「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

DISK UNIT AND METHOD FOR SETTING WRITE INHIBIT OPERATION REFERENCE VALUE USED FOR THE SAME例文帳に追加

ディスク装置及び同装置に用いられる書き込み禁止動作基準値の設定方法 - 特許庁

Consequently, the current of the write discharge decreases and a writing operation can stably be performed.例文帳に追加

これにより、書き込み放電の電流は低下し書き込み動作が安定して行える。 - 特許庁

To enable a specified memory cell region to be cleared by one cycle of a write-in operation access cycle.例文帳に追加

指定されたメモリセル領域を書き込み動作アクセスサイクルの１サイクルでクリアする。 - 特許庁

To provide a memory control apparatus to improve performance by performing read/write operation on a multi-channel basis in suitable timing.例文帳に追加

多チャネルによるリード／ライトを適切なタイミングで行いパフォーマンスを向上できる。 - 特許庁

To reduce the time for write operation of a semiconductor memory having a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルを有する半導体メモリの書き込み動作時間を短縮する。 - 特許庁

To provide an calculation system for quickly performing a read modify write operation.例文帳に追加

リードモディファイライト動作を高速に行なうことが可能な演算システムを提供すること。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SHORTENING WRITE OPERATION TIME IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリにおいて書込み動作時間を短縮する方法および装置 - 特許庁

The head amplifier 3 includes a demagnetization control part 33 for switching from write operation to demagnetization operation, a write driver 30 for outputting a current for the demagnetization required for the demagnetization operation, and a write current source circuit 31 for setting up the current wave form for the current for the demagnetization.例文帳に追加

ヘッドアンプ３は、ライト動作から消磁動作に切換える消磁制御部３３と、当該消磁動作に必要な消磁用電流を出力するライトドライバ３０と、当該消磁用電流の電流波形を設定するライト電流源回路３１とを含む。 - 特許庁

METHOD OF PROGRAMMING, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, AND DRIVING CIRCUIT OF PHASE CHANGE MEMORY WRITE OPERATION例文帳に追加

プログラミング方法、相変化メモリ装置、及び、相変化メモリ書込み動作の駆動回路 - 特許庁

The write and read operation of a file is accepted by a user interface module 10.例文帳に追加

ユーザーインターフェイスモジュール１０によりファイルの書き込みと読み出しの操作を受け付ける。 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING WRITE OPERATION OF RECORDING DISK DRIVE DEVICE例文帳に追加

記録ディスク駆動装置の書き込み動作制御方法および書き込み動作制御プログラム - 特許庁

The number of times of write-operation of the first cell array is comparatively large, therefore, an over program state is easy to occur by repetition of write-operation, on the contrary, the number of times of write-operation of the second cell array is comparatively small, therefore, the over program state is hard to occur.例文帳に追加

第１のセルアレイは，ライト動作回数が比較的大きく，従って，ライト動作の繰り返しによりオーバープログラム状態になりやすいのに対して，第２のセルアレイは，ライト動作回数が比較的小さく，従って，オーバープログラム状態にはなりにくい。 - 特許庁

In use, the write operation is received at one of a plurality of apertures of an address space.例文帳に追加

使用時に、書込み操作はアドレス空間の複数のアパーチャのうちの一つで受信される。 - 特許庁

Thereby, operation in which write-in is performed for the memory bank B changing a column address is not required.例文帳に追加

メモリバンクＢに対しカラムアドレスを変えて書き込みを行うという動作は不要となる。 - 特許庁

To reduce a processing load for read/write operation of a processor for processing magnetic stripe data.例文帳に追加

磁気ストライプデータを処理する処理装置の読み書き動作の処理負担を軽減する。 - 特許庁

When the 1st operation is for a write-in operation and the 2nd operation is for an erasing operation, the threshold voltage is lowered after the light writing operation is carried out beforehand from a viewpoint of voltage or voltage applying time in the erasing operation.例文帳に追加

第１動作を書込み動作、第２動作を消去動作とすると、消去動作では予め電圧もしくは電圧印加時間の観点で軽い書込み動作を行なってから閾値電圧を下げる動作を行なう。 - 特許庁

To prevent consumption of a needless current by eliminating needless precharege operation at write operation of a semiconductor memory apparatus.例文帳に追加

半導体メモリ装置の書込み動作時に不要なプリチャージ動作を省略して不要な電流の消耗を防止する。 - 特許庁

When a logout operation is performed (S409), the write operation of the number of mile additions is performed (S411) and processing is finished (S411).例文帳に追加

