。 - 特許庁

To eliminate delays in write interval, with respect to recording medium due to the execution of the detecting operation of the optimum laser output value at writing, by saving the trial writing area.例文帳に追加

試し書き領域を節約し、書込時のレーザ出力最適値の検出動作の実行による記録媒体に対する書込み間隔の遅れを解消する。 - 特許庁

Thereby, the foreign matter attached to the data region of the magnetic tape 11 is moved to the non-data region, and read-write operation of data can be performed without hindrance.例文帳に追加

これにより、磁気テープ１１のデータ領域に付着した異物が非データ領域に移動され、データのリード／ライト・オペレーションを支障なく行うことができるようになる。 - 特許庁

Meanwhile, the peripheral LSI is made to start the operation shown by the read/write signal with the inversion of both the latch forward rotation signal and the latch backward rotation signal as a chance.例文帳に追加

一方、周辺ＬＳＩには、ラッチ正転信号とラッチ反転信号の両者が共に反転したことを契機として上記リード／ライト信号の示す動作を開始させる。 - 特許庁

The CPU 21 executes an area management processing in which area are divided during track-refresh-write operation, while a plurality of area are unified based on the upper limit of management area numbers.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、トラックリフレッシュライト動作時に、エリアを分割すると共に、管理エリア数の上限に基づいて複数のエリアを統合するエリア管理処理を実行する。 - 特許庁

When it is not included, a display control part 24 moves the display range of the display so as to include the write position of the written image when a user is not in operation.例文帳に追加

含まれていない場合、表示制御部２４は、ユーザが操作中でなければ、書込画像の書込位置が含まれるようにディスプレイの表示範囲を移動させる。 - 特許庁

At an additional write-in operation, the second area SP2 is selected as the data writing end, and the reference cell 13 for spare memory is selected as the reference data writing end.例文帳に追加

追加の書込み動作時には、データ書込み先として第２領域ＳＰ２が選択され、リファレンスデータの書込み先としてスペアメモリ用リファレンスセル１３が選択される。 - 特許庁

A target position setting section 232 generates a correction value by the product-sum operation of PES in track write followed by the read element and a preregistered correction coefficient.例文帳に追加

ターゲット位置設定部２３２は、リード素子がフォロしているトラック書き込み時のＰＥＳと予め登録されている補正係数との積和演算により補正値を生成する。 - 特許庁

To provide a memory which does not need a redundant write operation of a non-selected data and can optimize a syntax of a page to rewriting at an efficient status.例文帳に追加

非選択データの冗長な書き込み操作を不要とでき、ページの配列を書き換えに効率の良い状態に最適化することが可能な記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-level memory realizing the improvement of write-in operation margin and yield of products while narrowing the distribution of threshold voltage corresponding to multi-level information.例文帳に追加

多値情報に対応したしきい値電圧の分布の狭帯化を図りつつ、書き込み動作マージンの改善と製品歩留りの改善を実現した多値メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a head slider for a hard disk drive where the reliability of read/write operation is improved by varying a floating height corresponding to an yield temperature.例文帳に追加

作動温度によって浮上高を可変することによって、読み取り／書き込み動作の信頼性を向上することができるハードディスクドライブのヘッドスライダを提供すること。 - 特許庁

And write-in of program video data for the optical disk 10b is started from a point of time of start of receiving program broadcasting again, and the same operation is performed successively.例文帳に追加

そして、再度番組放送の受信を開始した時点から光ディスク１００ｂへの番組映像データの書き込みを開始し、同様の動作を順次行う。 - 特許庁

The maintenance control block is constituted, so that read-out/write-in operation is performed by reading out or writing specified data by the CAM via a third port.例文帳に追加

メンテナンス制御ブロックは、第３のポートを経て、指定されたデータをＣＡＭで読み出しまたは書き込みすることによって読み出し／書き込み動作を実行するように構成される。 - 特許庁

To provide a bit cell test circuit that conducts a write and a readout test of a bit cell to be tested through simple operation, and a method of detecting a defective bit cell.例文帳に追加

簡易な動作によりテスト対象ビットセルの書き込み及び読み出しテストを実行するビットセルテスト回路及び不良ビットセル検出方法を提供すること - 特許庁

The semiconductor device (210) is provided with a control circuit (103) capable of controlling an operation to write the initial program into the memory through the first external terminal.例文帳に追加

上記半導体装置（２１０）には、上記第１外部端子を介して上記メモリにイニシャルプログラムを書き込むための動作を制御可能な制御回路（１０３）を設ける。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device including an unauthorized read/write operation prevention function to data written in a flash memory, and to provide a control method for the same.例文帳に追加

フラッシュメモリーに書き込まれたデータに対して不正リード／ライト動作防止機能を要した集積回路装置及び集積回路装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell driving circuit repeats a data verify write operation in units of memory cells corresponding to N bits until all the cells pass verification.例文帳に追加

