「write-operation」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The master section has a first operation mode where the write signal and the detection command signal are not transmitted after the read signal is transmitted, and the slave section performs the detection operation and reply of detection data in response to transmission of the read signal.例文帳に追加

マスタ部は、リード信号の送信後にライト信号及び検出指令信号が送信されることなくリード信号が送信されることに応じてスレーブ部が検出動作と検出データの返信を行う第１の動作モードを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of smoothly performing write/read operation of data complying with an instruction from a CPU while using a one-port memory cell and read operation of the data for displaying an image to a display panel.例文帳に追加

１ポートメモリセルを使用しながら、ＣＰＵからの命令に従うデータの書込み／読出し動作と、表示パネルに画像を表示するためのデータの読出し動作とをスムーズに行うことができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

Error bits are detected by performing readout operation being same as actual operation 3rd power times after negative polarization write-in voltage of 1.4 V being lower than actual operating voltage 2.5 V is written in ferroelectric capacitors CR, CL.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣＲ，ＣＬへの負の分極書き込み電圧を実動作電圧２．５Ｖより低い電圧１．４Ｖを書き込んだ後、実動作と同様の読み出し動作を３乗回行うことにより、エラービットを検出する。 - 特許庁

An operation instruction to the storage part 103 sent from the other terminal which is the operation side terminal is received in the communication part 101 and the control part 102 operates the storage part 103 on the basis of it and performs the write and read or the like of the file.例文帳に追加

操作側端末である他端末から送られた記憶部１０３に対する操作指示を通信部１０１で受信し、制御部１０２はこれに基づいて記憶部１０３を操作してファイルの書き込み、読み出し等を行う。 - 特許庁

Thus, even when the PC card type memory 23 is used to the limit and the write operation can not be performed, since a facsimile equipment 1 itself does not become inoperable, the read operation from the PC card type memory 23 is executed.例文帳に追加

このため、ＰＣカード型メモリ２３が寿命となり、書き込み動作ができなくなっても、ファクシミリ装置１自体が動作不能に陥ることがないため、ＰＣカード型メモリ２３からの読み出し動作は実行することができる。 - 特許庁

To increase processing speed by reducing a surplus waiting time at boosting operation and drop operation of internal voltage with sufficient pulse width secured in order to uniformly keep a data write characteristic for a memory cell and a data erasing characteristic of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルへのデータ書き込み特性およびメモリセルのデータ消去特性を均一に保つために十分なパルス幅を確保しつつ、内部電圧の昇圧・降圧動作時に余分な待ち時間を減らして処理の高速化を図る。 - 特許庁

When a set operation is performed (write a signal), a source-drain voltage of one of two transistors connected in series becomes quite low, thus the set operation is performed to the other transistor.例文帳に追加

直列に接続された２つのトランジスタにおいて、設定動作（信号書き込み）の時には、そのうちの１つのトランジスタのソース・ドレイン間の電圧が非常に小さくなり、もう１つのトランジスタに対して、設定動作を行うようになる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which saves a space, in which an optical system can be designed simply and which can perform a readout operation and a write operation with reference to two kinds of optical disks, by a method wherein light at two kinds of wavelengths can be radiated from one optical pickup.例文帳に追加

１つの光ピックアップから２種類の波長の光を発射することを可能にし、これによって、省スペースで光学系の設計も簡単としつつ、２種類の光ディスクに対する読取および書込を可能とする。 - 特許庁

As a result, since the capacitance value given to the lower-order side write-in potential VSSA and the capacitance value given to the overdrive potential VOD necessarily become equal, variations in the lower-order side write-in potential VSSA at the early stage of sense operation and variations in the overdrive potential VOD are offset.例文帳に追加

これにより、低位側書き込み電位ＶＳＳＡに与えられる容量値とオーバードライブ電位ＶＯＤに与えられる容量値が必然的に一致することから、センス動作の初期における低位側書き込み電位ＶＳＳＡの変動とオーバードライブ電位ＶＯＤの変動が相殺される。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory 100 is provided with multiple write-in pipe lines 110-1 to 110-N respectively having a memory array, a timing circuit 140 successively starting write-in operation in these pipe lines and a shared charge pump and voltage adjustment circuit 150 operating the circuits by a programmed memory cell.例文帳に追加

