この保持により、バリア層が非結晶質から結晶構造に変化する。例文帳に追加

By this holding, the barrier layer changes from the amorphous structure to the crystal one. - 特許庁

結晶化パターンおよびこれを用いた非晶質シリコンの結晶化方法例文帳に追加

CRYSTALLIZATION PATTERN AND METHOD OF CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON USING THE SAME - 特許庁

単結晶または多結晶含有非晶質材料の作製方法及びその非晶質材料例文帳に追加

MANUFACTURE OF SINGLE CRYSTAL OR POLYCRYSTAL-CONTAINING AMORPHOUS MATERIAL AND THIS AMORPHOUS MATERIAL - 特許庁

非晶質−結晶質タンデムナノ構造化太陽電池例文帳に追加

AMORPHOUS-CRYSTALLINE TANDEM NANOSTRUCTURED SOLAR CELL - 特許庁

結晶層３５および磁性結晶粒３２の間や結晶層４１および磁性結晶粒３６の間には非晶質層３４、３９が介在する。例文帳に追加

Amorphous layers 34, 39 exist between the crystal layer 35 and the magnetic grains 32 or between the crystal layer 41 and the magnetic grains 36. - 特許庁

非晶質シリコンの結晶化のための熱処理システム例文帳に追加

HEAT TREATMENT SYSTEM FOR CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON - 特許庁

結晶系ＩＶ族半導体の非晶質化方法例文帳に追加

METHOD FOR MAKING AMORPHOUS CRYSTAL SYSTEM IV GROUP SEMICONDUCTOR - 特許庁

非晶質シリコン薄膜の結晶化方法例文帳に追加

CRYSTALLIZATION METHOD OF AMORPHOUS SILICON THIN FILM - 特許庁

また、この非晶質層に熱処理を加えて、再結晶化させる。例文帳に追加

The amorphous layers are heated for recrystallization. - 特許庁

非晶質シリコン膜の結晶化方法例文帳に追加

METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON - 特許庁

非晶質シリコン層の結晶化方法例文帳に追加

METHOD OF CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON FILM - 特許庁

実質的に非結晶性のポリエステルシート例文帳に追加

SUBSTANTIALLY NONCRYSTALLINE POLYESTER SHEET - 特許庁

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化し、大略結晶方位の揃った結晶欠陥が少ない半導体膜を得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor film, whose crystal azimuth is roughly aligned and whose crystal defects are reduced by forming a non-single crystal semiconductor thin film such as amorphous or polycrystals on a non-single crystal insulating film or a non-single crystal insulating substrate, and crystallizing it by adding energy. - 特許庁

本発明によると、非晶質シリコン膜を二重で結晶化させるので非常に大きい結晶粒の多結晶シリコン膜を形成することができる。例文帳に追加

Since the amorphous silicon film is double crystallized in the method, a polycrystalline silicon film including crystal grains having extremely large grain size is formed. - 特許庁

また、非晶質半導体膜に不純物を添加した後に結晶化を行うことで、結晶質半導体膜の結晶構造の破壊を防ぐ。例文帳に追加

Furthermore, the crystal structure of a crystalline semiconductor film is protected against destruction, causing crystallization after adding impurities an amorphous semiconductor film. - 特許庁

非晶質合金薄帯、ナノ結晶軟磁性合金、磁心、ならびにナノ結晶軟磁性合金の製造方法例文帳に追加

THIN STRIP OF AMORPHOUS ALLOY, NANOCRYSTAL SOFT MAGNETIC ALLOY, MAGNETIC CORE, AND METHOD FOR PRODUCING THE NANOCRYSTAL SOFT MAGNETIC ALLOY - 特許庁

非晶質化物を加熱して複合酸化物の結晶を含む結晶化物を析出させる。例文帳に追加

A crystallized material containing crystal of the composite oxide is precipitated by heating the amorphous material. - 特許庁

レーザアニール法を用いた非晶質シリコン膜の結晶化に際して、結晶配向性を制御する。例文帳に追加

To control crystal orientation when an amorphous silicon film is crystallized by a laser annealing method. - 特許庁

非晶質合金薄帯、ナノ結晶軟磁性合金ならびにナノ結晶軟磁性合金からなる磁心例文帳に追加

AMORPHOUS ALLOY THIN STRIP, NANO-CRYSTALLINE SOFT MAGNETIC ALLOY, AND MAGNETIC CORE COMPOSED OF NANO-CRYSTALLINE SOFT MAGNETIC ALLOY - 特許庁

