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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > write-operationに関連した英語例文

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write-operationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1358



例文

To provide a write-in method for a semiconductor memory and a semiconductor memory in which a write-in over-head time can be shortened and forced mask operation of all judgement can be accelerated.例文帳に追加

書き込みオーバーヘッド時間を短縮し、オール判定の強制マスク動作を高速化することができる半導体記憶装置の書き込み方法、および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When voltage VPASS being higher than power source voltage VCC and lower than write voltage VPGM is applied to the control gate of the memory cell of non-selection during write operation, voltage VRDEC being higher than voltage VPASS and not more than write voltage VPGM are applied to the gate of the transfer transistor.例文帳に追加

書き込み動作時に、非選択のメモリセルの制御ゲートに、電源電圧VCCより高く、書き込み電圧VPGMより低い電圧VPASSが印加されるとき、転送トランジスタのゲートに電圧VPASSより高く、書き込み電圧VPGM以下の電圧VRDECが印加される。 - 特許庁

Thereby, in the process of '01' write-in processing and write-in verifying processing, for even a bit which is discriminated as verify-pass due to any cause, when it is decided as fail by this operation, write-in voltage is applied again, and the prescribed threshold voltage can be obtained.例文帳に追加

これにより、“01”書き込み処理、書き込みベリファイ処理の途中に、何らかの原因でベリファイパスと判定されたビットでも、この動作でフェイルと判定されれば再び書き込み電圧が印加され、所定のしきい電圧にすることができる。 - 特許庁

When conducting a write operation for a memory cell MC existing at a cross point of a write word line WWL0 and a bit line BL0, a current directed from a WWL driver 13 toward a voltage down-converter 20 is supplied to the write word line WWL0.例文帳に追加

ライトワード線WWL0とビット線BL0の交点に存在するメモリセルMCに対してライト動作を実行する場合、ライトワード線WWL0には、WWLドライバ13から電圧ダウンコンバータ20に向かう電流が流れる。 - 特許庁

例文

A circuit 30 for forcibly changing an operation state changes an internal circuit operation into a read-out operation state when the change of an address signal is detected by an address transition detecting circuit 10, a write-in signal (WE bar) is in a L state and write-in access is externally specified.例文帳に追加

動作状態強制変更回路30は、アドレス遷移検出回路10でアドレス信号の変化が検出され、かつ、書込み信号(WEバー)がL状態で外部から書込みアクセスの指定がある場合、内部回路動作を強制的に読出し動作状態にする。 - 特許庁


例文

A computer system for acquiring the check point is provided with a semiconductor memory equipped with a command for executing an in-chip copy/write operation as a main memory, and at the time of writing data in the main memory as a normal operation, the saving of data prior to writing to a memory region for check point is co-currently executed by the copy/write operation.例文帳に追加

チェックポイント取得コンピュータシステムは、チップ内コピー&ライト動作を行うためのコマンドを備える半導体メモリを主記憶とし、通常動作の主記憶へのデータライト時にはコカレントに上記コピー&ライト動作によるライト前データのチェックポイント用メモリ領域への退避を行う。 - 特許庁

Thereby, the number of times of selecting operation in write of data can be reduced, and a test time can be shortened.例文帳に追加

これに伴いデータ書込における選択動作回数を軽減することができ、テスト時間を短縮することができる。 - 特許庁

Data supplied to a bit line from the outside at the time of write-in operation is amplified by the sense amplifier, and written in the memory cell.例文帳に追加

書き込み動作時に、外部からビット線に供給されたデータは、センスアンプで増幅され、メモリセルに書き込まれる。 - 特許庁

The memory 12 (Figure 1) restarts the data write operation by an external access having been interrupted from the time Y.例文帳に追加

メモリ12(図1)は、タイミングYの時点から中断されていた外部アクセスによるデータの書き込み動作を再開する。 - 特許庁

例文

To provide a multi-value nonvolatile memory in which highly accurate and high speed write operation can be performed with a simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成により、高い精度で、しかも高速な書き込み動作を可能にした多値不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a non-volatile semiconductor memory in which write-in operation speed can be increased by shortening a verify-read-out time.例文帳に追加

