p 32とは 意味・読み方・使い方

Then, the thermoplastic resin (P) opposed to a cavity (116) of the mold (32) is vacuum-sucked onto the cavity (116), and the thermoplastic resin (P) is shaped into a shape according to the cavity (116).例文帳に追加

そして、金型（32）のキャビティ（116）に対向する熱可塑性樹脂（P）をキャビティ（116）に真空吸引し、熱可塑性樹脂（P）をキャビティ（116）に沿った形状に賦形する。 - 特許庁

The p type frame part 30 and the p type electrode 32 are insulated across a groove part 600 and the p type electrode 32 is electrically connected with the p+ type electric circuit 36.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０とｐ型の電極３２とは溝部６００を隔てて絶縁されており、ｐ型の電極３２はｐ^+型の電路３６とのみ電気的に接続されている。 - 特許庁

The pair of guide members 31, 32 are vertically moved in accordance with conveyance of the paper money P into the upper part of the storage part 1 and are once removed onto an upper face side of the paper money P to press the paper money P into the storage part 12 from above by the pair of guide members 31, 32.例文帳に追加

収納部12の上部への紙幣Ｐの搬送に応じて、一対のガイド部材31，32を上下動させ、一対のガイド部材31，32を紙幣Ｐの上面側に一旦外した後、一対のガイド部材31，32で紙幣Ｐを上方から収納部12内に押さえ込む。 - 特許庁

Upon the discharge of the paper sheet P, the detection lever 32 is maintained by a cam 35 at an initial position where the leading end of the lever 32 is not in contact with the uppermost paper sheet P even when the paper sheets P are fully loaded up on the paper discharge tray 1.例文帳に追加

用紙Ｐが排出される時、検知レバー３２は、排紙トレイ１上に用紙Ｐが満載されているときでもその先端が最上の用紙Ｐに接触しない初期位置にカム３５によって維持されている。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１８、２０は、ソース領域３０がｐ^+ ソース領域３４とｐ^- からなるＬＤＤ領域３６とからなり、ドレイン領域３２がｐ^+ ドレイン領域とｐ^- からなるＬＤＤ領域４０とからなっている。 - 特許庁

The p-side pad electrode 32 of an infrared semiconductor laser device 3 is bonded onto the p-side pad electrode 14 with the corresponding solder film H sandwiched therebetween.例文帳に追加

また、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４上に接合されている。 - 特許庁

The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加

ゲート保護ダイオード３０は、第１のｐ型領域３１とｎ型領域３２と第２のｐ型領域３３とを含む。 - 特許庁