「いでんせいかくまくじすとろふぃー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

薄膜トランジスタに形成されるフローティングアイランド部分のリーク電流を低減すると共に、ＴＦＴ動作に必要なオン電流を高く保つ。例文帳に追加

To reduce the leak current in floating island parts formed in a thin film transistor and hold the required ON-current high for the TFT operation. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタのソース拡散層ＳとディープトレンチキャパシタＣ_ＤＴのストレージ電極３３０を電気的に接続する第一の電極（サーフェスストラップ）５２０上部に、第二の絶縁膜５３０を介して上部電極５４０を形成し、第二のキャパシタを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with a second capacitor which is formed by providing an upper electrode 540, on the upper side of a first electrode 520 (surface strap) electrically connecting a source diffused layer S of a MOS transistor and a storage electrode 330 of a deep trench capacitor C_DT, by means of a second insulating film 530. - 特許庁

薄膜トランジスタと重なる位置に形成される第２配線２０は、薄膜トランジスタのソース領域１３Ａまたはドレイン領域１３Ｂと重なる位置であって、ゲート電極１５及び低濃度不純物拡散領域（ＬＤＤ領域１３Ｃ，１３Ｄ）とは重ならない位置に配置されている。例文帳に追加

The second line 20 formed on a position where it laps over the thin-film transistor is arranged on the position where the second line 20 laps over a source region 13A or a drain region 13B of the thin-film transistor and does no lap over a gate electrode 15 and a lightly doped drain region (LDD regions 13C, 13D). - 特許庁

各チャネル領域３８ａ，３８ｂ上にはゲート絶縁膜を介してそれぞれのゲート電極４０ａ，４０ｂが形成されて、ドレイン拡散層を共通とする２つのＮチャネルＤＭＯＳトランジスタが構成されている。例文帳に追加

Gate electrodes 40a and 40b are formed on the channel regions 38a and 38b through the intermediary of a gate insulating layer respectively, and two N-channel DMOS transistors having the drain diffusion layer in common are formed. - 特許庁

これにより、基準電圧ＶＲＥＦとアナログ入力電圧ＶＩＮ／２との比較動作が実行可能であるため基準電圧発生回路１０と接続されるハイ側電源電圧ＶＲＴの電圧レベルを低くして、基準電圧発生回路１０および比較増幅器ＡＭＰを構成するトランジスタを薄膜トランジスタを用いて設計する。例文帳に追加

Thus, since the comparison of a reference voltage VREF and the analog input voltage VIN/2 can be carried out, while using a thin film transistor, a transistor is designed which constitutes a reference voltage generation circuit 10 and a comparative amplifier AMP by reducing a voltage level of a high-side power supply voltage VRT connected with the reference voltage generation circuit 10. - 特許庁

シフトレジスタを構成する段ＲＳ（１）〜段ＲＳ（ｎ）（ｎは正の整数）の各段ＲＳ（ｋ）を構成する各トランジスタを薄膜トランジスタにより形成し、このうちのＱ５０をダブルゲート構造とし、トップゲート端子ＴＧに、ボトムゲート端子ＢＧに０［Ｖ］が印加されたときにドレイン、ソース間に流れるリーク電流を最小限に低減する所定の電圧Ｖｃを印加する。例文帳に追加

Each transistor for constituting each stage RS (k) of a stage RS (1) to a stage RS (n) (n is a positive integer) which constitutes the shift register is formed of a thin film transistor, and Q50 is made to be a double gate structure. - 特許庁

また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。例文帳に追加

Uniformity of coating of an organic protective film can also be sufficiently secured by applying to make the thickness of the organic protective film 1.5 μm or less in the liquid crystal display element , and etching of a contact hole 42 for connecting the picture element electrode 50 and a TFT source electrode 46 is uniformized, and disconnection failure and dyeing failure between a transistor and the picture element electrode 50 can be minimized. - 特許庁

また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜４８のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。例文帳に追加

And in the liquid crystal display device, the uniformity of the coating of an organic protective film 48 can be sufficiently secured by applying the protective film having ≤1.5 μm thickness and defects of discontinuity and dyeing between a transistor and a pixel electrode 50 can be minimized by uniformly etching surface to form a contact hole 42 for connecting a source electrode 46 of a TFT with the pixel electrode 50. - 特許庁

塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、半導体層がポルフィリン骨格を有する化合物を含有し、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。例文帳に追加

In the field effect transistor having a semiconductor layer formed by a coating process, the semiconductor layer contains a compound having a porphyrin skeleton, and a source electrode and/or a drain electrode are disposed at a recess of a gate insulation film. - 特許庁

カラーフィルタ１０Ｒ、カラーフィルタ１０Ｇ及びカラーフィルタ１０Ｂはネガ型レジスト膜からなるので、遮光されていた領域、即ち各ソース電極８の後に透明画素電極に接続される領域に相当する各カラーフィルタの領域がこの現像により除去され、開口部が形成される。例文帳に追加

