| 例文 |
write-operationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1358件
Consequently, a correct data output DOUT is output at the write through operation.例文帳に追加
従って、ライトスルー動作時に正しいデータ出力DOUTが出力される。 - 特許庁
operation between write and read operations on such a stream. 例文帳に追加
操作を挟んでおくと良いだろう(Linux では本当に必要となることもときどきある)。 - JM
OPERATION COMPLEMENTING CIRCUIT FOR OSCILLATOR AND WRITE SIGNAL GENERATOR FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
発振器の動作補完回路および半導体メモリの書き込み信号生成装置 - 特許庁
Upon detection of an error in the received write data, the error detection operation decoder 150 does not send a write enable signal WEN to a write-read controller 140.例文帳に追加
誤り検出オペレーションデコーダ150は、書き込みデータに誤りを検出すると、ライト/リードコントローラ140に対して書き込み許可信号WENを送信しない。 - 特許庁
A command signal set defines whether a read operation and a write operation are generated in a bus cycle and further defines whether effective data exists for every bit of the read operation and the write operation.例文帳に追加
コマンド信号集合が、バスサイクル中に読み取り動作及び書き込み動作が発生するかどうかを定義すると共に、読み取り動作及び書き込み動作のビット毎に有効データが存在しているかどうかを定義する。 - 特許庁
The servo wedge identifies the sector in conjunction with both an initial positioning of a read-write head and a data read and write operation.例文帳に追加
該サーボウェッジは読取・書込ヘッドの初期的位置決めとデータ読取又は書込動作の両方に関連してセクターを識別する。 - 特許庁
To easily reserve the operation margin during write operation in a DRAM and the like for which a high-frequency operation is required.例文帳に追加
本発明は、高周波動作が要求されるDRAMなどにおいて、書き込み動作時の動作マージンを容易に確保できるようにする。 - 特許庁
To surely prevent multiple selection of a write/erasure execution bank and a read execution bank in starting and finishing write/erasure operation, and in switching temporary interruption and recovery, in a flash memory in which the write/erasure operation and read operation can be simultaneously executed.例文帳に追加
書き込み/消去動作と読み出し動作を同時実行可能なフラッシュメモリで、書き込み/消去動作の開始時や終了時、一時中断や復帰時の切換時に、書き込み/消去実行バンクと読み出し実行バンクの多重選択を確実に防止する。 - 特許庁
The method also includes allocating a portion of space in the first type of storage to serve as a cache memory during a write operation and/or a read operation, and reducing a latency associated with the response to a write request and/or a read request through performing the corresponding write operation and/or the read operation through the first type of storage.例文帳に追加
第1のタイプのストレージの一部を、書き込み動作および/または読み取り動作の間にキャッシュメモリとして割り当て、第1のタイプのストレージを通じた書き込み動作および/または読み取り動作を実行することによって、各要求の応答待ち時間を削減する。 - 特許庁
Following the operation result, an asynchronous write control part 0107 executes write control of a line memory 0110 at the time of use of frame memory 0102, and a synchronous write control part 0108 executes write control at the time of non-use thereof, and a line memory read control part 0109 executes read-out.例文帳に追加
この演算結果に従い,フレームメモリ0102使用時は非同期ライト制御部0107が,未使用時は同期ライト制御部0108がラインメモリ0110の書き込み制御を行い,読み出しはラインメモリ・リード制御部0109が行う。 - 特許庁
Since write-in time is compared with rise of threshold voltage and write-in voltage can be varied according to the compared result, write-in operation can be performed with optimum write-in condition of the selected memory cell.例文帳に追加
書き込み時間としきい値電圧上昇とを比較し,その比較結果に応じて書き込み電圧を変化させることができるため,選択されたメモリセルの最適な書き込み条件で書き込み動作を行うことができる。 - 特許庁
The control part applies the write pulse voltage a plurality of times during single write operation, and makes a write pulse voltage applied finally larger in a voltage value than a write pulse voltage applied first.例文帳に追加
制御部は、1回の書き込み動作中において、書き込みパルス電圧を複数回印加し、且つ、最初に印加される書き込みパルス電圧の電圧値よりも、最後に印加される書き込みパルス電圧の電圧値を大きくする。 - 特許庁
A store controller 20 and a reading/writing control circuit 100 latch input write data in the boundary scan cell until the next write cycle of a write cycle in which write data are inputted from the terminal 22 during a late writing operation.例文帳に追加
ストコントローラ200および読出し/書込み制御回路100は、レイトライト動作時に、端子22よりライトデータが入力されたライトサイクルの次のライトサイクルまで、入力されたライトデータをバウンダリスキャンセル1にラッチさせる。 - 特許庁
The address coincidence and comparison circuit 160 is made a non-operation state in a clock cycle in which write-in operation is indicated.例文帳に追加