ただし、炭素結晶の結晶子径は大きくても、小さくても良く、また非晶質であっても良い。例文帳に追加

However, the crystallite size of a carbon crystal may be large or small, and besides may be amorphous. - 特許庁

PRAMセルは非結晶状態と結晶状態との間で状態遷移をする相変化物質を備える。例文帳に追加

The PRAM cell has a phase change material that changes its state, between a non-crystal state and a crystal state. - 特許庁

非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長し、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。例文帳に追加

To obtain a crystalline semiconductor film having a wide area, such that when an energy is applied to crystallize a nonsingle-crystal semiconductor film, such as amorphous or polycrystalline films formed on a nonsingle-crystal insulation film or nonsingle-crystal insulation substrate, the irregular nucleus growth is suppressed, crystal grains having an orientation easy to grow the crystal are controlled, so as to make the crystal orientation approximately uniform. - 特許庁

非晶質シリコン膜を大きな結晶粒サイズを有する多結晶シリコン膜に結晶化するための改善された方法を開示する。例文帳に追加

An improved method for crystallizing an amorphous silicon film in a polycrystalline silicon film, having a large crystal particle grain is disclosed. - 特許庁

違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。例文帳に追加

The first polysilicon layer and the second polysilicon layer having different crystal properties has been converted from an amorphous silicon layer of the first region and an amorphous silicon layer of the second region by a single crystallization process. - 特許庁

連続的側面結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法と非晶質シリコンの結晶化方法例文帳に追加

METHOD FOR VAPOR DEPOSITING AMORPHOUS SILICON LAYER FOR SEQUENTIALLY LATERAL CRYSTALLIZATION, AND METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON - 特許庁

非晶質シリコン膜の結晶化方法及び非晶質シリコンの結晶化用マスク、並びにアレイ基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR AMORPHOUS SILICON FILM CRYSTALLIZATION, MASK FOR AMORPHOUS SILICON CRYSTALLIZATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARRAY SUBSTRATE - 特許庁

シリコンのナノ粒子を利用した非晶質シリコンの結晶化法例文帳に追加

METHOD OF CRYSTALLIZING AMORPHOUS SILICON USING NANO-PARTICLES OF SILICON - 特許庁

酸化錫という,白い,非結晶性で水に溶けない粉状の物質例文帳に追加

a white amorphous powder, called stannic oxide発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

非晶質半導体層を結晶化するための装置および方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR CRYSTALLIZING AMORPHOUS SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

シリコン単結晶基板上に非晶質膜を形成するステップＳ２１と、非晶質膜をステップＳ２２で乾燥させた後、その非晶質膜を結晶化させる熱処理を行って酸化物結晶質膜を形成するステップＳ２３とを複数回繰り返して、複数層の酸化物結晶質膜を製造する。例文帳に追加

The manufacturing method comprises a step S21 of forming an amorphous film on a silicon single-crystal substrate, a step S22 of drying the amorphous film, and a step S23 of heat-treating to crystallize the amorphous film, thereby forming an oxide crystalline film. - 特許庁

さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device further comprises the steps of irradiating micro waves to form a first conductive type crystal layer by crystallization of the first amorphous film, to form a second conductive type crystal layer by crystallization of the second amorphous film, and to form a third conductive type crystal layer by crystallization of the third amorphous lower layer film and the third amorphous upper layer film. - 特許庁

絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。例文帳に追加

A method of crystallizing a semiconductor thin-film includes steps of depositing an amorphous semiconductor thin-film on the insulation layer, bringing the monocrystalline semiconductor layer into contact with part of the former thin-film, and single-crystallizing the amorphous semiconductor thin-film with crystallinity of the monocrystalline semiconductor layer reflected by heat treatment. - 特許庁

ＣＶＤシリコン膜１５０は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈しいる。例文帳に追加

The CVD silicon film 150 is a semiconductor thin film, where an amorphous component and a crystalline component are mixedly present, and the CVD silicon film 150 is of crystalline structure in which an amorphous part is present between crystal grains, and the crystal grain is columnar in structure and has a base, that belongs to the surface of the substrate. - 特許庁

