flrとは 意味・読み方・使い方

A silicon carbide semiconductor device has a termination region that is a junction termination extension (JTE) region or a field limiting ring (FLR) at the termination portion of a semiconductor element.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置は、半導体素子の終端部にＪＴＥ（Junction Termination Extension）領域またはＦＬＲ（Field Limiting Ring）である終端領域を有する。 - 特許庁

Field areas (FLR) forming transistors are formed in the direction intersecting the word lines (WL0-WL5) and bit lines (BL0-BL9).例文帳に追加

ワード線（ＷＬ０−ＷＬ５）およびビット線（ＢＬ０−ＢＬ９）と交差する方向にトランジスタを形成するフィールド領域（ＦＬＲ）を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加

ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁

A pair of object electrodes composed of EQR electrodes 14 and FLR electrodes 16 is formed on a semiconductor substrate 28 for the semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０の半導体基板２８にＥＱＲ電極１４とＦＬＲ電極１６で構成される一対の対象電極が形成されている。 - 特許庁

The FLR region 8a located on the innermost side extends in a range straddling the inside and outside of a boundary line 19 between the anode electrode 14 and the insulation film 12 along the boundary line 19.例文帳に追加

最も内側に位置しているＦＬＲ領域８ａは、アノード電極１４と絶縁膜１２の境界線１９の内側と外側に跨る範囲に境界線１９に沿って伸びている。 - 特許庁

A plurality of ring-like FLR regions 8a, 8b and 8c are formed in a range facing the front surface of the semiconductor layer 10 in the peripheral region 18.例文帳に追加

周辺領域１８の半導体層１０の表面に臨む範囲には、リング状の複数個のＦＬＲ領域８ａ、８ｂ、８ｃが形成されている。 - 特許庁

The first FLR layer 4 is provided on a first primary surface of the first semiconductor layer 2 in the termination region, surrounds the element region, and is electrically connected to the first electrode 9.例文帳に追加

第１のＦＬＲ層４は、終端領域において第１の半導体層１の第１の主面に設けられ、素子領域を取り囲み、第１の電極９と電気的に接続される。 - 特許庁