ベリファイ読み出し時間を短縮して書き込み動作を高速化することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Thus, corruption of data in a memory cell to be stored and not to be written in the write operation is prevented.例文帳に追加

これにより、ライト動作時においてリストアされる書き込み対象外のメモリセルのデータが破壊されることがなくなる。 - 特許庁

Also, data which cannot be written in a memory cell due to priority of refresh-operation is held temporarily in a write-data buffer 4.例文帳に追加

また、リフレッシュ動作を優先したためメモリセルに書き込むことができないデータをライトデータバッファ4に一時的に保持する。 - 特許庁

To provide an optical disk drive device which removes the EFM noise to perform stable write operation.例文帳に追加

EFMノイズを除去し、安定した書き込み動作を行える光ディスクドライブ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which operation speed of read/write can be increased while suppressing increment of chip area.例文帳に追加

チップ面積の増加を抑制しつつ読み出し/書き込みを高速化することができる半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

At least one of the targets includes another one of the apertures that generates at least one additional write operation.例文帳に追加

ターゲットの少なくとも1つは、少なくとも1つの追加の書込み操作を生成する別の1つのアパーチャを含む。 - 特許庁

In the write strategy operation part 100, an amount of correction of a recording pulse waveform is calculated based on the deviation of the measured mark edge.例文帳に追加

ライトストラテジ演算部100は、測定されたマークエッジのずれに基づいて記録パルス波形の補正量を算出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device including a test circuit performing write-mask operation, in a test of a wafer state.例文帳に追加

ウェーハ状態の試験において、ライトマスク動作を実行するテスト回路を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Allowing a stack of variable sizes and adding a destination location ID of a pending write operation increases the size of the stack.例文帳に追加

可変サイズのスタックを許容し、保留書込み操作の宛先位置IDを追加すると、スタックのサイズが増加する。 - 特許庁

Thus, since there are no additional clock operation registers to slow down the data flow, this allows the fastest write possible to the array.例文帳に追加

これにより、データフローを低速化する付加的なクロック動作レジスタがないため、最大限に高速な書込が可能となる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory device which is improved in reliability and can obtain a high sensing margin when performing write operation.例文帳に追加

信頼性が向上した、読出し動作をする時、高いセンシングマージンを得られる強誘電体ラム装置を提供する。 - 特許庁

In a write-cycle succeeding to this read-cycle, an operation mode to be entered is decided based on data externally specified.例文帳に追加

このリードサイクルに続くライトサイクルにおいて、外部から指定されたデータに基づき、エントリーすべき動作モードが確定される。 - 特許庁

To perform surely read-out operation in a semiconductor integrated circuit incorporating a memory cell having a delayed-write function.例文帳に追加

メモリセルを内蔵し、ディレイドライト機能を有する半導体集積回路に関し、読み出し動作を確実に実行する。 - 特許庁

In addition, the read/write operation avoids a command payload limit while reducing data and command validation costs.例文帳に追加

更に、読取り/書込み操作はコマンド・ペイロード制限を回避すると共に、データおよびコマンドの検証コストを減らすことができる。 - 特許庁

The threshold voltage Vt is uniformed at a fixed level by performing data write-in operation for all memory cells (d).例文帳に追加

全てのメモリセルに対してデータ書き込み動作を実施することによってスレショルド電圧Vtが一定レベルに揃う(d)。 - 特許庁

Predetermined operation is performed using this SIM image with an invisible grain to calculate the write gap of the thin film magnetic head.例文帳に追加

このグレインの見えないSIM像を用いて所定の演算を行い、薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出する。 - 特許庁

On the other hand, in a write-in operation, data is transferred by 1 bit per one cycle at a time to the semiconductor memory device from the outside.例文帳に追加

一方書込動作では、毎サイクル1ビットずつ外部から半導体記憶装置にデータが転送されてくる。 - 特許庁

To provide a method for transferring bulk data without relying on read/write operation by means of an operating system of a system.例文帳に追加

