「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, all the contents of the cache memory 2 are wiped out to the memory module 4a being the origin of copy and a memory module 4b being the destination of copy by the write-back operation in the copy mode.例文帳に追加

そして、複写モードでのライトバック動作により、キャッシュメモリ２の内容をすべて複写元のメモリモジュール４ａと複写先のメモリモジュール４ｂに掃き出す。 - 特許庁

To reduce the influence of a leakage magnetic field on neighboring bits or tracks, when a write operation is performed with respect to a perpendicular magnetic recording medium, and the capacity of a magnetic storage device is increased.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に対する書き込み時に、周辺のビットやトラックに対する漏れ磁界の影響を抑制し、磁気記憶装置を大容量化すること。 - 特許庁

The display content on which write by each terminal at the operation origin has been reflected according to the selection is displayed on a display screen based on the received data.例文帳に追加

このように受信したデータに基づいて、操作元の各端末での書込みを前記選択にしたがって反映した表示内容を表示画面に表示させる。 - 特許庁

To provide a write prevention adapter device for a USB memory, preventing writing into the USB memory from an external device to prevent destruction or losing of data by erroneous operation.例文帳に追加

外部デバイスからＵＳＢメモリへの書き込みを防止し、誤動作によるデータの破壊又は消失を防止できるＵＳＢメモリ用書き込み防止アダプタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a processing method for preventing time-out of OS caused by delay of read/write operation at a drive side due to recovery from a sleep state or the like.例文帳に追加

スリープ状態からの復帰などに伴うドライブ側でのリード／ライト動作の遅延によるＯＳのタイムアウトから防止するための装置と処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-level storing type nonvolatile memory in which increment of circuit scale is suppressed to the minimum, and highly accurate write, read, and erasure operation can be realized in a short time.例文帳に追加

回路の規模の増大を最少に抑え、かつ短時間で高精度の書込み、読み出し、消去動作を実現可能な多値記憶型不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

Writing operation is stopped immediately after the memory element is shorted by detecting variation of output voltage of the boosting circuit and by controlling a write command.例文帳に追加

昇圧回路の出力電圧の変化を検出することで、書き込み命令を制御することにより、メモリ素子がショートした直後、直ちに書き込み動作を止める。 - 特許庁

When the flag is discriminated as OFF, the recording is carried out without performing the write power calibration, and the recording operation is verified (S205-S209).例文帳に追加

またキャリブレーション要求フラグがオフであると判別した場合は、ライトパワーキャリブレーションを実行させずに記録を行い、その記録動作に対するベリファイを行う（Ｓ２０５〜Ｓ２０９）。 - 特許庁

This cause an application of high power, via a sense line (302, 303), to an addressed bit (320) in the memory array (325) and causes write operation to be applied to the addressed bit.例文帳に追加

これにより、メモリアレイ(325)のアドレス指定されたビット(320)にセンス線(302,303)を介して大電力が印加され、そのアドレス指定されたビットに対して書き込み操作が行われる。 - 特許庁

Also, an initializing operation to return the write pointer 131 to an initial value address set in an initial value register 173 is operated according to an interrupting signal 121 from the external processor 110.例文帳に追加

また、外部プロセッサ１１０からの割り込み信号１２１により、初期値レジスタ１７３に設定した初期値アドレスにライトポインタ１３１を戻す初期化動作を行う。 - 特許庁

To obtain the image processing unit that attains overlap processing by having only to write a change point in the case of designating overlapping of a same area without complicated arithmetic operation.例文帳に追加

同一エリアの重なりを指定する際に、複雑な演算なしに、変化点を書き込むだけで重なり処理を達成することができる画像処理装置を提供する。 - 特許庁

During the write operation, the amplitude limitation transfer transistors lower the potential of a potential riseing side digit line by a Vth level from a VDD level or a VINT level.例文帳に追加

書込み動作の際に、振幅制限トランスファトランジスタは、電位上昇側のデジット線の電位をＶＤＤレベル又はＶＩＮＴレベルからＶｔｈレベルだけ低くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit system having an electrically rewritable nonvolatile semiconductor storage device which can accelerate write operation.例文帳に追加