不揮発半導体メモリが、それぞれがメモリアレイを有する多重書込みパイプラインと、前記パイプラインにおいて書込み動作を逐次開始するタイミング回路と、プログラムされたメモリセルによって回路を作動させる共有された電荷ポンプ及び電圧調節回路とを有する。 - 特許庁

A state control circuit 102 receives a detected result of the address transition detecting circuit 101, judges operation to be performed from an output enable signal/OE and a write enable signal/WE, and outputs any instruction out of a read-instruction RS, a write- instruction WS, and a refresh-instruction FS.例文帳に追加

状態コントロール回路１０２は、アドレス遷移検出回路１０１の検出結果を受けて、アウトプットイネーブル信号／ＯＥおよびライトイネーブル信号／ＷＥから実行すべき動作を判断し、リード命令ＲＳ、ライト命令ＷＳ、リフレッシュ命令ＦＳの何れかの命令を出力する。 - 特許庁

When the communication data identified at the data analyzing/identifying section 140 is read/write request of the storage section 130, the setting/information control section 150 controls the operation to read/write the information only on a user corresponding to that communication data.例文帳に追加

設定／情報制御部１５０は、データ解析／識別部１４０によって識別された通信データが、記憶部１３０の読み出し又は書き込みの要求である場合に、該通信データに該当するユーザについての情報のみの読み出し又は書き込みを行うように制御する。 - 特許庁

A first area management control part 24 calculates the address of data to be read or written by collation with a first management table 25 in order to specify the physical location of the data and settles read/write operation, the address, and the length of read/write and gives an indication to a data input/output execution part 26.例文帳に追加

第１領域管理制御部２４は、読み書きを実行するデータの物理的な配置を特定するため、第１管理テーブル２５と照合して該当するデータのアドレスを割り出し、読み書き動作とアドレス及び読み書きを行う長さを確定し、データ入出力実行部２６に指示を行う。 - 特許庁

Consequently, a potential difference ΔV0 between the write pulse Pwa to be impressed to the address electrode 11 and the write pulse Pw to be impressed to a scan electrode 12 becomes larger than the potential difference ΔV1 of the normal operation period, and a wall load is formed on the discharge cell.例文帳に追加

それにより、アドレス電極１１に印加される書き込みパルスＰｗａとスキャン電極１２に印加される書き込みパルスＰｗとの間の電位差ΔＶ０が通常動作期間の電位差ΔＶ１に比べて大きくなり、放電セルに壁電荷が形成される。 - 特許庁

The write operation of this semiconductor memory is performed in such a way that a write circuit 2 gives a potential difference to a memory cell 1 via a pair of data lines DW an DWB, a pair of amplitude limitation transfer transistors Q3 and Q4 and a pair of selection transfer transistors Q1 and Q2.例文帳に追加

半導体記憶装置の書込み動作は、書込み回路２が、一対のデータ線ＤＷ又はＤＷＢ、一対の振幅制限トランスファトランジスタＱ３又はＱ４、及び、一対の選択トランスファトランジスタＱ１又はＱ２を介して、メモリセル１に電位差を与えることで行われる。 - 特許庁

A comparison part 30 outputs a write request arbitration signal a specific time after the counter part 10 starts the counting operation and even when a write request signal is outputted form another processor before that, data are written to the SRAM 200 thereafter.例文帳に追加

また、カウンタ部１０による計数動作が開始されると所定時間経過後に比較部３０からライトリクエスト調停信号が出力され、それ以前に他方のプロセッサからライトリクエスト信号が出力されている場合であってもそれ以後にＳＲＡＭ２００に対するデータの書き込み動作が行われる。 - 特許庁

When performing an operation for writing audio data from the PC 100 onto the disk 90, the FAT system of the PC 100 is disconnected, and write of the audio data is managed by a FAT system on the side of a disk drive device 1 in which a write unit of data is 64k bytes×4.例文帳に追加

