「isolation resistor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At midway between the voice coil and the plug of the earphone, a frequency characteristic correction circuit composed of a resistor and a capacitor, for correcting sound isolation characteristics of the sound isolation element, is provided.例文帳に追加

イヤホンのボイスコイルとプラグの中間に、遮音エレメントの遮音特性補正用の、抵抗とコンデンサからなる周波数特性補正回路を設ける。 - 特許庁

A high potential part, such as a pinch resistor 3 of high breakdown voltage or the like, is arranged in the second isolation region 8 isolated from the first isolation region 14, and the NMOSFET 5 is connected to the high potential part with wires 18a and 18b.例文帳に追加

第１分離領域１４とは分離された第２分離領域８内に高耐圧ピンチ抵抗３等の高電位部を配置し、ワイヤ１８ａ、１８ｂによりＮＭＯＳＦＥＴ５と高電位部を接続する。 - 特許庁

To provide a terminating resistor mounting structure and its mounting method for a high-frequency relay capable of establishing a sufficient ground for a terminating resistor and ensuring high isolation (70 db or higher) in a high frequency property.例文帳に追加

終端抵抗の充分なアースを取ることができ、高周波特性において高いアイソレーション（７０ｄｂ以上）を確保することができる高周波リレーの終端抵抗取り付け構造、及びその取り付け方法を提供する。 - 特許庁

An isolation amplifier 412 isolates current data ia0 indicating a current Idc passed through the current sensing resistor 411 from the current sensing resistor 411, and outputs it based on a voltage drop in the current sensing resistor 411.例文帳に追加

アイソレーションアンプ４１２は、電流検出抵抗４１１における電圧降下に基づいて、電流検出抵抗４１１に流れる電流Ｉｄｃを示す電流データｉａ０を、電流検出抵抗４１１と絶縁しつつ出力する。 - 特許庁

For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁

A switching resistor (2) is formed on a semiconductor substrate (1), an isolation layer (4) is deposited on the switching transistor (2), and then a memory capacitor provided with a lower electrode (7) formed of platinum and a ferroelectric or paraelectric (8) is formed on the isolation layer.例文帳に追加

半導体基板（１）上にスイッチングトランジスタ（２）を形成し、この上にアイソレーション層（４）を施し、該アイソレーション層上に白金からなる下方電極（７）及び強誘電体又は常誘電体誘電体（８）を有するメモリキャパシタを形成する。 - 特許庁

A resistor 23 for prevention of isolation fluctuation, which is connected in parallel with the high-frequency switching element 2 is provided between the drain and the source of the high-frequency switching element 22.例文帳に追加

高周波スイッチ素子２２のドレインとソースとの間には、高周波スイッチ素子２２と並列に接続されたアイソレーション変動防止用の抵抗器２３が設けられている。 - 特許庁

To provide a Wilkinson type power distributor/combiner with a high degree of freedom of layout and high isolation between output connected with each other via an absorption resistor.例文帳に追加

レイアウトの自由度および吸収抵抗を介してつなげられている出力端子間のアイソレーションが高いウィルキンソン型の電力分配合成器を提供すること。 - 特許庁

This current detecting circuit does not use a current detector and isolation amplifier utilizing the Hall element and is formed of only low price components, such as resistor and operational amplifier or the like.例文帳に追加

しかし、ホール素子内蔵の電流検出器やアイソレーションアンプが比較的高価であり、これらを用いて電流検出回路を構成すると制御回路全体としてのコストが高くなるという問題がある。 - 特許庁

To provide a high frequency signal transmission line substrate which propagates high frequency signals, provided with a chip resistor mounting area for sufficient isolation, and has stable transmission characteristics.例文帳に追加

高周波の信号が伝播でき、充分なアイソレーション用のチップ抵抗の実装領域を備え、安定した伝送特性を有する高周波信号伝送線路基板を提供する。 - 特許庁

To realize a power distribution circuit and a power combiner circuit available for a millimeter wave band with an excellent isolation characteristic that need no resistor interconnected between lines.例文帳に追加