アドレス一致比較回路160は、書込動作が指示されたクロックサイクルにおいては、非動作状態とされる。 - 特許庁
To suppress a charge and discharge current of a non-selection column and to secure read/write operation margin in low voltage operation.例文帳に追加
非選択カラムの充放電電流を抑制し、かつ、低電圧動作でのリード/ライト動作マージンを確保する。 - 特許庁
To greatly improve contrast by omitting forced initialization operation while stably generating write-in operation.例文帳に追加
書込み動作を安定に発生させつつ強制初期化動作を省略して、コントラストを大幅に向上する。 - 特許庁
To perform drawing support enabling a user to write easily and to continue writing easily without performing operation other than writing operation.例文帳に追加
利用者が書く動作以外の操作をすることなしに、書き易く書き続け易い描画支援を行なう。 - 特許庁
To prevent deterioration in an operation margin of a memory cell in which complementary storage nodes are short-circuited during write operation.例文帳に追加
書き込み動作時に相補の記憶ノードがショートされるメモリセルの動作マージンが低下することを防止する。 - 特許庁
To provide a synchronizing type DRAM in which a usable balance time is long and read-operation following write-operation is sure.例文帳に追加
使用可能なバランス時間が長く、ライト動作の次のリード動作が確実な同期型DRAMを提供する。 - 特許庁
In data rewriting processing, write-in operation and erasure operation are performed even to a dummy cell 16 similarly to a memory cell.例文帳に追加
データ書き換え処理において、ダミーセル16に対してもメモリセルと同様に書き込みと消去が実行される。 - 特許庁
The write control region 106 is utilized as the switch of writing operation and writing operation is stopped automatically.例文帳に追加
この書き込み制御領域106を書き込み動作のスイッチとして利用し、書き込みを自動的に停止する。 - 特許庁
Each command signal in the command signal set defines the enable data of the read operation or the write operation.例文帳に追加
コマンド信号集合の中の各コマンド信号は、読み取り動作又は書き込み動作のイネーブルデータを定義する。 - 特許庁
A control circuit 22 comprises means for, when in a mirroring write mode, simultaneously transferring write data to the data registers 12 within the two memory planes P1 and P2, and executing a write operation and verify operation for each memory plane.例文帳に追加
制御回路22は、ミラーリング書き込みモードのとき、2つのメモリプレーンP1,P2内のデータレジスタ12に書き込みデータを同時に転送し、書き込み動作及びベリファイ動作をメモリプレーン毎に実行する手段を備える。 - 特許庁
A high density current is supplied to the wiring of the MRAM at write operation.例文帳に追加
MRAMでは、ライト動作時に、高い電流密度の電流が配線に流れる。 - 特許庁
This operation is repeated until a write-protect release code M is written in an arbitrary address.例文帳に追加
この動作は、ライトプロテクト解除コードMを任意のアドレスに書き込むまで繰り返す。 - 特許庁
To provide a disk device capable of more quickly performing retransmission write processing operation.例文帳に追加
再送ライト処理動作を高速化することが可能なディスク装置を提供する。 - 特許庁
To keep a write-data-mask function even when operation speed of an operation frequency is increased, with respect to a semiconductor memory provided with a write-data mask function.例文帳に追加
ライトデータマスク機能を備える半導体記憶装置に関し、動作周波数が更に高速化された場合であっても、ライトデータマスク機能を維持することができるようにする。 - 特許庁
It is possible to achieve a high speed operation by using a write-back type cache.例文帳に追加
ライトバック型のキャッシュを用いることができるので、高速化を図ることができる。 - 特許庁
The write of the trace data is not started when the operation of the joy stick 20 is not started, and the write of the trace data is started when the operation of the joy stick 20 is started.例文帳に追加
ジョイスティック20の操作が開始されない場合には、トレースデータの書込みを開始せず、ジョイスティック20の操作が開始された場合には、トレースデータの書込みを開始する。 - 特許庁
Further, the memory device 300 does not require any clock latency during a write operation.例文帳に追加
さらに、シンクロナスメモリ300は、書き込み処理の間にクロックレイテンシを必要としない。 - 特許庁
Voltage of a selection word line at the time of write-in operation is made higher than power source voltage.例文帳に追加
書き込み動作時の選択ワード線の電圧を電源電圧よりも高くする。 - 特許庁
To reduce current consumption in charging of a bit line after a read/write operation.例文帳に追加
読み出し/書き込み動作後のビット線のチャージにおける消費電流を削減する。 - 特許庁
This control block must not be changed while the write operation is in progress. 例文帳に追加
この制御ブロックは、読み込み操作が進行している間は変更すべきでない。 - JM
The adjustment of the file offset and the write operation are performed as an atomic step. 例文帳に追加
ファイル・オフセットの調整と書き込み操作はアトミックな処理として実行される。 - JM
To realize write-in operation of a nonvolatile semiconductor memory device having high reliability.例文帳に追加
信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置の書き込み動作を実現する。 - 特許庁