ＰＣ１００からディスク９０にオーディオデータを書き込む操作を行うときは、ＰＣ１００のＦＡＴシステムが切り離され、データの書き込み単位が６４ｋバイト×４とされたディスクドライブ装置１側のＦＡＴシステムによりオーディオデータの書き込みが管理される。 - 特許庁

To provide an on-vehicle control device capable of reducing the management burden by reducing the number of control devices available by a manufacturer as components for service, and reducing or omitting the chances for write of specification information data by the artificial operation on the market and chances of use of write tools.例文帳に追加

この発明は、メーカがサービス用部品として在庫する制御装置の数量を減らして管理の負担を減らすこと、市場における人為的操作による仕様情報データ書き込みの機会や書き込みツールの使用の機会を減らす、あるいは不要とすることを目的とする。 - 特許庁

For example, when the last voltage value of the batch write pulse in data erasing operation of the previous time is VWL=8.00 V, VWELL=VSL=-6.00 V, in this time it is made lower than the above, the batch write pulse start voltage value is set to VWL=7.75 V, VWELL=VSL=-5.75 V.例文帳に追加

例えば、前回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの最終電圧値がＶ_WL＝８．００Ｖ、Ｖ_Well＝Ｖ_SL＝−６．００Ｖであった場合は、今回はそれよりも１段階低くして、一括書き込みパルスの開始電圧値を、Ｖ_WL＝７．７５Ｖ、Ｖ_Well＝Ｖ_SL＝−５．７５Ｖに設定する。 - 特許庁

The wirings act as channel shield lines to lower the capacitances between adjacent diffused layers sandwiching the element isolation region and between channel regions, thereby raising the channel potential of the memory cell connected to a not selected bit line (in self boosting and local self-boost write system) in a write operation.例文帳に追加

上記配線は、素子分離領域を挟んで隣り合う拡散層、及びチャネル領域間の容量を低減するチャネルシールド線として働き、書き込み動作時（セルフブースト及びローカルセルフブースト書き込み方式）の非選択ビット線に接続されているメモリセルのチャネル電位を大きくする。 - 特許庁

Before and after a signal voltage Vsig is written, the OFF voltage of the write transistor is set to a second OFF voltage Vssws2 lower than an original first OFF voltage Vssws1 to make large the gradient of a transitional waveform at operation points of black and white signals of a write scanning signal WS.例文帳に追加

信号電圧Ｖｓｉｇの書込み前後において、書込みトランジスタのオフ電圧を本来の第１オフ電圧Ｖｓｓｗｓ１よりも低い第２オフ電圧Ｖｓｓｗｓ２にすることで、書込み走査信号ＷＳの白／黒信号に動作点における遷移波形の傾きを大きくする。 - 特許庁

Input data 120 from an external processor 110 are written in the memory main body 130 according to a write pointer 131, and when the address of the write pointer 131 is made coincident with the address of a check pointer 132, whether the writing operation of data should be continued or stopped is controlled by referring to an end flag 171.例文帳に追加

外部プロセッサ１１０からの入力データ１２０をライトポインタ１３１にしたがってメモリ本体１３０に書き込んでいき、ライトポインタ１３１とチェックポインタ１３２のアドレスが一致した場合に、エンドフラグ１７１を参照し、データの書込動作を継続するか停止するかの制御を行う。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device which reduces data transfer operation to set or change write data to be stored into a latch circuit or the number of write operations, and also optimizes the timing of opening the latch circuit, to reduce writing time.例文帳に追加

ラッチ回路に記憶される書き込みデータ及び書き込み回数の設定や変更のために行われるデータ転送動作を低減でき、さらにラッチ回路の開放タイミングを最適化することにより、書き込み時間を短縮することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a current generating and supplying circuit which speedily carries out the operation of generating a write current even the write current to be supplied to display pixels is small, and is capable of outputting the write current of a suitable amount corresponding to display data, to provide a control method therefor, and to provide a display device provided with the current generating and supplying circuit.例文帳に追加