ミリ波領域で使用可能な電力分配回路および電力合成回路の構成に関し、線路間で接続する抵抗を使用せず、且つアイソレーション特性の良好な電力分配回路および電力合成回路を実現する。 - 特許庁

To reduce a reactance component of an isolation resistor over a wide range from a near part of a center frequency to a band edge in a power distribution/composition device which consists of two or more stages impedance transformers.例文帳に追加

２段以上の多段インピーダンス変成器からなる電力分配合成器において、中心周波数近傍から帯域端までの広帯域に亘り、アイソレーション抵抗のリアクタンス成分を低減する。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

When alternating voltage is impressed to the thermoelectron pair 10 from a signal generator 34 via an impedance detection resistor 32 and a direct current isolation capacitor 30 while respective phases of the multiphase flow field are brought into contact with the hot junction 40, an earth impedance of each fluid phase is detected by the resistor 32, and phase determination is carried out on the basis of the detection result.例文帳に追加

混相流場の各相がホットジャンクション４０に接触している状態において、信号発生器３４から交流電圧が熱電対１０にインピーダンス検出用抵抗３２及び直流電流隔離用コンデンサ３０を介して印加されることにより、各流体相の対地インピーダンスが抵抗３２により検出され、その検出結果から相判別が行われる。 - 特許庁

This semiconductor device includes an element isolation film formed in a predetermined region of a semiconductor substrate to define a cell active region, a resistor active region, and a mask ROM active region and a floating junction region, a resistive junction region, and a channel junction region which are respectively formed in those active regions.例文帳に追加

この半導体装置は半導体基板の所定領域に形成されてセル活性領域、抵抗体活性領域及びマスクＲＯＭ活性領域を限定する素子分離膜及びこれら活性領域に各々形成される浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域を含む。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure wherein a silicon oxide film 3 is embedded within a first groove 2 as an element isolation region in a p-type silicon substrate 1, and an n-type polycrystalline silicon resistor 6 is embedded within a second groove 5 further formed in that silicon oxide film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ｐ型シリコン基板１に、素子分離領域となる第１の溝２の内部にシリコン酸化膜３が埋め込まれ、さらにその内部に形成された第２の溝５の内部にｎ型多結晶シリコン抵抗体６が埋め込まれた構造となっている。 - 特許庁

A new phase compensated 180° rat race hybrid type power distributor can improve the RF.LO isolation on wide band width by adding a short transmission line 11 and a capacitor 10 (or resistor) of a low value to the topology of a conventional 180° rat race hybrid device and is allowed to be simply assembled.例文帳に追加

新しい位相補償１８０度ラットレースハイブリッド型電力分配器は、従来の１８０度ラットレースハイブリッド装置のトポロジー上に、短い伝送路１１と、値の低いコンデンサ１０（または抵抗器）を加えることにより、広い帯域幅上でミキサーのＲＦ・ＬＯアイソレーションを向上させると共に、簡単に組み立てられる。 - 特許庁

The photodiode array PDA1 includes: a p^--type semiconductor layer 33 formed on an n-type semiconductor layer 32; a resistor 24 that is provided for each light detection channel CH and has one edge connected to a signal conductor 23; and an n-type isolation section 40 formed among the plurality of light detection channels CH.例文帳に追加

フォトダイオードアレイＰＤＡ１は、ｎ型半導体層３２上に形成されたｐ^−型半導体層３３と、光検出チャンネルＣＨ毎に設けられると共に信号導線２３に一端部が接続される抵抗２４と、複数の光検出チャンネルＣＨの間に形成されるｎ型の分離部４０とを備える。 - 特許庁

By connecting a T type high-pass filter between a resistor and the ground and adding a 1/4-wave path between a π type low-pass filter and the branching connection part of the two even-harmonic mixers, the isolation between two mixers is secured while using the π type low-pass filter, and proper modulation precision is obtained.例文帳に追加

抵抗とグラウンドの間にＴ型高域通過フィルタを接続し、π型の低域通過フィルタと２つの偶高調波ミクサの分岐接続部との間に１/４波長線路を付加することにより、π型の低域通過フィルタを使用しつつ、２つのミクサ間のアイソレーションを確保することができ、良好な変調精度を得ることができる。 - 特許庁