「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Read-out operation or write-in operation of the memory cell MC can be performed with optimum timing in accordance with operation timing of an internal circuit without depending on a period of a clock signal by delaying operation of the column control circuit 3.例文帳に追加

列制御回路３の動作を遅らせることで、クロック信号の周期に依存することなく、内部回路の動作タイミングに応じた最適のタイミングでメモリセルMCの読み出し動作または書き込み動作を実行できる。 - 特許庁

The memory controller controls the data read operation or a data write operation of the memory and includes a CPU, a memory interface unit, and a frequency change control section.例文帳に追加

メモリコントローラはメモリのデータ読出し動作またはデータ書込み動作を制御し、ＣＰＵ、メモリインターフェース装置および周波数変更制御部を備える。 - 特許庁

In the semiconductor memory, write operation is performed as a bank A in the first block, read operation is performed as a bank B in the second to the fourth blocks.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１ブロックがバンクＡとして書込み動作が行われ、第２〜４ブロックがバンクＢとして読出し動作が行われる。 - 特許庁

Even if the heater is deactivated during a seek operation, the controller can initiate pre-heating during the last portion of the seek operation before the write head reaches a target track.例文帳に追加

シークの間ヒーターが停止されるとしても、コントローラは、書込みヘッドが目標トラックに達する前に、シークの終末期の間に予熱を開始することができる。 - 特許庁

The cache system 10 performs look-ahead operation by first-out of a read address to the DRAM 11, and write-back operation wherein data are written later in a lump.例文帳に追加

キャッシュシステム１０は、ＤＲＡＭ１１に対してリードアドレスの先出しによる先読み動作と、データをまとめて後から書き込むライトバック動作を行う。 - 特許庁

A source line of a nonvolatile memory cell array is grounded through an element having a resistance component, and a resistance value is switched depending on the time of write-in operation and the read-out operation.例文帳に追加

不揮発性メモリセルアレイのソース線を抵抗成分をもつ素子を介して接地し、書き込み動作時と読み出し動作時で抵抗値を切り換える。 - 特許庁

In the first switch part and the second switch part, conduction of switches is controlled respectively to become larger in write-operation than in read operation.例文帳に追加

第１スイッチ部および第２スイッチ部では、ライト動作の場合には、コンダクタンスがリード動作の場合よりも大きくなるように、スイッチの導通が各々制御される。 - 特許庁

To eliminate light emission irrelevant to gradation display by omitting forced initialization operation while reducing discharge delay and stably causing write operation.例文帳に追加

放電遅れを小さくかつ書込み動作を安定に発生させつつ強制初期化動作を省略して、階調表示に関係しない発光をなくす。 - 特許庁

In response to the second DMA write operation, the status of a domain symbol relating to the second address is established, and an operation scope including the first processing node is indicated.例文帳に追加

第２ＤＭＡ書込みオペレーションに応答して、第２アドレスに関連するドメイン標識の状態を確立し、第１処理ノードを含むオペレーション範囲を示す。 - 特許庁

Each operation unit notifies an address range to be used for data read/write as an inaccessible area to the other operation units.例文帳に追加

この動作ユニットは、各動作ユニットがデータの読み書きに使用するアドレス範囲をアクセス不可領域として他の動作ユニットに通知する仕組みを提案する。 - 特許庁

To improve operability by starting a handwriting input operation by easily calling a write function for displayed contents through operation of a touch panel.例文帳に追加

表示されたコンテンツに対する書き込み機能をタッチパネルの操作により簡単に呼び出して手書き入力操作を開始でき、操作性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which optimum operation margin is secured while preventing erroneous operation when read-out and write-in are performed simultaneously in different ports.例文帳に追加

読み出しと書き込みが異なるポートから同時に起こる場合の誤動作を防止しつつ、最適な動作マージンを確保する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, when plural non-volatile semiconductor memories are tested simultaneously, read-out operation of all chips can be performed simultaneously as well as write-in and erasion operation.例文帳に追加

