「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A write strategy circuit 27 receives modulation data outputted from the modulation circuit in operation and generates a pulse signal to drive a laser.例文帳に追加

ライトストラテジ回路２７は、動作中の変調回路から出力された変調データを受けてレーザを駆動するためのパルス信号を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which has less bit lines, is hard to be affected by a noise, and can perform stable write-in operation.例文帳に追加

ビット線の数を少なくすると共に、ノイズの影響を受けにくく、安定した書き込み動作を可能にする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a suitable operation while adopting a recording system in which overlapping takes place at linking, in a system using a write-once type recording medium.例文帳に追加

ライトワンス型記録媒体を用いるシステムにおいて、リンキングでオーバラップする記録方式を採用しつつ、適切な動作を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a memory card provided with a write enable/disable setting means simple in setting operation and capable of making a memory card main body small in size and thin in thickness.例文帳に追加

設定操作が簡便で、メモリカード本体の小型化、薄型化が可能な書込可否設定手段を備えたメモリカードを提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to prevent the erroneous write-in of the data 0 from being generated due to the leak operation of the access gate of a semi-selected cell in a stand-by state.例文帳に追加

待機中，半選択セルのアクセスゲートのリーク動作によりデータ０の誤書き込みが発生することを防止することができる。 - 特許庁

By the memory cell and the method, write and read operation can be performed at an improved speed with low power consumption.例文帳に追加

開示のメモリセルおよび方法によって、低電力消費および向上した速度で書き込みおよび読み出し動作を実行することが可能になる。 - 特許庁

After writing write data into a magnetic disk 3, an ambient temperature is measured by a temperature sensor 151, and compared with a temperature range value 52 enabling a normal operation.例文帳に追加

ライトデータを磁気ディスク３に書き込んだ後、温度センサ１５１で環境温度を測定し正常動作可能な温度範囲値５２と比較する。 - 特許庁

To prevent a write error into a memory cell caused by a noise when an operation mode is switched in a semiconductor device having a normal mode and a standby mode.例文帳に追加

通常モードと待機モードとを有する半導体装置において、動作モード切換時のノイズに起因するメモリセルへの誤書込を防止する。 - 特許庁

The selection of which of other terminals should reflect its write on the display content of its own terminal is accepted from an input part as an operation origin.例文帳に追加

他のどの端末による書込みを自端末の表示内容に反映させるかの選択を操作元として入力部から受け付ける。 - 特許庁

In verify-operation for confirming whether or not threshold voltage of a memory cell is included in the prescribed threshold voltage distribution after write-on or erasure, it is evacuated that write-in and erasure operation will not converge and that write-in and erasure can be finished for a short time, by changing discriminating conditions for relaxing the direction with verify-voltage of three stages or more.例文帳に追加

書込みまたは消去後にメモリセルのしきい値電圧が所定のしきい値電圧分布に含まれるか否かを確認するためのベリファイ動作において、ベリファイ電圧が３段階以上で判定条件が緩くなる方へ変化させることにより、書込みや消去動作が収束しなくなるのを回避して短時間で書込みや消去を終了できるようにした。 - 特許庁

When an unload command is written in the register 181 by the host device 2 during execution time of read/write control operation, an MPU 19 performs unload operation to save a head 12 outside of the disk medium 11 and in order to perform read/write control processing continuously, controls data transfer between a cache memory 20 and the host device 2 according to the read/write command.例文帳に追加

リード／ライト制御動作の実行期間中にホスト装置２によってレジスタ１８１にアンロードコマンドが書き込まれた場合、ＭＰＵ１９は、ヘッド１２をディスク媒体１１を退避するアンロード動作を実行し、且つリード／ライト制御処理を継続して実行するために、前記リード／ライトコマンドに従ってキャッシュメモリ２０とホスト装置２との間のデータ転送を制御する。 - 特許庁

The analog signal processor 40 is provided with a setting resistor for controlling the operation thereof, the setting resistor is provided with a resistor 60 for setting write for controlling the operation in the write process in which data are written in the optical disk, and a resistor 61 for setting read for controlling the operation in the read process in which data are read out of the optical disk.例文帳に追加

このアナログシグナルプロセッサ４０は、その動作を制御するための設定用レジスタを備え、設定用レジスタは、光ディスクにデータを書き込むライト工程時の動作を制御するためのライト設定用レジスタ６０と、光ディスクからデータを読み出すリード工程時の動作を制御するためのリード設定用レジスタ６１とを備えている。 - 特許庁

To provide a method and circuit for driving a quad data rate synchronous SRAM which can perform the read/write operation in one cycle in a QDR device in which the read/write operation are completely independently performed in a double data rate type and which can read data in a burst length according to one address variation by using a prefetched method in the read operation.例文帳に追加