表示画素に供給される書込電流が微小な場合であっても、該書込電流を生成する動作を迅速に実行するとともに、表示データに対応した適切な電流値の書込電流を出力することができる電流生成供給回路及びその制御方法、並びに、該電流生成供給回路を備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

A method for writing and reading information to/from the memory cell includes: switching a magnetization direction of the memory layer to write data into the memory layer during write operation; aligning magnetization direction of the sense layer to a first aligned magnetization direction during read operation; and comparing the write data with the first aligned magnetization direction by measuring a first resistance value of the magnetic tunnel junction.例文帳に追加

本開示はまた、メモリセルに書き込み、かつ読み出すための方法であって、書き込み動作中に、データを前記記憶層に書き込むために前記記憶層の磁化方向を切り替えることと、読み出し動作中に、前記センス層の磁化方向を第１の配向される磁化方向に配向することと、前記磁気トンネル接合部の第１の抵抗値を測定することによって、前記書き込みデータを前記第１の配向された磁化方向と比較することと、を含む方法に関する。 - 特許庁

Thereby, it is not required to transmit update information due to a message write operation to the devices 1-4-1 to 1-4-3, and the real-time property of the display of the messages is enhanced.例文帳に追加

これにより、メッセージの書き込みに伴う更新情報をユーザの携帯情報装置１−４−１〜３へ送信することを不要とし、メッセージの表示のリアルタイム性を向上させる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, and a control method therefor, in which the write operation of a multilevel data is controlled in consideration of the influence of capacity between floating gates of adjacent memory cells.例文帳に追加

隣接するメモリセルのフローティングゲート間容量の影響を考慮して多値データの書き込み動作を制御する不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an information editing controller for realizing high-speed editing by reducing a copy operation accompanied by read/write access to a recording medium in editing video and audio data.例文帳に追加

映像音声データの編集において、記録媒体へのリード・ライトのアクセスを伴うデータのコピー動作を減少させ、高速な編集を実現可能な情報編集制御装置を提供する。 - 特許庁

In short, at the time of read-out, the memory array operates at the low frequency being one-eighth of the data output frequency and at the time of write-in, it performs an operation such as to writing data for every clock.例文帳に追加

つまり読出時は、メモリアレイがデータ出力周波数の８分の１の低い周波数で動作し、書込時は毎クロックごとにデータを書込むという動作が行なわれる。 - 特許庁

A counter section 14 counts a period required for executing the pipeline process in the pattern generating section 11 after the automatic program function of a memory under test 20 starts a write operation.例文帳に追加

カウンタ部１４は、被試験メモリ２０の自動プログラム機能による書き込み動作が開始されてからパターン発生部１１でパイプライン処理に要する時間分だけ時間を計時する。 - 特許庁

To provide a disk storage which can prevent the serious hindrance, such as the destruction of a fixed voltage circuit and the malfunction of write operation, when an abnormal power-supply voltage is supplied.例文帳に追加

異常な電源電圧が供給された場合に、定電圧回路の破壊や、ライト動作の誤動作などの重大な支障を未然に防止できるディスク記憶装置を提供することにある。 - 特許庁

When the write error is detected, the control part 100 removes data of the fragment from the data memory 50 or the memory card MC as well as stops imaging operation of the camera 20.例文帳に追加

書込エラーが検出された場合、制御部１００は、当該フラグメントのデータをデータメモリ５０またはメモリカードＭＣから破棄するとともに、カメラ部２０による撮像動作を停止させる。 - 特許庁

In the case of restoring the operation of the PLL 21, a second flip-flop 23 uses no clock signal CLK but uses a write enable signal WE being an external control signal.例文帳に追加

ＰＬＬ２１の動作を復帰させる場合は、第２のフリップフロップ２３により、クロック信号ＣＬＫを使用せずに外部制御信号であるライトイネーブル信号ＷＥにて復帰させる。 - 特許庁

To solve the problem that since it is impossible to use a write-back type cache for an external memory which has been backed up by a battery, it is difficult to achieve a high speed operation even by using the cache.例文帳に追加

電池でバックアップされた外部メモリにはライトバック型のキャッシュを使用することができないため、キャッシュを用いても高速化することが困難であったという課題を解決する。 - 特許庁