そのため、複数の不揮発性半導体メモリを同時にテストする際、書き込み／消去動作と同じく、読み出し動作も全チップ同時に行うことが出来る。 - 特許庁

When operation event detection units 10 to 12 for a program detect an event, a write system unit 13 records a program operation event in a trace data recording area 14.例文帳に追加

プログラムの動作イベント検知部１０〜１２でイベントが検知されたとき、プログラム動作イベントをトレースデータ記録エリア１４に書き込みシステム部１３が記録する。 - 特許庁

To provide an operating method for a semiconductor memory in which delay of write-in operation after read-out operation can be prevented without increasing a manufacturing cost.例文帳に追加

コストを増加させることなく、読出動作後の書込動作の遅延を除去することを可能とした半導体記憶装置の動作方法を提供する。 - 特許庁

Thus, when there is no change, since the write operation to a memory cell or the shift operation is not performed, the power consumption by the memory cell is reduced.例文帳に追加

したがって、データの変化が無い場合は、メモリセルへの書込み動作やシフト動作が行われないので、メモリセルによる消費電力を削減することができる。 - 特許庁

In the direct verifying operation of one of the write-in and the erase, potential operation of one of the bit line and the plate line PL is performed at a predetermined timing.例文帳に追加

書き込みと消去の一方のダイレクトヴェリファイ動作において、所定のタイミングで、ビット線ＢＬとプレート線ＰＬの一方の電位操作を行う。 - 特許庁

Applied voltage in the data write scanning operation and applied voltage in the data erasure scanning operation have substantially the same magnitude and polarities reverse to each other.例文帳に追加

データ書込み走査における印加電圧とデータ消去走査における印加電圧とは、実質的に同じ大きさであって極性が逆である。 - 特許庁

Data write-in operation conditions or data erasure operation conditions are performed based on information read out from the extra memory array and corresponding to a selected sector.例文帳に追加

データ書込動作もしくはデータ消去動作条件は、エクストラメモリアレイから読出される、選択されたセクタに対応する情報に基づいて実行される。 - 特許庁

To drastically improve a word program time by hardware-processing generation of initial verification-voltage of read-out operation included in write-in and erase operation.例文帳に追加

書き込みや消去動作に含まれる読み出し動作の初期ベリファイ電圧の生成をハードウェア処理することにより、ワードプログラム時間を大幅に向上する。 - 特許庁

Step-up operation to raise the write pulse voltage by as much as a predetermined step-up voltage is carried out according to a result of the verification reading operation.例文帳に追加

ベリファイ読み出し動作の結果に従って、書き込みパルス電圧を所定のステップアップ電圧の分だけ上昇させるステップアップ動作が実行される。 - 特許庁

When the data are erased ("1" program), a weak writing operation (Post-Weak-Write) is carried out after normal erasing operation (Erase).例文帳に追加

データ消去（“１”ｐｒｏｇｒａｍ）時に、通常の消去動作（Ｅｒａｓｅ）の後に弱い書き込み動作（Ｐｏｓｔ−Ｗｅａｋ−Ｗｒｉｔｅ）を行う。 - 特許庁

A control part 8 monitors the timing of a write operation and a read operation of a video signal, shifts the timing of a read operation by a prescribed time within one frame when the read operation overtakes a write operation or is overtaken and also controls a read video signal to shift about the prescribed time interval in a line memory 7.例文帳に追加

制御部を、映像信号の書き込み動作および読み出し動作のタイミングを監視し、読み出し動作が書き込み動作を追い越しまたは追い越される場合、読み出し動作のタイミングを１フレーム内で所定時間前後に飛ばすとともに、読み出した映像信号をラインメモリにて所定時間前後に飛ばすように制御するように構成したものである。 - 特許庁

In a composite device 100 comprising an operation detecting means for detecting a predetermined operation which a user carries out, there is provided the composite device 100 comprising a write information accepting means 504 for accepting write information which the user has written for the operation when the operation detecting means detects the predetermined operation.例文帳に追加