During the wafer burn-in test operation, a write/read control means 607 controls the write operation to the memory cell array 601 and read operation from the memory array 601 in response to the signal to be applied to the fourth pin A3.例文帳に追加
ウェハバーンインテスト時、書込み/読出し制御手段607 が第4ピンA3に印加される信号に応答して前記メモリセルアレイ601 に対する書込み動作及び前記メモリセルアレイ601 からの読出し動作を制御する。 - 特許庁
If a write operation is occurring in the same partition as that of the target location, then the microcontroller may first begin to interrupt the write operation and read out contents in the partition while the read out operation is interrupted.例文帳に追加
書き込み動作が、標的位置のパーティションと同じパーティションに生じている場合、マイクロコントローラは書き込み動作を割り込み、書き込み動作が割り込まれる間に、該当パーティションのコンテンツを読み出す。 - 特許庁
To shorten the continuous write-in time and erasing time by reducing a redundant operation generated in the control of an internal boosting circuit when the continuous write-in operation and erasing operation are performed.例文帳に追加
連続した書き込み及び消去動作を行う際に、内部昇圧回路の制御に関して発生する冗長な動作を削減し、連続した書き込み及び消去時間の短縮を図る。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device in which current consumption at the time of write-in of data can be reduced, operation speed can be increased, stable operation can be performed by reducing occurrence of a noise caused by write-in operation.例文帳に追加
データ書き込み時の低消費電流化、あるいは高速化、及び書き込み動作によるノイズの発生を低減して安定動作を図ることができる半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁
The memory array has nonvolatile memory cells, in which a write voltage is applied from a write selection word line according to an address signal in the write operation and also a write current is supplied from a transistor (TR6) switching controlled by a write selection bit line and the parallel write restriction circuit according to logical values of write data.例文帳に追加
メモリアレイは、書き込み動作においてアドレス信号に従って書き込み選択とされるワード線から書き込み電圧が印加され、且つ、書き込みデータの論理値に従って書き込み選択ビット線と並列書き込み制限回路によりスイッチ制御されるトランジスタ(TR6)から書き込み電流が供給される不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁
Thus, in the write leveling mode, a write leveling operation can be quickly performed without waiting for latency of the ODT signal.例文帳に追加
これにより、ライトレベリングモード時においては、ODT信号のレイテンシを待つことなく、速やかにライトレベリング動作を行うことが可能となる。 - 特許庁
When the asymmetry value is close to 0, the overwriting (DOW: Direct Over Write) operation is carried out with a current asymmetry value AS by a laser driving circuit 36.例文帳に追加
アシンメトリ値が0付近になれば、レーザ駆動回路36は、現在のアシンメトリ値ASで上書き(DOW:Direct Over Write)動作を行なう。 - 特許庁
All word lines are fixed to a low level by a write recovery signal/ϕWE that is generated immediately after the data write operation of the SRAM.例文帳に追加
SRAMのデータ書込動作直後に発生するライトリカバリ信号/φWEによって,全てのワード線はLレベルに固定される。 - 特許庁
A photographer operates a cross operation key 8 to the right to select "ON" on a video write mode setting screen when setting the video write mode.例文帳に追加
ビデオライトモードに設定する際、撮影者は、ビデオライトモード設定画面において、十字操作キー8を右に操作して「ON」を選択する。 - 特許庁
To provide an SRAM which outputs correct write data at write through operation, with little increase of a circuit scale.例文帳に追加
回路規模を殆ど増加することなく、ライトスルー動作時に正しい書き込みデータを出力することができるSRAMを提供する。 - 特許庁
To improve reliability of a data rewriting operation for a magnetic tape through a retry operation when an error occurs in a read-after-write operation, and reduce a time period required for the retry operation.例文帳に追加
リードアフターライトにおけるエラー時のリトライ動作により、磁気テープのデータ書き換えに対する信頼性を向上させるとともに、リトライ処理時間の短縮をはかる。 - 特許庁
Further, a logic circuit 1100 gives an operation command for performing pre-charge operation to a DRAM module 1200 in an operation cycle directly after a cycle of block write-in operation.例文帳に追加
さらに、ロジック回路1100は、ブロック書込み動作のサイクル直後の動作サイクルにおいて、プリチャージ動作を行なうための動作コマンドをDRAMモジュール1200に与える。 - 特許庁
To configure a decoding signal circuit to generate a dual operation decoding signal that enables a memory device to perform a read operation and a write operation in one clock cycle.例文帳に追加
デコード信号回路は、デュアル動作デコード信号(dual operation decoding signal)を生成し、これにより、メモリデバイスは、1つのクロックサイクルで読出動作及び書込動作を行うことができる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|