書き込み動作を高速化させることが可能な電気的に書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置を有した半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁

Thereby, a dynamic coupling noise is given to the TTRAM, or acceleration test of erroneous operation at the data read and data write can be performed and so on.例文帳に追加

これによって、ダイナミックなカップリングノイズをＴＴＲＡＭに与えたり、データ読出およびデータ書込時におけるの誤動作の加速試験を行なったりすることができる。 - 特許庁

The ID tag 5 comprises a semiconductor chip 6 as a semiconductor circuit part and an antenna coil 7 and is provided to write information of a real operation result of the electronic device.例文帳に追加

ＩＤタグ５は、半導体回路部としての半導体チップ６とアンテナコイル７とから構成され、電子機器の稼働実績の情報を書き込むために設けられる。 - 特許庁

To attain a stable write operation even when a low-voltage and low- price IC for driving scan electrodes is used in a plasma display device.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置において、低電圧の安価なスキャン電極駆動用ＩＣを用いた場合でも、安定した書き込み動作が行えるようにすることを目的とする。 - 特許庁

Enabling this option is beneficial for those systems where reading from video memory is, on average, slower than the corresponding read/modify/write operation in systemvirtual memory.例文帳に追加

このオプションを有効にすることは、ビデオメモリからの読み込みの平均速度が、システムの仮想メモリでの読み取り/修正/書き込みの操作よりも遅いシステムでは有利である。 - XFree86

When the determination result is Not Good, the impression of writing bias to memory cell, write verify, and the whole bit writing termination determination operation is repeatedly performed until it becomes OK.例文帳に追加

判定がＮＧの際にはメモリセルへの書き込みバイアスの印加、書き込みベリファイ、および全ビット書き込み終了判定動作をＯＫとなるまで繰り返し行う。 - 特許庁

To provide an information recording and reproducing device capable of executing the replacement processing of a defective sector in a read-modify-write operation at high speed, a data reproducing method and the optical disk.例文帳に追加

リードモディファイライト動作における欠陥セクタの交替処理を高速実行可能な情報記録再生装置、データ再生方法、並びにその光ディスクを提供する。 - 特許庁

Meanwhile, when the counted value of the counter 305 reaches a coincidence constant for forced termination stored in a memory 308, a read/write forced termination signal is generated by the comparator 306, and read/write operation is forcibly terminated by hardware.例文帳に追加

一方、カウンタ３０５のカウント値がメモリ３０８に記憶された強制終了のための一致定数に到達すると比較器３０６によってリード／ライト強制終了信号が発生され、ハードウェアによってリード／ライト動作が強制的に終了させられる。 - 特許庁

To revise the hardware of each subscriber side communication apparatus by allowing a station side communication apparatus to transmits a write control signal and write data to each subscriber side communication apparatus according to an instruction of a station side operation system in a communication system.例文帳に追加

通信システムにおいて、局側のオペレーションシステムからの命令に従い、局側通信装置が各加入者側通信装置に対して書込み制御信号、及び書込みデータを送信することにより各加入者側通信装置のハードウェア変更を行う。 - 特許庁

To provide a memory controller and a memory control method for shortening the execution time of a storage operation in a storage medium even when a series of write data having relationship to specific write data are discontinuously temporarily stored in a cache memory.例文帳に追加

特定の書込データとの間に関連性を有する一連の書込データがキャッシュメモリに不連続に一時記憶された場合であっても、記憶媒体への記憶動作の実行時間を短縮させることが可能なメモリ制御装置及びメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To prevent wrong write-in/wrong read-out to/from a recording disk, such as a magnetic disk, when the timing of data transfer between a controller, such as an HDD and a channel, such as an R/W channel is not in synchronization with the timing of a write/read operation which is executed by the channel.例文帳に追加