ユーザが行う所定の作業を検知する作業検知手段を備えた複合機１００において、上記作業検知手段が所定の作業を検知した際に、その作業に対してユーザが書き込んだ書き込み情報を受け付ける書き込み情報受付手段５０４を備えることを特徴とする複合機１００を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which, if a request for a read or write operation is generated during erase operation, enables the read or write operation to be performed in a short time after generation of the request, and can prevent an over-erased state from being generated after the erase operation is resumed.例文帳に追加

本実施形態は、消去動作中に読み出し又は書き込み動作要求が発生した場合、要求発生から短時間で読み出し又は書き込み動作を実行することが可能であり、しかも、消去動作再開後、過消去状態の発生を防止可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To secure the reliability of reproduction interchangeability in a DVD player by suppressing the linking fluctuation caused by the updating operation of the control information to control user's data by the write once operation when the user's data are recorded to a write once medium.例文帳に追加

ライトワンス媒体へのユーザデータ記録の際、ユーザデータを管理する管理情報を追記動作により更新していくことにより発生するリンキング変動を抑え、ＤＶＤプレーヤでの再生互換の信頼性を確保すること。 - 特許庁

Moreover, as effective data of serial addresses are combined with the write data and a cache line of the same size as the combined data is written in, it is possible to reduce cache-out operation to the system memory accompanying the write operation.例文帳に追加

さらに、本発明は、書き込みデータに連続するアドレスの有効データを書き込みデータに結合して、その結合データと同じサイズのキャッシュ・ラインにライトするので、ライト動作に伴うシステム・メモリへのキャッシュ・アウト動作を減らすことができる。 - 特許庁

Next, a control section 2 sets a batch write pulse start voltage value in data erasing operation of this time based on the last voltage value of the batch write pulse in data erasing operation of the previous time in a step SP103.例文帳に追加

次に、ステップＳＰ１０３において、制御部２は、前回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの最終電圧値に基づいて、今回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの開始電圧値を設定する。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that a present write-in operation is not to be masked, data are written in proper memory cells in the memory circuit by the conventional method.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきでないという内容の時は、データを従来の方法によってメモリ回路内の適切なメモリセルに書込む。 - 特許庁

At writing, the NMOS transistor 10 performs on-operation by a write address selection circuit 2 at an n address selected by a WWS and a WBS to write data to a storage node.例文帳に追加

ライト時では、ＷＷＳとＷＢＳとによって選択されたｎ番地のライト番地選択回路２によってＮＭＯＳトランジスタ１０がオン動作を行い、蓄積ノードにライトされる。 - 特許庁

A write control section 104 monitors a write level of the cell 101a by e.g. measuring a bit line current in writing operation and compares it with a predetermined set level (predetermined current value).例文帳に追加

書き込み制御部１０４は、書き込み動作時に、例えばビット線電流を計測することで、セル１０１ａの書き込みレベルを監視し、所定の設定レベル（所定の電流値）と比較する。 - 特許庁

A current opposite to the direction of the current at the write operation, that is, a current directed from the voltage down-converter 20 to the WWL driver 13, is supplied to the write word line WWL0.例文帳に追加

この後、ライトワード線ＷＷＬ０線には、ライト動作時の電流の向きと逆向きの電流、即ち、電圧ダウンコンバータ２０からＷＷＬドライバ１３に向かう電流が流れる。 - 特許庁

When any of a plurality of memory parts can be deleted, the second control part issues a delete command after the write operation of any of memory parts which respond to the write command.例文帳に追加

第２制御部は、複数のメモリ部のいずれかに消去可能なメモリ部があるときに、書き込みコマンドに応答するメモリ部のいずれかの書き込み動作後に消去コマンドを発行する。 - 特許庁

To provide a write clock generation circuit capable of detecting a wobble signal with high accuracy even when the changeover operation is performed from reproduction to recording and also capable of generating proper write clocks having small jitter.例文帳に追加

再生から記録への動作切換え時においてもウォブル信号を高精度に検出でき、ジッタの少ない適正なライトクロックを生成できるライトクロック生成回路を提供する。 - 特許庁

In data write-in operation of a page mode, activation of a write-word line WWL of a selected row corresponding to a row address input on a row cycle is controlled for each column cycle.例文帳に追加