Since the color filter 10R, the color filter 10G, and the color filter 10B are formed of the negative resist films, the shaded areas, namely, each color filter areas corresponding to the areas to be connected with the transparent pixel electrodes behind each source electrode 8 is removed by this development, and the opening parts are formed. - 特許庁

各電界効果型トランジスタセル２０は、ＭＯＳＦＥＴの構造を有し、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極１６が形成されている。例文帳に追加

Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5. - 特許庁

アレイ基板は、ゲートラインとデータラインに画成された幾つかの画素領域を備え、各画素領域は薄膜トランジスタと画素電極とを有し、隣接する画素領域の間に少なくとも２つのクロススティックが形成される。例文帳に追加

The array substrate has several pixel regions defined by gate lines and data lines, each pixel region has a thin film transistor and a pixel electrode, and at least two cross sticks are formed between adjacent pixel regions. - 特許庁

マトリクス状に配列した走査線と信号線とで囲まれる各画素領域に画素電極１６及び薄膜トランジスタＴＦＴを配置したアレイＡＲ基板と、ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタ２６を備えたカラーフィルタ基板ＣＦとを有する液晶表示パネル１０Ａにおいて、前記薄膜トランジスタＴＦＴの表面に絶縁膜２０を介して光吸収層３０を形成したことを特徴とする。例文帳に追加

The liquid crystal display panel 10A includes an array substrate AR having a pixel electrode 16 and a thin film transistor TFT in each pixel region enclosed by scanning lines and signal lines arranged in a matrix, and a color filter substrate CF having a black matrix BM and a color filter 26, wherein a light absorbing layer 30 is formed over the surface of the thin film transistor TFT with an insulating film 20 interposed therebetween. - 特許庁

撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。例文帳に追加

In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6. - 特許庁

受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。例文帳に追加

A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14. - 特許庁

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。例文帳に追加

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21. - 特許庁

キャリア移動度が高く、オンオフ比も大きく、トランジスタ特性に優れ、かつ経持変化しにくく安定で、しかもプロセッシビリティーが高く、簡便な方法で作製できる電界効果型有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a field effect organic thin film transistor, along with its manufacturing method, of high carrier mobility and on-off ratio, excellent in transistor characteristics, stable with less secular change, and of high processability, which is manufactured by a simple method. - 特許庁

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。例文帳に追加

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously, the dynamic range of a solid-state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31. - 特許庁

これにより、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２のゲート酸化膜４１の界面から暗電流が発生するのを可及的に防止することと、経路３１を介してフローティングディフュージョン領域ＦＤに蓄積された電荷を用いて、固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大することとを同時に実現する。例文帳に追加

Consequently, a dark current is prevented as much as possible from generating from an interface of a gate oxide film 41 of the first transfer MOS transistor 22, and simultaneously the dynamic range of a solid state imaging device is enlarged by using the charges stored in a floating diffusion region FD through the channel 31. - 特許庁

シリコン基板１０１にシリコン酸化膜で素子分離領域（ＳＴＩ）１０８を形成し、このＳＴＩ１０８で区画される素子形成領域にしきい値電圧調整のための不純物を導入し、かつ前記素子形成領域内にチャネル領域を有するＭＯＳトランジスタを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の素子分離領域との境界領域に、しきい値電圧調整のための不純物と同一導電型の不純物（ボロン）を注入してボロン注入層１０５を形成する。例文帳に追加

An impurity (boron), which is of the same conductivity type as the impurity used for adjusting the threshold voltage, is implanted into the boundary region between the channel region of the MOS transistor and the isolation region, so as to form a boron-implantated layer 105. - 特許庁

磁気記録用ハードディスク装置内に設けられた複数枚の磁気ディスクを所定の間隔に保持するためのスペーサを加工する方法において、該スペーサの表面をエッチング処理液でエッチング処理した後に、該スペーサの表面に導電性被膜を形成させる。例文帳に追加

The method for fabricating the spacers for holding a plurality of sheets of the magnetic disks disposed in a hard disk drive for magnetic recording at prescribed intervals comprises subjecting the surfaces of the spacers to an etching treatment with an etching treating liquid, then forming conductive films on the surfaces of the spacers. - 特許庁

本発明のバルク半導体デバイスは、データを保持する蓄積ノード１、２の下方に電荷遮断膜７が形成され、かつ、ソース・ドレインの拡散層間（１、６）との間のチャネル部１２が基板１１と電気的に接続されているＭＯＳＦＥＴを有する。例文帳に追加

The bulk semiconductor device has a charge interrupting film 7 formed below storage nodes 1 and 2 for storing data and has a MOSFET in which a channel part 12 between diffusion layers (1, 6) of a source and a drain is electrically connected to a substrate 11. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタ２０のソース／ドレイン領域１２の一方に電気的に接続されたストレージノード１は、シリコン窒化膜２４、ＢＰＴＥＯＳ膜４およびＴＥＯＳ膜５に設けられた開口部６の側壁および底壁に沿って形成されており、かつ互いに間隔をあけて配置された複数の結晶粒を表面に有している。例文帳に追加