ＨＤＣ等のコントローラとＲ／Ｗチャネル等のチャネルとの間におけるデータ転送タイミングと、チャネルが実行する書き込み／読出し動作のタイミングが同期していない場合に、磁気ディスク等の記録ディスクへの誤書き込み／誤読み出しを防止する。 - 特許庁

After that, NAND strings to be written out of a NAND string group sharing bit lines are selected, while a potential of each bit line is set to a potential in accordance with write-in data, effective write-in operation of data for a memory cell is started.例文帳に追加

この後に、ビット線を共有するＮＡＮＤストリング群の中から書き込み対象のＮＡＮＤストリングを選択すると共に、各ビット線の電位を書き込みデータに応じた電位に設定して、メモリセルへの実効的なデータの書き込み動作を開始する。 - 特許庁

The nonvolatile memory like a flash memory decides data in writing operation to skip the writing of bits being logic '1' (or logic '0') of the write data and successively write bits of logic '0' (or logic '1').例文帳に追加

フラッシュメモリのような不揮発性メモリにおいて、書込み時にデータを判定して書込みデータが論理“１”（もしくは論理“０”）であるビットの書込みは飛ばして、書込みデータが論理“０”（もしくは論理“１”）であるビットに対応した書込みを連続して行なって行くようにした。 - 特許庁

To realize a required addressing function while canceling a problem accompanying magnetic field use write-in by specifying an optional storage carrier selected as an object of write-in or read-out and using an exchange mutual action propagating through a solid as a means for attaining target operation.例文帳に追加

磁性体の配列を記憶担体として有する磁気記憶装置において、微細化に伴うクロストークの発生や保磁力の低下といった、磁界利用書き込みに伴う問題を解消しつつ、集積回路素子には不可欠のアドレッシング機能を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a resistive memory element capable of controlling switch driving voltage and current by including a memory part and a resistor part for controlling a switching window, allowed to be used as a WORM (write only read memory) type memory and having excellent operation reliability.例文帳に追加

メモリ部とスイッチングウィンドウを調整する抵抗部とを含むことによりスイッチ駆動電圧および電流を調節することが可能であり、ＷＯＲＭ(Write Once Read Memory)型メモリとして使用可能であり、動作信頼性にも優れた抵抗変化型メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The generated pulse PULSE is then inverted by an inverter circuit INVd of an output section and is outputted as a write activation signal WENB to inactivate the pulse PULSE in a write operation period (activation period) of SA.例文帳に追加

そして、その生成したパルスＰＵＬＳＥを出力部のインバータ回路ＩＮＶｄによって反転させ、該パルスＰＵＬＳＥの非活性化期間をＳＡの書き込み動作期間（活性化期間）とする、書き込み活性化信号ＷＥＮＢとして出力する構成となっている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device for performing write masking by utilizing address information and using even-numbered/odd-numbered write data as they are or exchanging them in the semiconductor memory device for executing masking operation by utilizing one masking control signal.例文帳に追加

一つのマスキング制御信号を利用してマスキング動作を実行する半導体メモリ装置であって、アドレス情報を利用して偶数番号目、奇数番号目ライトデータをそのまま、または、入れ替えてライトマスキングすることができる半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

At writing operation, a write data output means (for example, a pull-up circuit 100) is provided, wherein one (for example, a level "H") of complementary write-data signals WBL, WBLB is output to one of readout bit line pairs RBL, RBLB, which corresponds to the level.例文帳に追加

書き込み動作時に、相補的な書き込みデータ信号ＷＢＬ，ＷＢＬＢの内の一方（例えば、レベル“Ｈ”）を、読み出しビット線対ＲＢＬ，ＲＢＬＢの内の対応する一方に出力する書き込みデータ出力手段（例えば、プルアップ回路１００）を設ける。 - 特許庁

Thus, when the USB memory storing the batch file storing the key operation trace command is connected, the write start of the key operation trace data is automatically instructed, and every time one of keys is operated by a user thereafter, the key operation trace data is written to the USB memory (S4-S6).例文帳に追加