メモリセルの駆動回路は、Ｎビットに対応するメモリセルを一つの書き込みセル単位としてデータのベリファイ書き込み動作のサイクルを、全セルが検証パスとなるまで繰り返す。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device in which the quantity of electric charges accumulated in an information storage capacitor can be increased and sufficient operation margin of read and write operations can be secured.例文帳に追加

情報記憶キャパシタに蓄積される電荷量を増加させることができ、読み出し書き込み動作の十分な動作マージンを確保可能な半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

A write-read control unit 53 controls a switching operation between a readable line memory and a writable lime memory alternately within a first line memory and a second line memory 51a and 51b.例文帳に追加

書込読出制御部５３は第１及び第２のラインメモリ５１ａ，５１ｂの中から読み出し可能なラインメモリと書き込み可能なラインメモリとを交互に切り換える制御する。 - 特許庁

In the memory cell of SRAM, the erroneous write of SRAM is prevented by separating a writing circuit and a readout circuit, so as to allow the stable operation.例文帳に追加

ＳＲＡＭのメモリセルは、書き込みの回路と読み出しの回路を分離する事により、ＳＲＡＭの誤書き込みを防ぎ、安定した動作を行うことを可能にする。 - 特許庁

When the address during the read operation is matched with the stored address of address FIFO, the data of memory cell array is not outputted and the stored write data of the data FIFO is outputted.例文帳に追加

そして、読出動作中のアドレスがアドレスFIFOの貯蔵アドレスと一致する場合には、メモリセルアレーのデータを出力せずにデータFIFOの貯蔵書込データを出力する。 - 特許庁

The control circuit 20 simultaneously applies program voltages to a plurality of selection memory cells sMC formed along one first word line WLB (first write operation).例文帳に追加

制御回路２０は、１本の第１ワード線ＷＬＢに沿って形成される複数の選択メモリセルｓＭＣに同時にプログラム電圧を印加する（第1書込み動作）。 - 特許庁

To improve timing margin and to reduce power consumption by automatically performing bit line recovery operation only by the control of a write driver.例文帳に追加

書き込みドライバの制御のみで自動的にビット線リカバリ動作が行われるようにして、タイミングマージンの向上と消費電力低減を図った半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The 2nd address phase generating circuit is so constituted as to perform writing operation when a write data bus is idle and a read data bus is busy and vice versa.例文帳に追加

第２アドレス・フェーズ生成回路は、書込みデータ・バスがアイドルで読取りデータ・バスがビジーであるときに書込みオペレーションを実行するように構成され、逆も同様である。 - 特許庁

To obtain a non-volatile semiconductor memory in which shortening a time required for write-in operation of data and improving storage density by using a multi-level for a MOS transistor can be realized.例文帳に追加

データの書き込み動作の所要時間の短縮化、及びＭＯＳトランジスタの多値化による記憶密度の向上を実現し得る不揮発性半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

Next, after the time t1, reading is temporarily made from a disk medium (S3), and if there is no error, a normal read/write operation requested from a host is performed (S8).例文帳に追加

次に、時間ｔ１後に、ディスク媒体上からの仮のリードを行い（Ｓ３）、エラーがなかったならば、ホストから要求される通常のリード／ライト動作を行う（Ｓ８）。 - 特許庁

To provide a disk drive which avoids recording of a DC component in a write splice part at data recording time and can realize a reproduction operation of stable recorded data.例文帳に追加

データの記録時に、ライトスプライス部分でのＤＣ成分の記録を回避し、安定した記録データの再生動作を実現できるディスクドライブを提供することにある。 - 特許庁

A checker flag pattern can be written in all memory cells MC 21i, j by switching the pattern signal PTN to 'L' or 'H' and performing write-in operation two times.例文帳に追加

パターン信号ＰＴＮを“Ｌ”，“Ｈ”に切り替えて書き込み動作を２回行うことにより、すべてのメモリセル（ＭＣ）２_ｉ，ｊにチェッカーフラグ・パターンを書き込むことができる。 - 特許庁

To provide a memory element together with its manufacturing method where a distance between an MTJ cell and a second word line as a write line is reduced to allow writing operation on less current.例文帳に追加

ＭＴＪセルとライトラインである第２ワードラインの距離を縮小させ、少量の電流でライト動作を可能にした、メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data write-in method for a semiconductor memory by which data can be written without causing defective operation even under low power source voltage.例文帳に追加

低電源電圧でも動作不良を起こすことなくデータの書き込みが可能な半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, if a transmission gate for connecting an (i+1)th write-in data line and an (i+1)th output data line is further provided, a confirming operation can be performed more reliably.例文帳に追加

好ましくはｉ＋１番目の書込データ線と出力データ線とを接続するトランスミッションゲートをさらに設ければ動作確認をさらに確実に行なうことができる。 - 特許庁