たきなみちょう２ちょうめの英語

コヒーレント光源を、第１の波長を有する半導体レーザ１と、半導体レーザ１の波長を半分にするための波長変換素子としての光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２と、波長分離機能７と、回折格子８と、受光素子９とにより構成する。例文帳に追加

The coherent light source comprises the semiconductor laser 1 having a first wavelength, an optical waveguide type QPM-SHG device 2 as a wavelength conversion element for reducing the wavelength of the semiconductor laser 1 to half, a wavelength splitting function 7, a diffraction grating 8, and a light-receiving element 9. - 特許庁

光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２の光導波路形成面と反対側の面に、調整治具９によって保持することのできる保持部材６を取り付ける。例文帳に追加

A holding member 6 capable of holding an adjusting jig 9 is fitted to a surface on a side opposite to the optical waveguide forming surface of the device 2. - 特許庁

更に基板２から出射した基本波Ａ１、Ａ２、７の出力と第二高調波Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、８の出力とを測定する測定手段１８Ａ、１８Ｂと、基本波の出力の測定値と第二高調波の出力の測定値とに応じて、光導波路３の端面から出射する第二高調波８の出力を制御する出力制御手段２０を備えている。例文帳に追加

Moreover, this device is provided with measuring means 18A and 18B which measure the outputs of fundamental waves A1, A2 and 7 emitted from the substrate 2 and the outputs of second higher harmonics B1, B2, B3 and 8 and an output control means 20 which controls the output of the harmonic 8 emitted from the end face of the waveguide 3. - 特許庁

Ｓｉ基板上に（１００）ＫＮｂＯ_3をエピタキシャル成長させ、高周波化に対応できｋ^2が高く温度特性も良い薄膜を用いた表面弾性波素子及びこれを備えた周波数フィルタ、発振器、電子回路、並びにこれらを適用した電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave element using a thin film formed by applying epitaxial growth of (100)KNbO_3 to the surface of a Si substrate, capable of corresponding to high frequency and having high k^2 and a fine temperature characteristic, a frequency filter, an oscillator and an electronic circuit provided with the surface acoustic wave element, and electronic equipment to which these components are applied. - 特許庁

Ｓｉ基板上に（００１）配向ＫＮｂＯ_3をエピタキシャル成長させ、高周波化に対応できｋ^2が高く温度特性に優れる表面弾性波素子、及びこれを備えた周波数フィルタ、発振器、電子回路、並びにこれらを適用した電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave element formed by epitaxial growth of (001) orientation KNbO_3 on a Si substrate, capable of corresponding to high frequency and having high k^2 and a fine temperature characteristic, a frequency filter, an oscillator and an electronic circuit provided with the surface acoustic wave element, and electronic equipment to which these components are applied. - 特許庁

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。例文帳に追加

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process. - 特許庁

本発明の光源装置１は、放電管１１と放電管１１に接続された電極１０Ａ，１０Ｂとを備えた放電ランプ４を楕円型共振器２の第１焦点ｑ１に配置し、放電ランプ４にマイクロ波を供給する給電アンテナ８を楕円型共振器２の第２焦点ｑ２に配置したことを特徴とする。例文帳に追加

As for the light source device 1, a discharge lamp 4 equipped with a discharge tube 11 and electrodes 10A, 10B connected to the discharge tube 11 is arranged at a first focus q1 of an oval resonator 2, and a feeding antenna 8 to supply the microwave to the discharge lamp 4 is arranged at a second focus q2 of the oval resonator 2. - 特許庁