To improve the reliability of a memory cell in erroneous write by reducing effective channel capacity and increasing a channel potential boost ratio during operation of a self-boost system in a NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、実効的なチャネル容量を下げ、セルフ・ブースト方式の動作時においてチャネル電位ブースト比を大きくし、メモリセルの誤書き込みに対する信頼性を改善する。 - 特許庁

Since the preheating time T1 and the loading time T2 are not sequentially passed, unstable recording operation normally caused by thermal protrusion is resolved while the write command process is quickly conducted.例文帳に追加

予熱時間Ｔ１とロード時間Ｔ２がシーケンシャルに経過しないため、ライト・コマンドの処理を早くしながら、サーマル・プロトリュージョンによる不安定な記録動作を解消することができる。 - 特許庁

When the set signal becomes "L" and a write signal becomes "H", then the nMOS transistor 20 performs a source follower operation while charging a load capacitor Cload and becomes stable.例文帳に追加

次に、ｓｅｔ信号が「Ｌ」、ｗｒｉｔｅ信号が「Ｈ」となると、ｎＭＯＳトランジスタ２０は、ソースフォロワ動作し、負荷容量Ｃｌｏａｄを充電しながら、安定状態となる。 - 特許庁

When an error-correcting function related to a memory of the adapter is present, utilization of the read-correct-write operation for limiting a bandwidth is required unless the present invention is utilized.例文帳に追加

アダプタのメモリに関連付けた誤り訂正機能が存在すると、本発明を利用しなければ、帯域幅を制限する読み取り−修正−書き込み動作の利用が必要となる。 - 特許庁

To provide a memory element which can prevent an occurrence of an error at the time of repeated usage by using a different input/output line in read/write operation and altering structure of an input/output multiplexer.例文帳に追加

読み出し/書き込み動作時に異なる入出力ラインを使用し、入出力マルチプレクサの構造を変更してリピータ使用時のエラーの発生を防止できるメモリ素子を提供すること。 - 特許庁

No power is supplied when the column line is activated and during write operation.例文帳に追加

メモリセルの列に対応して配置され、列選択結果に応じて選択的に活性化されるカラムラインを備え、電源スイッチは、カラムラインが活性化される場合であってライト動作の場合には、非導通にされる。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device which meets requirements for both low current write operation and external magnetic field tolerance, and to provide especially a means for suppressing the shift of magnetic characteristics of free layers.例文帳に追加

低電流書き込みと外部磁場耐性を両立した磁性体記憶装置を提供することにあり、特にフリー層の磁気特性のシフトを抑制する手段を提供する。 - 特許庁

A write control circuit 2 receives alternate information, writes data to a substitute register 5 without stopping the operation of a CPU 6 and writes the data address of the register 5 in an address storage register 4.例文帳に追加

書き込み制御回路２は代替情報を受けＣＰＵ６の動作を停止しないで代替レジスタ５にデータを書き込み、アドレス格納レジスタ４に代替レジスタ５のデータのアドレスを書き込む。 - 特許庁

To enable not only a healthy person, but also a person who rather has difficulty in reading and writing to securely learn words without the need for an operation to repeatedly write words on a notebook.例文帳に追加

ノートに単語を繰り返し書くという作業を必要とせず、健常者のみならず読み書き障害の傾向がある学習者でも、確実に単語を学習することができるようにする。 - 特許庁

A counter 37 counts clock signals SCK by the number of clocks Nd at the time of write-in of data, and makes the charge pump circuit 17 perform boosting operation making a boosting permission signal Sc as H during the counting.例文帳に追加

カウンタ３７は、データ書き込み時にクロック数Ｎｄだけクロック信号ＳCKをカウントし、その間昇圧許可信号ＳｃをＨとしてチャージポンプ回路１７に昇圧動作をさせる。 - 特許庁

To provide a driving method of a plasma display panel by which write-in operation is stabilized and thereby the unlighting of a cell can be suppressed and display characteristic can be improved.例文帳に追加

書き込み動作を安定させることで、セルの不灯を抑制し表示特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