リードとライトが完全に独立的にダブルデータレート形式で動くＱＤＲ素子において１つのサイクルでリードとライトが可能であり、リード時にプリフェッチ形式を適用し、一回のアドレス変化でバースト長に合わせてデータを読み込むことができるクワッドデータレートシンクロナスＳＲＡＭの駆動方法及び駆動回路を提供する。 - 特許庁

The arbitration circuit 16f excludes all of the control modules connected to the storage unit of a second group from a write operation target in accordance with identification information of the setting register, and instructs the control module connected to the storage unit of the second group to perform a read operation in a period overlapping the write operation performed by the control module connected to the storage unit of a first group.例文帳に追加

調停回路１６ｆは、設定レジスタの識別情報に応じて第２グループの記憶部に接続された全ての制御モジュールを書き込み動作の対象から外し、第１グループの記憶部に接続された制御モジュールの書き込み動作に重なった期間に読み出し動作を行うよう、第２グループの記憶部に接続された制御モジュールに指示する。 - 特許庁

The input density correction by an input density correction section 103, the density correction by a density correction section 106 and the write density correction in a write control block 110 are respectively controlled, independently of each other in response to an operation by a user.例文帳に追加

入力濃度補正部１０３による入力濃度補正、濃度補正部１０６による濃度補正並びに書き込み制御ブロック１１０における書き込み濃度補正をユーザの操作に応答してそれぞれ独立に制御する。 - 特許庁

Erasure processing is performed making a memory cell of only matrix specified in an individual latch circuit in which a write-in state is stored as an object, the operation is repeated until memory cells being in a write-in state are used up.例文帳に追加

書込み状態を記憶している個別ラッチ回路でマトリックス的に指定される行列のみのメモリセルを対象に消去処理を行い、書込み状態となっているメモリセルがなくなるまで、上記の動作を繰り返す。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that a present write-in operation is to be masked, the writing of data in memory cells 30 in the memory circuit is stopped by invalidating a column selection signal line with the column selection circuit element 42.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきであるという内容の時、カラム選択回路要素によってカラム選択信号ラインを無効とし、データのメモリ回路内のメモリセルへの書込みを阻止する。 - 特許庁

To provide a file control program or the like that achieves control of operation of read/write to a file, allowing the control of the read/write without imposing an excessive load on arithmetic processing of a computer and without depending on hardware.例文帳に追加

コンピュータの演算処理に過度な負荷をかけることなく、かつハードウェアに依存することなく読み書きを制御することが可能なファイルに対する読み書きの操作の制御を実現するファイル制御プログラム等を提供する。 - 特許庁

To remarkably shorten a write cycle compared with a conventional method, even in a batch write operation mode and to perform evaluation for durability in rewriting in a short period of time without increasing a layout space in a semiconductor storage device.例文帳に追加

半導体記憶装置において、レイアウト面積を増大させることなく、一括書き込み動作モードにおいても従来よりも大幅に書き込みサイクルを短縮でき、書き換え耐性の評価を短時間に行なえるようにする。 - 特許庁

The row address latch circuits include write-in delaying circuits having the operation to delay the supply of the write row addresses (where, they are not the read row addresses) to the row decoders by the clock signal having at least the prescribed number of cycles.例文帳に追加

前記行アドレスラッチ回路は、書込行アドレス（ただし、読取行アドレスではない）の前記行デコーダへの供給を少なくとも所定のサイクル数の前記クロック信号によって遅延させる働きがある書込遅延回路を備える。 - 特許庁

By selecting a cache line having the same memory size as write data and writing the write data in the selected cache line, cache-in operation from the system memory occurring in partial overwriting of the line can be reduced.例文帳に追加

本発明は、書き込みデータと同じメモリ・サイズを有するキャッシュ・ラインを選択し、その選択したキャッシュ・ラインに書き込みデータを書き込むので、ラインの一部書き換えに伴って発生するシステム・メモリからのキャッシュ・イン動作を削減できる。 - 特許庁

A station side communication unit 10 inserts a write control signal and write data to an optional information channel area or control channel area addressed to each subscribed side communication apparatus according to an instruction from an operation system 1.例文帳に追加

オペレーションシステム１からの命令により、局側通信装置１０は各加入者側通信装置宛ての任意の情報チャネル領域あるいは制御チャネル領域に書込み制御信号、及び書込みデータを挿入する。 - 特許庁

Input density correction by an input density correction part 103 and density correction by a density correction part 106 and write density correction by a write control block 110 are each controlled independently, in response to the operation of a user.例文帳に追加

入力濃度補正部１０３による入力濃度補正、濃度補正部１０６による濃度補正並びに書き込み制御ブロック１１０における書き込み濃度補正をユーザの操作に応答してそれぞれ独立に制御する。 - 特許庁