A storage node 1 connected electrically to one of source/drain regions 12 of a MOS transistor 20 is formed along a sidewall and a bottom wall of an aperture 6 formed in a silicon nitride film 24, a BPTEOS film 4 and a TEOS film 5; and has a plurality of crystal grains each arranged with a spacing from adjoining crystal grains on a surface of the storage node 1. - 特許庁

ヒューズ素子１１のＭＯＳトランジスタのシリサイド層４７ａ、４７ｂは、サイドウォール４９ａ、４９ｂからそれぞれ所定の間隔を隔てて不純物拡散層４６ａ、４６ｂ上に形成するとともに、シリサイド層４７ｄは、ゲート酸化膜４３上のゲート電極４４上を避けるようにしてゲート電極４４上のコンタクト領域に形成する。例文帳に追加

Silicide layers 47a and 47b of the MOS transistor of a fuse element 11 are formed on impurity diffusion layers 46a and 46b at a predetermined distance from sidewalls 49a and 49b, respectively, and a silicide layer 47d is formed on the contact area of a gate electrode 44 so as to avoid the area of the gate electrode 44 on the a gate oxide film 43. - 特許庁

本発明によるコレステリック液晶カラーフィルターを含む反射型液晶表示装置においては、金属物質でチャンネル遮光膜を形成してデータ配線の幅を広げたりデータ配線と重なるブラックマトリックスを形成することによって、データ配線近くにおける光漏れを防止でき、薄膜トランジスターから漏れ電流が生じることを防ぐことができる。例文帳に追加

The reflective liquid crystal display device including a cholesteric liquid crystal color filter as an embodiment of the present invention has a channel light blocking film formed of a metal substance to widen the width of a data wire and also has a black matrix formed overlapping with a data wire to prevent light leak nearby the data wire, thereby preventing the leak current from being generated by the thin-film transistor. - 特許庁

また、ＦＰＣ基板３は、ベースフィル３１の上面部に設けられる導体パターン３２と、ベースフィルム３１の下面部の各ランドパターン２０Ｂに対向する位置に形成されてスルーホール３３を介してこの導体パターン３２と電気的に接続されるランド接続パターン３５とが設けられ、上面部がレジスト膜３４で被覆されている。例文帳に追加

The FPC board 3 is provided with the conductor pattern 32 on the upper surface of a base film 31, and a land connection pattern 35 formed on the lower surface of the base film 31 oppositely to each land pattern 20B and being connected electrically with the conductor pattern 32 through a through-hole 33 wherein the upper surface is coated with a resist film 34. - 特許庁

液晶可変波長フィルタ装置１３０は、第１の液晶ビーム偏向器１０１と第２の液晶ビーム偏向器１０３との間に所定の角度αだけ傾けて誘電体多層膜から構成したバンドパスフィルタ１１１を第１のウェッジプリズム１２１と第２のウェッジプリズム１２３とで挟持することにより構成している。例文帳に追加

In a liquid crystal variable wavelength filter device 130, a band pass filter 111 inclined by a prescribed angle α and constituted of a dielectric multilayered film is sandwiched by a first wedge prism 121 and a second wedge prism 123 between a first liquid crystal beam polarizer 101 and a second liquid crystal beam polarizer 103. - 特許庁

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。例文帳に追加

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor. - 特許庁

保護層上など、前面基板の放電空間に露出する側の面上に付着しているＭｇＯなどの金属酸化物の結晶粉体の粒子数を、多層膜下地層の影響を受けずに正確に測定することを可能とし、もって、良好な画像を表示するＰＤＰを実現することを目的とする。例文帳に追加

To achieve accurate measurement of the number of particles of a crystal powder of a metal oxide such as MgO attached to the face of a front substrate on the side exposed to a discharge space, for example, a protective layer without an influence of a multi-layered ground layer, and thereby to achieve a PDP capable of favorably displaying an image. - 特許庁

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。例文帳に追加

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained. - 特許庁

複数の受光センサ部１１と各受光センサ列の一側に配されて垂直転送レジスタ１２を有し、垂直方向に隣り合う受光センサ部１１間上に１層目及び２層目の転送電極１７Ａ及び１７Ｃ，１７Ｂ及び１７Ｄが転送電極１７の端部直下にゲート絶縁膜１６より厚い絶縁膜２１が形成されて成る。例文帳に追加

This image pickup element has a plurality of light receiving sensors 11 and vertical transfer registers 12 arranged on one side of a light receiving sensor array, and insulation films 21 thicker than the gate insulation films 16 are formed just under ends of transfer electrodes 17A, 17C on first layer, and 17B, 17D on second layer arranged between vertically adjacent light receiving sensors 11. - 特許庁