いでんせいかくまくじすとろふぃーの英語

薄膜トランジスタと重なる位置に形成される第２配線２０は、薄膜トランジスタのソース領域１３Ａまたはドレイン領域１３Ｂと重なる位置であって、ゲート電極１５及び低濃度不純物拡散領域（ＬＤＤ領域１３Ｃ，１３Ｄ）とは重ならない位置に配置されている。例文帳に追加

The second line 20 formed on a position where it laps over the thin-film transistor is arranged on the position where the second line 20 laps over a source region 13A or a drain region 13B of the thin-film transistor and does no lap over a gate electrode 15 and a lightly doped drain region (LDD regions 13C, 13D). - 特許庁

各チャネル領域３８ａ，３８ｂ上にはゲート絶縁膜を介してそれぞれのゲート電極４０ａ，４０ｂが形成されて、ドレイン拡散層を共通とする２つのＮチャネルＤＭＯＳトランジスタが構成されている。例文帳に追加

Gate electrodes 40a and 40b are formed on the channel regions 38a and 38b through the intermediary of a gate insulating layer respectively, and two N-channel DMOS transistors having the drain diffusion layer in common are formed. - 特許庁

これにより、基準電圧ＶＲＥＦとアナログ入力電圧ＶＩＮ／２との比較動作が実行可能であるため基準電圧発生回路１０と接続されるハイ側電源電圧ＶＲＴの電圧レベルを低くして、基準電圧発生回路１０および比較増幅器ＡＭＰを構成するトランジスタを薄膜トランジスタを用いて設計する。例文帳に追加

Thus, since the comparison of a reference voltage VREF and the analog input voltage VIN/2 can be carried out, while using a thin film transistor, a transistor is designed which constitutes a reference voltage generation circuit 10 and a comparative amplifier AMP by reducing a voltage level of a high-side power supply voltage VRT connected with the reference voltage generation circuit 10. - 特許庁

シフトレジスタを構成する段ＲＳ（１）〜段ＲＳ（ｎ）（ｎは正の整数）の各段ＲＳ（ｋ）を構成する各トランジスタを薄膜トランジスタにより形成し、このうちのＱ５０をダブルゲート構造とし、トップゲート端子ＴＧに、ボトムゲート端子ＢＧに０［Ｖ］が印加されたときにドレイン、ソース間に流れるリーク電流を最小限に低減する所定の電圧Ｖｃを印加する。例文帳に追加

Each transistor for constituting each stage RS (k) of a stage RS (1) to a stage RS (n) (n is a positive integer) which constitutes the shift register is formed of a thin film transistor, and Q50 is made to be a double gate structure. - 特許庁

また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。例文帳に追加

Uniformity of coating of an organic protective film can also be sufficiently secured by applying to make the thickness of the organic protective film 1.5 μm or less in the liquid crystal display element , and etching of a contact hole 42 for connecting the picture element electrode 50 and a TFT source electrode 46 is uniformized, and disconnection failure and dyeing failure between a transistor and the picture element electrode 50 can be minimized. - 特許庁

また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜４８のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。例文帳に追加

And in the liquid crystal display device, the uniformity of the coating of an organic protective film 48 can be sufficiently secured by applying the protective film having ≤1.5 μm thickness and defects of discontinuity and dyeing between a transistor and a pixel electrode 50 can be minimized by uniformly etching surface to form a contact hole 42 for connecting a source electrode 46 of a TFT with the pixel electrode 50. - 特許庁

塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、半導体層がポルフィリン骨格を有する化合物を含有し、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。例文帳に追加

In the field effect transistor having a semiconductor layer formed by a coating process, the semiconductor layer contains a compound having a porphyrin skeleton, and a source electrode and/or a drain electrode are disposed at a recess of a gate insulation film. - 特許庁

カラーフィルタ１０Ｒ、カラーフィルタ１０Ｇ及びカラーフィルタ１０Ｂはネガ型レジスト膜からなるので、遮光されていた領域、即ち各ソース電極８の後に透明画素電極に接続される領域に相当する各カラーフィルタの領域がこの現像により除去され、開口部が形成される。例文帳に追加

Since the color filter 10R, the color filter 10G, and the color filter 10B are formed of the negative resist films, the shaded areas, namely, each color filter areas corresponding to the areas to be connected with the transparent pixel electrodes behind each source electrode 8 is removed by this development, and the opening parts are formed. - 特許庁