これにより、キー操作トレースコマンドが格納されたバッチファイルが記憶されたＵＳＢメモリが接続されると、自動的にキー操作トレースデータの書き込み開始が指示されて、それ以降に、いずれかのキーがユーザにより操作される度に、キー操作トレースデータがＵＳＢメモリに書き込まれる（Ｓ４乃至Ｓ６）。 - 特許庁

A first stage/second stage servo switching part 28 judges whether read-operation of data is performed or write-operation is performed, or generates switching signals 40 to 42 of the first step servo or the second step servo for switching parts 30 to 32 in accordance with request of saving power operation from the high order group.例文帳に追加

１段／２段サーボ切替部２８は、データのリード動作あるいはライト動作を行なっているかどうかを判断して、あるいは、上位系からの省電力動作の要求に応じて、切替部３０乃至３２に対し１段サーボか２段サーボかの切替信号４０乃至４２を生成する。 - 特許庁

A control circuit performs a voltage application operation to memory cells to be provided with a second threshold voltage distribution and perform a writing operation when performing a write operation for providing the second threshold voltage distribution to a plurality of memory cells formed along one of word lines.例文帳に追加

制御回路は、ワード線の１本に沿って形成される複数のメモリセルに対して第２閾値電圧分布を与えるための書き込み動作を実行する場合において、第２閾値電圧分布を与えるべきメモリセルに対し電圧印加動作を行なって書き込み動作を行う。 - 特許庁

Also, when an internal signal iWR indicating being performing of write-in operation of data and an internal signal iER indicating being performing of erasure operation of data are not active ('L' level), rewriting voltage generating operation by the rewriting voltage generating circuit 3 is stopped.例文帳に追加

また、データの書き込み動作の実行中を示す内部信号ｉＷＲと、データの消去動作の実行中を示す内部信号ｉＥＲとが共にアクティブではない場合（「Ｌ」レベル）、書換え電圧発生回路３による書換え電圧発生動作を停止するようにしている。 - 特許庁

Thus, as the widths of data lines are designed according to their characteristics by providing the pair of read global data line used during the reading operation and the pair of write global data line used during the writing operation, the operation performance of the semiconductor memory device is improved.例文帳に追加

従って、リード動作時に使用する一対のリードグローバルデータラインとライト動作時に使用する一対のライトグローバルデータラインを具備することによって、各データラインの幅をそれぞれの特性に合わせて設計することができるので、半導体メモリ装置の動作性能を改善することができる。 - 特許庁

To reduce current consumption by detecting an address change and an input data change, determining whether normal operation is performed or not when a clock is inputted, and stopping needless operation such as the read-out operation of the same address and the write-in of the same data.例文帳に追加

アドレス変化や、入力データの変化を検出し、クロックが入力された時に、通常動作を行うかどうかを判断し、同一アドレスへの読み出し動作や、同一データの書き込みなど、不要な動作を自動的に停止させ消費電流を低減することを目的とする。 - 特許庁

When a request to access to a defective memory cell is made, write data are supplied to the repair memory element SC from the write amplifier WAMP through the bit line MIO by turning on the switch SW2 in write operation, and data read out from the repair memory element SC are supplied to the read amplifier RAMP without using the bit line MIO by turning off the switch SW1 and turning on the switch SW3 in read operation.例文帳に追加

不良メモリセルへのアクセスが要求された場合、ライト動作時においては、スイッチＳＷ２をオンすることによりライトアンプＷＡＭＰからビット線ＭＩＯを介して救済記憶素子ＳＣにライトデータを供給し、リード動作時においては、スイッチＳＷ１をオフしスイッチＳＷ３をオンすることにより、救済記憶素子ＳＣから読み出されたリードデータをビット線ＭＩＯを介することなくリードアンプＲＡＭＰに供給する。 - 特許庁

A multiplexer 8 selects a decoding signal XnDm of an external address side or a decoding signal XnRm of a refresh address side so that refresh operation and Read/Write operation are performed continuously in one memory cycle based on an external address transmitting signal EXTR and a refresh address transmitting signal RFTR, and outputs it as a decoding signal XnMm.例文帳に追加