システムのオペレーティング・システムによる読取り/書込み操作に依存せず大量のデータを転送する方法を提供する。 - 特許庁

At the time, all memory banks are selected successively by a bank selection circuit, write-in operation is started shifting a time.例文帳に追加

このとき、バンク選択回路により全てのメモリバンクが順次選択され、書き込み動作が時間をずらして開始される。 - 特許庁

written programs or procedures or rules and associated documentation pertaining to the operation of a computer system and that are stored in read/write memory 例文帳に追加

読み書きメモリに格納された、コンピュータ・システムの操作に関連するプログラム、手順、または規則、および関連文書 - 日本語WordNet

To enable even a user who has neither musical knowledge nor technique to write a musically meaningful melody with individuality through easy operation.例文帳に追加

音楽知識や技術のないユーザでも簡単な操作で音楽的に意味のある個性的なメロディを作成できること。 - 特許庁

The memory device receives a read address and a write address consecutively in one cycle to generate the dual operation decoding signal.例文帳に追加

メモリデバイスは、1つのサイクルで連続的に読出アドレス及び書込アドレスを受信し、デュアル動作デコード信号を生成する。 - 特許庁

Next, by writing dummy data on the dummy file, actual write operation into the external recording medium 3 is performed (S13).例文帳に追加

次に、ダミーファイルへダミーデータを書き込むことにより、実際に外部記録媒体3に書き込み動作が行われる(S13)。 - 特許庁

To improve reliability of a write operation of a nonvolatile semiconductor memory device by reducing an influence of deterioration of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の劣化に伴う影響を緩和し、不揮発性半導体記憶装置の書き込み動作の信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which assures write operation to all cells under the condition that the number of control pins does not increase during the wafer burn-in test operation and can also prevent defective read operation by an equalizing signal during the readout operation.例文帳に追加

ウェハバーンインテスト時、制御ピンの数が増加しない状態で全てのセルに対した書込み動作が可能で、かつ読出し動作時に等化信号による読出し動作の失敗を防止しうる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

In the plasma display device in which a discharge cell to be lit is selected by a scan electrode and a data electrode, a sequential write operation or a skip write operation is selected in accordance with an average value and a maximum value of the power consumption of a data driver for an input image when a sequence of data write to data electrodes is determined.例文帳に追加

走査電極とデータ電極により点灯させる放電セルを選択するプラズマディスプレイ装置において、データ電極へのデータ書き込み順序を決定する際に、入力される画像に対するデータドライバの消費電力の平均値と最大値に応じて、順次書込み動作または飛越書込み動作を選択する。 - 特許庁

As a result, timing when a write row decoder 101 activates write-in word lines WWL is delayed than timing when a read row decoder 111 activates read-out word lines RWL, and the reading operation is performed by closing write-in word lines as they are while performing the read-out first and performing the writing operation afterwards.例文帳に追加

これにより、ライトロウデコーダ101が書込みワード線WWLを活性化するタイミングを、リードロウデコーダ111が読出しワード線RWLを活性化するタイミングよりも遅らせて、先に読出しを行い、後から書込み動作を行うことで、書込みワード線を閉じたまま読出し動作を行う。 - 特許庁

A method of driving an electrophoretic display device includes a prepulse operation of alternately applying a positive pulse and a negative pulse to a pixel electrode with a common voltage as a reference, a write operation of applying a voltage to the pixel electrode so as to cause the electrophoretic display device to display a desired image, and a write end operation of gradually decreasing the voltage applied to the pixel electrode after the end of the write operation.例文帳に追加

本発明の一態様において、電気泳動表示装置の駆動方法は、コモン電圧を基準として画素電極に正のパルスと負のパルスを交互に印加するプレパルス動作と、本電気泳動表示装置に希望の画像を表示させるため画素電極に電圧を印加する書込み動作と、書込み動作の終了後に画素電極に印加している電圧を徐々に減少させる書込み終了動作とを含む。 - 特許庁

The processing unit is responsive to a return state data processing instruction to write return state data of the processing unit from its current mode of operation to a stack corresponding to a different mode of operation to the current mode of operation.例文帳に追加