When the whole contents of one page of a flash memory is rewritten, as command data does not exist, an instruction signal PAGEWRT of a logic value '0' is supplied to a write-in control circuit 10, and write-in operation of the flash memory 1 is controlled.例文帳に追加

フラッシュメモリ１の１ページの全内容を書き換える場合、コマンドデータが存在しない為、書き込み制御回路１０は論路値「０」の指示信号ＰＡＧＥＷＲＴが供給されてフラッシュメモリ１の書き込み動作を制御する。 - 特許庁

A memory write part 2 writes the number of texture data that can be both transferred at a time and written to a single address to any one of the first to the fourth texture memories 1a to 1d commonly by one write operation.例文帳に追加

メモリ書き込み部２は、１回の書き込み動作において、１度に転送可能でありかつ１個のアドレスに書き込み可能な個数のテクスチャデータを、共通に、第１〜第４のテクスチャメモリ１ａ〜１ｄのいずれか１つに書き込む。 - 特許庁

When the non-contact IC card 16 is held over the read and write region 10 of a non-contact IC card reader/writer, the read and write operation of card data is performed with the nearest antenna 10b among a plurality of subdivided antennas 10a to 10h.例文帳に追加

非接触ＩＣカード１６を非接触ＩＣカードリーダライタの読み書き領域１０にかざすと、小分けにされた複数個のアンテナ１０ａ〜１０ｈの中で最も近いアンテナ１０ｂとの間でカードデータの読み書き動作が行われる。 - 特許庁

The write is switched to the dual port RAM 105 and the read operation is switched to the dual port RAM 104 under the control of a read/write section 106 for a succeeding period (frame) and a series of operations is switched by each period (frame).例文帳に追加

次の周期（フレーム）において、読み書き切り替え部１０６の制御により、書き込み動作をデュアルポートＲＡＭ１０５に、読み出し動作をデュアルポートＲＡＭ１０４に切り替え、これら一連の動作を周期（フレーム）毎に切り替える。 - 特許庁

The threshold voltage of the MOS transistor is monitored so as to produce a high level write voltage and a low level write voltage, which are corrected and shifted based on the monitoring result so as to properly perform reload operation on the memory cell by the global sense amplifier.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの閾値電圧はモニタして高レベル書込電圧と低レベル書込電圧を生成し、これらはモニタ結果に基づいて補正・シフトされ、以って、グローバルセンスアンプによるメモリセルの再書込動作を適正に実行する。 - 特許庁

For example, in a case of a many-valued logic NAND type flash memory provided with the ECC circuit in which an allowable bit number n per page is made to 4 bits, at the time of data write operation, write loop is repeated while stepping up a word-line voltage.例文帳に追加

たとえば、１ページあたりの許容ビット数ｎが４ビットとされたＥＣＣ回路を備える多値論理のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの場合、データ書き込み動作時に、ワード線の電圧をステップアップしながら書き込みループを繰り返す。 - 特許庁

To expand a write-in voltage operation margin for improving a write-in failure to be generated because the amount of activated particles in an address discharge period are excessive and assuring satisfactory display states in an AC type 3-electrode plasma display.例文帳に追加

ＡＣ型三電極プラズマディスプレイにおいて、アドレス放電期間における活性粒子の量が過剰なために生じる書き込み不良を改善し、良好な表示状態を確保するための書き込み電圧動作マージンを拡大させる。 - 特許庁

Thereby, since the application programming interface groups 3a and 3b and the read and write device groups 6a and 6b have common control specifications, the read and write device operation definition files 4a and 4b can be handled by a common format.例文帳に追加

アプリケーションプログラミングインタフェース群３ａ，３ｂ、及び読取書込装置群６ａ，６ｂは共通の制御仕様を有するので、共通の書式による読取書込装置動作定義ファイル４ａ，４ｂを取り扱うことが可能である。 - 特許庁

To realize a semiconductor memory in which disturbance of the potential on a pair of bit lines and noise of sense operation are suppressed and current consumption at the time of data write-operation can be reduced with simple constitution.例文帳に追加

ビット線対上の電位のディスターブやセンス動作のノイズを抑制し、かつデータのライト動作時における消費電流を低減できる半導体記憶装置を簡単な構成により実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a synchronous type semiconductor memory having a data transmission circuit allowing the burst length to be changed and the write and read operation to be changed according to the change of the operation system for writing input data and reading output data.例文帳に追加

バースト長の変更ができ、入力データの書込み及び出力データの読出動作方式の変化により書込み読出動作が変更可能なデータ伝送回路を有する半導体メモリ装置。 - 特許庁

The operation of a timer circuit is controlled by an operation signal outputted from a power source voltage detecting circuit, an erase cycle time and a write cycle time can be shortened without changing a discharge cycle time.例文帳に追加