ページモードでのデータ書込動作において、ロウサイクルで入力されたロウアドレスに対応する選択行のライトワード線ＷＷＬの活性化は、コラムサイクルごとに制御される。 - 特許庁

To provide a servo write method by which the recording of a servo pattern can be performed without degradation in efficiency of a servo write process when an execution of an additionally writing operation is disabled.例文帳に追加

追記動作の実行が不可能になった場合に、サーボライト工程の効率低下を招くことなく、サーボパターンの記録を行なうことができるサーボライト方法を提供することにある。 - 特許庁

Write voltage pulses necessary for the memory cells 10 are applied for a plurality of times in a data write operation period in which data are written in the selected memory cell out of the plurality of memory cells 10.例文帳に追加

前記複数のメモリセル１０のいずれかの選択メモリセルにデータを書き込むデータ書き込み動作期間内に、前記メモリセル１０に必要な書き込み電圧パルスが複数回印加される。 - 特許庁

A user moves the read/write device 1 so that the spot light 4 of the read/write device 1 can be located in the proper irradiation region, and confirms this by visualization 5, and operates the operation button 14.例文帳に追加

利用者は、読み書き装置１のスポット光４が適正照射領域にあるように読み書き装置１を移動し、これを目視５で確認して操作ボタン１４を操作する。 - 特許庁

Moreover, write and read controllers 33, 34 for FiFo memory stop read or write operation to the FiFo memory and also initialize the memory by the held overflow signal.例文帳に追加

また、ＦｉＦｏメモリへの書き込み・読み出しアドレスコントローラ３３，３４は、ホールドされたオーバーフロー信号によって、ＦｉＦｏメモリへの書き込み、あるいは読み出し動作を停止、かつ、初期化する。 - 特許庁

A write data capture control circuit 6 and a memory 7 for write data for storing output data in the writing operation of the disk controller 2 to be evaluated are exemplified as the hardware.例文帳に追加

ハードウェアとしては、被評価ディスクコントローラ２の書き込み動作のときに、その出力データを格納するためのライトデータ・キャプチャ制御回路６とライトデータ用メモリ７などである。 - 特許庁

Concretely, the forced recording operation with the laser irradiation is repeated on the trial write area of a recording medium over a specified number of times to stabilize the recording characteristic in this write area.例文帳に追加

具体的には、記録媒体の試し書き領域に、レーザ光照射により強制的に所定回数以上の記録動作を実行させ、試し書き領域の記録特性を安定化させる。 - 特許庁

The plurality of segments of page data include checksum data constituted of a plurality of segments that designate a number of nonvolatile memory cells to be programmed with write data during the page write operation.例文帳に追加

前記ページデータを構成する前記複数のセグメントはページ記録動作の間プログラムされる多数の不揮発性メモリセルを指示する複数のセグメントで構成されたチェックサムデータを含む。 - 特許庁

Write-in before erasure and write-in-verify are performed only one time for each four times erasure operation for one region referring to contents of the storage memory 29 of the number of times of erasure.例文帳に追加

そして、消去回数記憶メモリ２９の内容を参照して、１つの領域に対して、４回の消去動作毎に１回のみ消去前書き込みと書き込みベリファイとを行う。 - 特許庁

The audio data obtained from the digital signal processing part 15 and the audio data held in the write-in control part 16a are compared, and when they coincide, the write-in operation to the buffer memory 17 is reopened.例文帳に追加

デジタル信号処理部１６から得られるオーディオデータと書き込み制御部１６ａで保持しているオーディオデータを比較し、一致したら、バッファメモリ１７への書き込みを再開する。 - 特許庁

A resistance value at the time of write-in operation is set to a large value and a source potential is floated, a sub-threshold leak current of a non-selection cell is decreased, and write-in drain disturbance tolerance is improved.例文帳に追加

書き込み動作時の抵抗値を大きく設定してソース電位を浮かせ、非選択セルのサブスレッショルドリーク電流を減少させて書き込みドレインディスターブ耐性を向上させる。 - 特許庁