処理ユニットは現在の作動モードからの処理ユニットのリターンステートデータを現在の作動モードと異なる作動モードに対応するスタックに書き込むよう、リターンステートデータ処理命令に応答自在である。 - 特許庁

The security function is realized by using a column latch circuit 29 which performs batch write-in operations (a page latch operation, a page programming operation, a verification operation) preliminarily provided in the nonvolatile semiconductor storage device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置に予め備わっている一括書き込み動作(ページラッチ動作,ページプログラム動作,ベリファイ動作)を行なうカラムラッチ回路29を用いてセキュリティ機能を実現する。 - 特許庁

In verify-read operation at the time of write, any of reference cells RC01, RC02, RC11, RC12, RC21 and RC22 is selected in accordance with write data and the same voltage as that at the time of the read operation is given, and a reference current value Iverify for verify-read is compared with a cell current.例文帳に追加

書き込み時のベリファイ読み出し動作では、書き込みデータに応じて参照セルRC01,RC02,RC11,RC12,RC21,RC22のいずれかを選択して読み出し動作と同じ読み出し電圧を与え、ベリファイ読み出し用基準電流値Iverifyとセル電流を比較する。 - 特許庁

To prevent the situation in which write-in operation cannot be finished and to finish write-in operation quickly in accordance with a level of external power source voltage, in a semiconductor storage device having an internal boosting circuit such as a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのような内部昇圧回路を有する半導体記憶装置において、書込み動作から抜け出せなくなる事態を回避できるとともに、外部電源電圧のレベルに応じて速やかに書込み動作を終了することができるようにする。 - 特許庁

When a pre-charge command is inputted during burst operation, a burst interruption-write (PENOR) signal generated by a control logic is reset and made Low, and this PENOR signal is inputted to a reset circuit 212 for write-operation provided in a QFC circuit 116.例文帳に追加

バースト動作中にプリチャージコマンドが入力されると、制御ロジックにて生成されるバーストインタラプションライト(PENOR)信号がリセットされてLowになり、このPENOR信号がQFC回路116内に設けられたライト動作用リセット回路212に入力される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device of small variations by suppressing variations in load characteristics by a transistor in write operation and erase operation in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルにおける書き込み動作および消去動作におけるトランジスタによる負荷特性のばらつきを抑えて、ばらつきの少ない不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which can suitably perform a read-out operation and a write operation with a so-called blue laser, and is excellent in productivity and durability.例文帳に追加

いわゆる青色レーザによる読み出し操作並びに書き込み操作を好適に行なうことができ、且つ、生産性及び耐久性に優れた光学記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having high operation speed, large operation margin, and large capacity by lightening influence of capacity between sense lines for read-out and data lines for write-in.例文帳に追加

読み出し用のセンス線及び書き込み用のデータ線の線間容量の影響を軽減し、高速で動作マージンの大きい大容量の半導体記憶装置を提供する - 特許庁

A control device 3 reads out an image data or medical data memorized in a transportable recording media M from a read-write operation device after a patient is specified via an operation part.例文帳に追加

制御装置3では、操作部を介して患者が指定された後、可搬型の記録媒体Mに記憶されている画像データ又は医療データを読出書込部により読み出す。 - 特許庁

The optical disk device 200 has a beta measuring part 60, a mark edge deviation measuring part 70, a write strategy operation part 100, and a correction power operation part 120.例文帳に追加

本発明の光ディスク装置200は、ベータ測定部60と、マークエッジずれ測定部70と、ライトストラテジ演算部100と、補正パワー演算部120と、を有する。 - 特許庁

The register block has both a write request input and a read request input, and individually operates them, and starts a writing operation or a reading operation.例文帳に追加

レジスタ・ブロックは書き込み要求入力および読み取り要求入力双方を有し、各々別個に作動され書き込み操作または読み取り操作を開始させる。 - 特許庁

例文

To facilitate countermeasures to the write/read error of a disk device without delaying the original operation, and to prevent any operation leading to the degeneration of the originally normal disk device.例文帳に追加

本来の動作を滞らせることなくディスク装置の書き込み/読み出しエラーに対処でき、本来正常なディスク装置をも縮退させてしまう運転を防ぐ。 - 特許庁




  
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