電源電圧検出回路から出力される動作信号によりタイマー回路の動作を制御し、ディスチャージサイクル時間を変えずに、イレースサイクル時間とライトサイクル時間を短時間にすることを可能とする。 - 特許庁

During write operation, before an intrinsic precharging operation by the precharging circuit 4, the data bus T and the data bus B are supplementaly precharged in advance to a level of VDD-q×VTN which is lower than the precharging level VDD.例文帳に追加

ライト動作中に、プリチャージ回路４による本来のプリチャージに先立って、予めデータバスＴ，Ｂを、プリチャージレベルＶＤＤより低いＶＤＤ−ｑ×ＶＴＮのレベルに補助プリチャージする。 - 特許庁

The RGB shift register 19 transfers the animation data (RGB data) directly to the panel without via the graphic memories, and also corresponds to a data write operation to the graphic memories, and to a data read operation from the graphic memories.例文帳に追加

ＲＧＢシフトレジスタ１９は、グラフィックメモリを介さずに直接パネルに動画データ（ＲＧＢデータ）を転送し、グラフィックメモリへのデータ書き込み動作及びグラフィックメモリからのデータ読み出し動作にも対応する。 - 特許庁

By this arrangement, the speed of sensing operation can be increased as compared with a conventional practice, since a rise of the lower write potential VSSA at the start of sensing operation is suppressed.例文帳に追加

これにより、センス動作の開始時における低位側書き込み電位ＶＳＳＡの浮き上がりを抑制することができることから、従来に比べてセンス動作を高速化することが可能となる。 - 特許庁

To provide a device in which an operation of a logic element is performed similarly to write and read operations to a memory cell by a spin torque magnetization inversion process and the operation speeds of both the memory and the logic element are almost equal.例文帳に追加

ピントルク磁化反転過程によるメモリセルへの書き込み、読み出し動作と同様にして、論理素子の演算を行い、メモリ、論理素子いずれの動作速度もほぼ等しい装置を提供する。 - 特許庁

Read-out, write-in operation and refresh-operation can be generated with the prescribed time interval by controlling generation timing of the refresh-pulse generating signal TREF1 for the first test.例文帳に追加

第１のテスト用リフレッシュパルス発生信号ＴＲＥＦ１の発生タイミングを制御することで、読出し・書込み動作とリフレッシュ動作とを、所定の時間間隔で発生させることを可能とする。 - 特許庁

Since a control signal Φ1 for terminating the writing operation is output when the write level attains the set level, the variation in the threshold voltage of the cell 101a after the writing operation, is suppressed.例文帳に追加

そして、書き込みレベルが設定レベルに達した場合に、書き込み動作を終了させる制御信号Φ１を出力するので、書き込み動作後のセル１０１ａの閾値電圧のばらつきが抑制される。 - 特許庁

To execute a read or write operation from/to a register of a memory or I/O device at a much more flexible timing by setting a start point for interrupt processing for operation analysis and debug processing or the like.例文帳に追加

動作解析、デバッグ処理等のための割り込み処理に対する開始ポイントを設定して、メモリあるいはI/Oデバイスのレジスタに対してリードあるいはライトをより柔軟なタイミングで実行可能とする。 - 特許庁

As different column operation synchronizing pulses are used in the case of READ or WRITE, timing of a synchronizing pulse can be adjusted according to a primary factor for speed control, operation margin of a column system circuit can be sufficiently secured.例文帳に追加

リードとライトで異なるカラム動作周期パルスを用いるので、それぞれの律速要因に合わせて同期パルスのタイミングを調整でき、カラム系回路の動作マージンを充分に確保できる。 - 特許庁

In the test operation, the operation for storing data read out from the determination memory cells in the memory cells and then reading out the storage data from the memory cells to write them in the deciding memory cells, is performed for all memory cells.例文帳に追加

試験動作時に、判定用メモリセルから読み出されたデータをメモリセルに記憶させた後で該記憶データをメモリセルから読みして判定用メモリセルに書き込む動作が、全てのメモリセルに対して行われる。 - 特許庁

Even if an time interval between write operation and verification read operation is shortened, a sensing margin is secured, and a memory speed is improved by a bias method of the clamp circuit.例文帳に追加

上述のクランプ回路のバイアス方法によって、書き込み動作と検証読み出し動作間の時間間隔を減らしてもセンシングマージンを確保することができてメモリ速度を高めることができる。 - 特許庁

To provide a watt-hour meter for preventing problems, such as destruction of memories because of operation stop of an internal circuit during writing operation, even if power failure occurs during data write to the memories.例文帳に追加

メモリへのデータ書き込み中に停電が発生しても、書き込み処理の最中に内部回路の動作が停止してメモリが壊れるといった不具合を生じにくい電力量計を提供する。 - 特許庁