マルチプレクサ８は、外部アドレス伝達信号ＥＸＴＲ及びリフレッシュアドレス伝達信号ＲＦＴＲに基づき、１メモリサイクル中にリフレッシュ動作とRead/Write動作が連続して行われるように、外部アドレス側のデコード信号ＸｎＤｍまたはリフレッシュアドレス側のデコード信号ＸｎＲｍを選択してデコード信号ＸｎＭｍとして出力する。 - 特許庁

The defective memory cell is detected by continuing dummy read operation on the same memory cell immediately after write operation on the memory cell with an internal clock signal having a frequency increased with respect to a test mode clock signal responsive to each write access request issued according to a test pattern, and surely simulating the worst case.例文帳に追加

テスト・パターンにより発行される各ライト・アクセス要求に応答して、テスト・モード・クロック信号に対して増加された周波数を有する内部クロック信号を使用して、メモリ・セルに対してライト動作直後に、同一のメモリ・セルに対してダミー・リード動作を続け、最悪の場合の状況を確実にシミュレートして、欠陥メモリ・セルを検出する。 - 特許庁

This medium is arranged with a plurality of test areas (TEST1- TESTn) to which trial write operation is performed by a light beam, and a plurality of power setting information recording areas (PREC1-PRECn), positioned between each of a plurality of these test areas to record an optimal power setting parameter and device identification information for a recording device, to which the trial write operation is performed.例文帳に追加

光ビームによって試し書きされる複数のテストエリア（ＴＥＳＴ１〜ＴＥＳＴｎ）と、この複数のテストエリアの夫々の間に配置されており、最適パワー設定パラメータと試し書きした記録装置の機器識別情報とを記録する複数のパワー設定情報記録エリア（ＰＲＥＣ１〜ＰＲＥＣｎ）と、を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A conversion mechanism 5 changes information inputted to an information area when the "write" operation is executed, and generates and adds data for a data area and a code area independently of the information inputted, and extracts only the part of information area of the data received from the special read/write mechanism 4 and outputs the part when the "read" operation is executed.例文帳に追加

変換機構５は、Ｗｒｉｔｅ動作時には入力された情報を情報領域としデータ領域および符号領域のためのデータを入力された情報とは無関係に生成して付加し、Ｒｅａｄ動作時は、特殊リード／ライト機構４から受け取ったデータのうち情報領域の部分のみを切り出して出力する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is equipped with control circuits (116, 118 and 121) which at test time and in the 1st mode, always generates refresh just before the read/write operation and sets always the latency as a 1st fixed value, and in the 2nd mode, always generates refresh just after the read/write operation and sets always the latency as a 2nd fixed value.例文帳に追加

半導体記憶装置は、テスト時に、第１のモードでは、リフレッシュを決まってリード／ライト動作の直前に発生させ、レイテンシーを常に第１の固定値に設定し、第２のモードでは、リフレッシュを決まってリード／ライト動作の直後に発生させ、レイテンシーを常に第２の固定値に設定する制御回路（１１６、１１８、１２１）を備えている。 - 特許庁

To prevent the wrong recording and wrong detection of magnetic information by inhibiting the display operation of an image display device, while the read/write operation of the magnetic information is performed in a compound camera which has both a film photographing function and an electronic photographing function.例文帳に追加

フイルム撮影機能と電子撮像機能とを併有する複合カメラにおいて、磁気情報の読み書き動作中に画像表示装置の表示動作を禁止することにより、磁気情報の誤記録及び誤検出を防止する。 - 特許庁

To provide a flash memory which has a plurality of cores being sets of blocks to be used as units of data erasure, and enables concurrent execution of data write or erase operation in an arbitrary core, and of data read operation in other arbitrary cores.例文帳に追加

データ消去の単位となるブロックの集合である複数のコアを有し、任意のコアでのデータ書込み又は消去動作と、他の任意のコアでのデータ読出し動作との同時実行を可能としたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.例文帳に追加

書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