ＣＶＤシリコン膜１５０は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈している。例文帳に追加

The CVD silicon film 150 is obtained as a semiconductor thin film in which amorphous components and crystalline components coexist, and provided with a crystal structure in which amorphous parts exist between crystal particles, and the crystal particles are formed in a cylindrical structure with a substrate face as a bottom face. - 特許庁

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐｉｎまたはｐｎ接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。例文帳に追加

To improve efficiency in a non-single crystal thin-film solar battery having a pin or pn junction that is made of an amorphous thin film containing a microcrystal phase. - 特許庁

非晶質層20により、ＴＦＴ基板３の表面の段差を埋め、さらには、下地の性状、特に結晶性を多結晶質層21に伝えない。例文帳に追加

The amorphous layer 20 cancels level difference on the surface of the TFT board 3, and prevents the properties of the substrate, especially crystallizability, from affecting the polycrystal layer 21. - 特許庁

非晶質半導体膜に結晶化を助長するための金属元素を用いて結晶質半導体膜を形成する。例文帳に追加

A crystalline semiconductor film is formed using a metallic element for accelerating crystallization in an amorphous semiconductor film. - 特許庁

この照射によって単結晶が多結晶化または非晶質化した改質領域Ｓｎを形成し、そこをブレード１１で切断する。例文帳に追加

By this, the single crystal forms a reformed area Sn where the single crystal is formed into a polycrystal or an amorphous crystal, and the reformed area is cut by a blade 11. - 特許庁

窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。例文帳に追加

The silicon nitride sintered compact has a crystal phase being mainly silicon nitride crystal particles and an amorphous grain boundary phase existing in the grain boundary of the silicon nitride crystals. - 特許庁

非晶質シリコン膜に導入された複数の結晶核Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆからそれぞれ一方向に結晶化が開始し、結晶方位が概ね揃った複数の柱状結晶ＣＳが成長する。例文帳に追加

Crystallization starts from a plurality of crystal nuclei A, C, D, E, F introduced in an amorphous silicon film in their respective linear directions to grow a plurality of columnar crystals CS approximately oriented in panes. - 特許庁

そして、単結晶シリコン露出部１１ｂと非単結晶シリコン膜３との境界部にレーザ光線を照射して種結晶を形成し、レーザ光線を移動する境界部に順次照射して、全ての非単結晶シリコン膜３を単結晶シリコン膜２ａに改質する。例文帳に追加

Then, laser beams are applied to the boundary between the single crystal silicon exposure part 11b and the non-single crystal silicon film 3 for forming a seed crystal, and are successively applied to the traveling boundary, thus reforming all non-single crystal silicon films 3 to the single-crystal silicon film 2a. - 特許庁

本発明による半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に結晶化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜を得る結晶化工程と、結晶化工程に連続して、結晶質半導体膜に平坦化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜の表面を平坦化する平坦化工程とを包含する。例文帳に追加

The manufacture method of the semiconductor film includes a process to prepare an amorphous semiconductor film, a process to crystallize to obtain a crystalline semiconductor film by irradiating a crystallizing laser beam to at least a part of the amorphous semiconductor film, and a process to planarize a surface of the crystalline semiconductor film by irradiating a planarizing laser beam to the crystalline semiconductor film continuously from the crystallizing process. - 特許庁

レーザ光により微結晶半導体膜上の非晶質半導体膜は結晶化し、成膜法による微結晶半導体膜を含む微結晶半導体層を形成することができる。例文帳に追加

The amorphous semiconductor film over the microcrystalline semiconductor film is crystallized by laser beams, and the microcrystalline semiconductor layer including the microcrystalline semiconductor film formed by a deposition method can be formed. - 特許庁

また、ブラスめっき層１１が、表面側の非結晶質性部１１ａと内側の結晶質性部１１ｂとが積層された積層構造部分１３を備え、非結晶質性部１１ａが２０ｎｍ以下の粒径の結晶粒により形成され、結晶質性部１１ｂが２０ｎｍを超える粒径の結晶粒により形成されたことも特徴とする。例文帳に追加

The plated layer 11 has a laminated structure 13 comprising the amorphous part 11a on the surface side and the crystalline part 11b inside, wherein the amorphous part 11a comprises crystal particles with ≤20 nm of particle diameter, and the crystalline part 11b comprises crystal particles with ≥20 nm of particle diameter. - 特許庁