どいちょう４ちょうめの英語

これにより、炭化珪素単結晶４が成長すると共に、多結晶成長部材１３の表面１３ｃに炭化珪素単結晶４と同等の高さとなる多結晶６が成長する。例文帳に追加

Thereby, the silicon carbide single crystal 4 grows, and a polycrystal 6 simultaneously grows in the same height as the silicon carbide single crystal 4 on the surface 13c of the polycrystal growth member 13. - 特許庁

装置本体２の前面には通帳挿入ガイド４が設けられ、この通帳挿入ガイド４の通帳挿入口には第２の光学センサ９と、搬送ローラ２０と、第１の光学センサ５とが通帳搬送方向に沿って設けられている。例文帳に追加

A passbook insertion guide 4 is provided on the front surface of a device body 2, and second optical sensors 9, a carrying roller 20, and first optical sensors 5 are provided in the passbook insert port of the guide 4 along the passbook carrying direction. - 特許庁

慶長4年（1599年）、珠姫（前田利常室、前田光高の母）を江戸城で出産。例文帳に追加

In 1599, Sugen-in bore Tamahime (wife of Toshitsune MAEDA, and mother of Mitsutaka MAEDA) in Edo-jo Castle.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

佐竹義直（さたけよしなお、慶長17年（1612年）-明暦2年閏4月8日(旧暦)（1656年5月31日））は江戸時代の人物。例文帳に追加

Yoshinao SATAKE (1612 - May 31, 1656) was a person in the Edo period.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

４’−Ｏ−メチルピリドキシンおよび／またはビフラボンの含有量が低いイチョウ抽出物例文帳に追加

GINKGO EXTRACT WITH LOW CONTENT OF 4'-O-METHYLPYRIDOXINE AND/OR BIFLAVONE - 特許庁

明治5年（1872年）1月には大阪鎮台司令長官に就任、明治7年（1874年）4月に名古屋鎮台司令長官に移るが、明治10年（1877年）5月には大阪鎮台司令長官を兼ねた（同年中に兼職を免ぜられる）。例文帳に追加

He was appointed Commander of Osaka Garrison in February 1872 and transferred to Commander of Nagoya Garrison in April 1874, though he served concurrently as Commander of Osaka and Nagoya Garrisons in May 1877 (he was relieved from serving as Commander of Osaka Garrison later the same year).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。例文帳に追加

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2. - 特許庁

そして、その表面に、エッチピット１ｂの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてＳｉＣ成長層４をエピタキシャル成長させることで、ＳｉＣ成長層４に転位が引き継がれないようにする。例文帳に追加

When an SiC growth layer 4 is epitaxially grown on the surface of the etch pit 1b in such a condition that portions grown in the side wall parts of the etch pit 1b are brought into contact mutually, the dislocation is prevented from being transferred to the SiC growth layer 4. - 特許庁