ログアウト操作が行われた（Ｓ４０９）際にはマイル加算数の書込み処理を行い（Ｓ４１１）処理を終了する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device and a semiconductor storage system for preventing the mutual interference between refresh operation and read/write operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作がリード／ライト動作との相互干渉を防止可能な半導体記憶装置及びシステムを提供する。 - 特許庁

When the whole bit write termination determination operation is omitted for 3 times, impression of writing bias to the memory cell and write verify are repeated up to the third writing, and after the impression of writing bias to the memory cell and write verify to the forth time, the whole bit write termination determination operation is performed.例文帳に追加

全ビット書き込み終了判定動作を３回省略する場合、３回目の書き込みまでは、メモリセルへの書き込みバイアスの印加、書き込みベリファイを繰り返し、４回目にメモリセルへの書き込みバイアスの印加、書き込みベリファイの後、全ビット書き込み終了判定動作を行う。 - 特許庁

Operation of the data bus driving circuit 31 is controlled by a write-in driver activation signal outputted from a write driver controller 51, further, activation and non-activation control are performed for this write driver activation signal based on a write-operation activation signal and a column basic pulse signal.例文帳に追加

データバス駆動回路３１の動作は、書込みドライバコントローラ５１から出力される書込みドライバ活性化信号によって制御され、さらにこの書込みドライバ活性化信号は、ライト動作活性化信号とカラム基本パルス信号に基づいて活性化及び非活性化制御が行われる。 - 特許庁

The write control circuit 61 records write data into the storing area 1 (64) based on control data sent from a control device 1 requesting to write in, the write data being sent from a data processing circuit 1 based on a first functional operation that the IC tag has.例文帳に追加

書き込み制御回路６１は、制御装置１からの書き込み要求の制御データに基づいて、ＩＣタグの持つ第１の機能の動作に基づくデータ処理回路１からの書き込みデータを記憶領域１（６４）に記録する。 - 特許庁

Continually, to a request for read/write from outside, read/write operation is performed by a sense amplifier for read/write 9-1, and the data saved in the refreshing sense amplifier 9-2 is written back to the memory cell after finishing the operation.例文帳に追加

続いて、外部からの読み出し・書き込み要求に対しては、読み出し・書き込み用のセンスアンプ9-1で読み出し・書き込み動作を行い、その動作終了後にリフレッシュ用のセンスアンプ9-2内に退避しておいたデータをメモリセルへ書き戻す。 - 特許庁

In a second write operation following the first write operation, a read reference current, which is a mean current for the first and the second reference memory cell, is selected as a write reference current and the data is written only to the memory cell.例文帳に追加

第１書き込み動作に続く第２書き込み動作において、第１および第２リファレンスメモリセルの平均電流である読み出しリファレンス電流が、書き込みリファレンス電流として選択され、メモリセルのみにデータが書き込まれる。 - 特許庁

The write-in signal generating circuit 10 outputs a write-in activating signal WEd having shorter pulse width than a write-in control signal WE in a test mode and outputs a write-in activating signal WEd having the same pulse width as a write-in control signal WE in a normal operation mode.例文帳に追加

書込信号発生回路１０は、テストモードでは、書込制御信号ＷＥより短いパルス幅を有する書込活性化信号ＷＥｄを、通常動作モードでは、書込制御信号ＷＥと同一パルス幅の書込活性化信号ＷＥｄを出力する。 - 特許庁

To obtain a memory device which assures high-speed read operation and can reduce a delay of the read operation start timing of the read operation even when the write operation frequency is same as the read operation frequency.例文帳に追加

読み出し速度を高速化する上、書き込みの頻度が読み出しの頻度と同程度の場合でも書き込み動作による読み出し動作開始時期の遅れを低減し得るメモリ装置を実現する。 - 特許庁

To prevent an error from being caused in write verify-discrimination because a power source potential and a ground potential are fluctuated due to large current consumption caused by read operation when read-out operation is applied during write-in operation.例文帳に追加

書き込み動作中に読み出し動作が実行される場合に，読み出し動作に伴う大電流消費により電源電位やグランド電位が変動して，書き込みベリファイ判定に誤りが生じるのを防止する。 - 特許庁

To reduce power consumption by suppressing output of a drive write signal to a global signal line during write-in operation of data.例文帳に追加

データの書き込み動作時において、駆動ライト信号がグローバル信号線に出力することを抑止し、消費電力を低減できるようにする。 - 特許庁

To surely write data without destroying data held in other memory cell, in write-in operation for a memory cell.例文帳に追加

メモリセルに対する書き込み動作にて、他のメモリセルに保持されているデータを破壊することなく、データを確実に書き込むことができるようにする。 - 特許庁

Data write can be stabilized because the variable resistance element 2 is prevented from being damaged for sufficient write operation.例文帳に追加

