きよたき３ちょうめの英語

出願人が欠落している登録出願に関しての書類及び情報を(4)により定められた期間内に，又は(5)が適用される場合は同項に規定する期間内に提出したときは，(3)に記載するすべての書類及び情報が特許庁に提出された日を登録出願日とみなす。例文帳に追加

If an applicant files the missing documents and information relating to the registration application within a term set pursuant to subsection of this section or, if subsection (5) applies, within the term provided for therein, the date on which all the documents and information specified in subsection (3) are submitted to the Patent Office shall be deemed to be the filing date of the registration application.発音を聞く  - 特許庁

本発明に係る成膜装置１は、上面に炭化ケイ素基板２が載置されるサセプタ３と、これらの炭化ケイ素基板２およびサセプタ３を収容する反応容器４と、を備え、前記炭化ケイ素基板２上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置１である。例文帳に追加

A film formation apparatus 1 for homoepitaxial-growing a thin film on a silicon carbide substrate 2 includes: a susceptor 3 to put the silicon carbide substrate 2 on an upper surface thereof; and a reaction chamber 4 into which the susceptor 3 with the silicon carbide substrate 2 set thereon is loaded. - 特許庁

予め設計された基本経路１の経路長、拘束部材２によるそれぞれの拘束位置及び拘束方向、並びに最小曲げ半径に基づき、拘束部材２間における基本経路１のバラツキ予測範囲３が計算され、この範囲３が立体的に表示される。例文帳に追加

Based on a pathway length of the basic pathway 1 previously designed, respective binding position and binding direction by a binding member 2, and the minimum bending radius, prediction of variation range 3 of the basic path 1 of the binding members 2 is calculated, and this range 3 is displayed three-dimensionally. - 特許庁

(4) 本条の規定は，(2)に規定する期間，優先権主張のための期間，1972年6月30日勅令No.540第4条(3)の適用のために遵守すべき期間又は本勅令第27条(2)の規定に従い指定された期間には適用することができない。例文帳に追加

4.The provisions of this Article shall not apply to the time limit referred to in paragraph 2, to the time limit for claiming priority rights, to the time limit to be complied with for the application of Article 4.3 of Presidential Decree No. 540 of June 30, 1972, or to the time limit set in accordance with Article 27.2 of this Decree. - 特許庁

両端が他の部材と接続可能な少なくとも１本の電線からなるハーネス６と、ハーネス６の配線処理の際に余長を設けた位置に目印８が明示された機器構成部材３と、前記余長を有した状態でハーネス６を固定する固定部材７ａとを備えるものである。例文帳に追加

The electronic equipment comprises the harness 6 including at least one electric wire whose both ends are connectable to other members, an equipment constituting member 3 wherein a mark 8 is clearly indicated at the position where a marginal length is provided when processing wiring of the harness 6, and a fixing member 7a which fixes the harness 6, with the marginal length being provided. - 特許庁

(3) 特許クレームが単一の包括的な発明概念を形成しない複数の発明を含んでいる場合において，特許庁から請求を受けたときは，出願人は，特許庁が指定した期間内に，単一性の要件に違反している発明を特許出願から分離しなければならない。(2)は，分離された発明に適用する。例文帳に追加

(3) If patent claims contain several inventions not forming a single general inventive concept, the applicant shall separate the inventions which violate the requirement of unity from the patent application at the request of the Patent Office within the term set by the Patent Office. Subsection (2) of this section applies to separated inventions.発音を聞く  - 特許庁

ＩＣチップ２と一対のアンテナ３とを有し、静電結合方式により無線通信可能なデータキャリヤ１を搭載した搬送体１０であり、一対のアンテナ３と夫々電気的に連結している一対の拡張アンテナ領域４を搬送体上に形成し、かつ、一対の拡張アンテナ領域４ａ及び４ｂを異なる平面上に設けた。例文帳に追加

This conveyer 10 has an IC chip 2 and a pair of antennae 3, and mounts a data carrier 1 enabling an electrostatic coupling type radio communication, a pair of extended antenna zones 4 electrically connected with the pair of antennae 3, respectively, are formed on the conveyer, and the pair of extended antenna zones 4a and 4b are provided on different surfaces. - 特許庁

ｎ^+型基板１によってソース領域を構成し、ｎ^+型基板１の主表面にトレンチ２を形成したのち、トレンチ２内にｐ型ベース領域３、ｎ^-型ドリフト領域４およびｎ^+型ドレイン領域５を順にエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

A source region is formed by an n^+-type substrate, a trench 2 is formed on a principal surface of the n^+-type substrate, and then a p-type base region 3, an n^--type drift region 4, and an n^+-type drain region 5 are sequentially epitaxially grown in the trench 2. - 特許庁