また、十分な書込み動作を行おうとして可変抵抗素子２を破壊してしまうのが回避されうるため、データの書き込み動作を安定化する。 - 特許庁

The controller alternately interleaves seeking and read/write operation of the two or more actuator assemblies and the read/write heads.例文帳に追加

コントローラは複数のアクチュエータ・アセンブリおよび読取り／書込みヘッドのシークおよび読取り／書込みオペレーションを相互にインターリーブするように構成される。 - 特許庁

To achieve random column access during a write operation by simpler control while allocating one write control circuit to a plurality of pages.例文帳に追加

複数のページに対して１つのライトコントロール回路を割り当てつつ、より簡単な制御によってライト動作時におけるランダムカラムアクセスを実現する。 - 特許庁

The CPU 10 executes the write operation by changing a write current value set in the register 70 of a head amplifier circuit 7 to a lower current value.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、ヘッドアンプ回路７のレジスタ７０に設定されたライト電流値を、低い電流値に変更してライト動作を実行する。 - 特許庁

In this case, verification is OK and a write latch circuit 111 is reset; hence, no write operation is performed.例文帳に追加

そして、この組み合わせ回路の出力によりラッチ回路のリセットを行うことにより書き込み回路への書き込みデータの出力を制御する。 - 特許庁

Thereby, data can be written in a memory cell by write-in operation of two times, and write-in speed of a memory can be substantially improved.例文帳に追加

これにより、２度の書き込み動作によってメモリセルに書き込みを行うことができ、メモリの書き込み速度を大幅に向上することができる。 - 特許庁

That is, data of the number of times of write-in written in an operation part 4 is increased by an incrementer whenever a CPU issues a write-in command.例文帳に追加

すなわち、作業部４に書きこまれた書き込み回数データは、ＣＰＵが書き込みコマンドを発する毎に、インクリメンタによりインクリメントされる。 - 特許庁

A write-buffer 101 drives potential levels of a pair of I/O lines 24, 25 in accordance with write-in data externally given in normal operation.例文帳に追加

ライトバッファ１０１は、通常動作においての外部から与えられた書込みデータに応じて、Ｉ／Ｏ線対２４，２５の電位レベルを駆動する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which late-write operation by which masking of write data can be performed appropriately is performed and its control method.例文帳に追加

適切に書き込みデータのマスクを行うことが可能な、レイトライト動作を行う半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printing apparatus which can normally carry out a write operation also when the write operation is to be carried out to the same storage medium from a plurality of devices of different access parties.例文帳に追加

アクセス元の異なる複数の機器から同一の記憶媒体に対して書き込み動作が行われる場合にも、書き込み動作を正常に行い得る印刷装置を提供する。 - 特許庁

function returns a non-zero value if the stream is write-only (or append-only), or if the last operation on the stream was a write operation, and zero otherwise. 例文帳に追加

関数は、ストリームが書き込み専用(もしくは追加専用)の場合、またはストリームに対する直前の操作が書き込み操作であった場合は 0 以外を返し、それ以外の場合は 0 を返す。 - JM

Operation speed of write-in operation and recovery operation is increased by making voltage difference between digit lines D and DB a higher positive power source VBB than a normal power source VCC.例文帳に追加

書込み動作及びリカバリー動作は、ライトアンプ２５がデジット線ＤとＤＢ間の電位差をＶＣＣより高いＶＢＢにすることで、動作速度を早くする。 - 特許庁

To prevent destruction of a result in which write is performed by normal operation, even in a state of the half way at which an operation mode being different from a normal operation mode is started.例文帳に追加

通常動作モードとは異なる動作モードに入る途中の状態においても、通常動作で書き込みを実施した結果が、破壊され無いようにする。 - 特許庁

To provide a SRAM(static RAM) in which an error of a cell ratio based on dispersion of manufacturing is compensated, data holding operation is stable, and write-in operation and recovery operation are fast.例文帳に追加

製造ばらつきに基づくセルレシオの誤差を補償し、データ保持動作が安定で書込み動作及びリカバリー動作が早いＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The decoding signal circuit generates a dual operation decoding signal, thereby enabling a memory device to perform a read operation and a write operation in one clock cycle.例文帳に追加

デコード信号回路は、デュアル動作デコード信号を生成し、これにより、メモリデバイスは、１つのクロックサイクルで読出動作及び書込動作を行うことができる。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device 1000, a column decoder 200 selects more memory cell columns at the operation time of block write-in operation than that in normal operation.例文帳に追加

半導体集積回路装置１０００においては、列デコーダ２００は、ブロックライト動作時には、通常動作時よりも多くのメモリセル列を同時に選択する。 - 特許庁