また、研磨液として、研磨砥粒を含まないｐＨ１０．５〜ｐＨ１３のＫＯＨ溶液を使用する。例文帳に追加

In addition, a KOH solution of pH 10.5-13 containing no polishing particles is used as a polishing liquid. - 特許庁

レーザー光をウェハー１５に向けて発射し、ウェハー１５からの反射光を検知する。例文帳に追加

A laser beam is emitted toward a wafer 15, and a reflected light from the wafer 15 is detected. - 特許庁

底部ウェハー１０Ａと積層ウェハー１０Ｂとの間にはバンプ・パッドは配置されない。例文帳に追加

No bump pad is arranged between the bottom wafer 10A and the stacked wafer 10B. - 特許庁

底部ウェハー１０Ａと積層ウェハー１０Ｂはその間の接着層４１により接合されている。例文帳に追加

The bottom wafer 10A and the stacked wafer 10B are bonded by an adhesive layer 41 interposed therebetween. - 特許庁

バハーイー教暦の正月、Naw-Rúzは春分3月21日。例文帳に追加

The new year of the Baha'i Calendar, Naw-Rúz is the vernal equinox, March 21st.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

バハーイ教の教育者または信奉者例文帳に追加

a teacher of or believer in Bahaism発音を聞く  - 日本語WordNet

この場合、ｐＨ１０．３以上のイオン水を用いて研磨を行う。例文帳に追加

Herein the ionic water for use in polishing is pH 10.3 or more. - 特許庁

つぎに、ウエハー１１の裏面に形成された酸化膜１３をウエハー１１の外周端部から所定の幅を残して除去する。例文帳に追加

The oxide film 13 formed on the rear surface of the wafer 11 is then removed while leaving a part of the wafer 11 corresponding to a predetermined width from its outer peripheral end. - 特許庁

その後、この閾値を用いて研磨対象のウェハー１１を研磨する。例文帳に追加

Then the wafer 11 to be polished is polished using the threshold. - 特許庁

キャリアウェハー１０と、キャリアウェハー１０の一面に接合されたそれより小さいウェハー片２１と、キャリアウェハー１０上でウェハー片２１の周囲の空間を埋め込む充填材層３０を有する。例文帳に追加

A wafer body structure includes a carrier wafer 10, a wafer chip 21 that is bonded on one side of the carrier wafer 10 and smaller than the carrier wafer, and a filling layer 30 filling the space around the wafer chip 21 on the carrier wafer 10. - 特許庁

ウエハー１０を吸着した状態で、設置面２ａと突起３Ａとウエハー１０とによって形成された空間１１内にバックサイドガスを流すことで、ウエハー１０の温度分布を均一化させる。例文帳に追加

The temperature on the wafer 10 is equalized by making a back side gas flow in the space 11 made by the surface 2a, the projection 3A, and the attracted wafer 10. - 特許庁

バハーイ教は公共の儀式も聖礼典も開かず、個々に祈りを行う例文帳に追加

Bahaism has no public rituals or sacraments and praying is done in private発音を聞く  - 日本語WordNet

使用する強アルカリ性水とは、ＰＨ１２．５〜１３の水。例文帳に追加

The strong alkaline water to be used is water of PH 12.5 to 13. - 特許庁

集積回路装置１００は、第１の環状誘電体ブロック２１Ａを有する底部ウェハー１０Ａと、底部ウェハー１０Ａ上に配置される、第２の環状誘電体２１Ｂを有する少なくとも１つの積層ウェハー１０Ｂと、実質的に直線状に底部ウェハー１０Ａ中へと積層ウェハー１０Ｂを貫通する導電性ビア４９とを備える。例文帳に追加

An integrated circuit device 100 includes: a bottom wafer 10A having a first annular dielectric block 21A; at least one stacked wafer 10B arranged on the bottom wafer 10A and having a second annular dielectric block 21B; and a conductive via 49 penetrating through the stacked wafer 10B into the bottom wafer 10A in a substantially linear manner. - 特許庁

セラミックウェハー１１及び当該セラミックウェハー１１の一方の主面に形成された回路層１２を含む１次加工ウェハー１０を複数用意し、複数の１次加工ウェハー１０を同じ向きで順に貼り合わせてウェハー積層体１５を形成する。例文帳に追加

A plurality of primarily processed wafers 10 each including a ceramic wafer 11 and a circuit layer 12 formed on one surface of the ceramic wafer 11 are prepared, and the primarily processed wafers 10 are sequentially pasted in the same direction to form a wafer laminate 15. - 特許庁

蛍光ランプＬａのフィラメントＦ１，Ｆ２には予熱電源ＰＨ１，ＰＨ２が接続される。例文帳に追加

Pre-heating power source PH1, PH2 is connected to the filaments F1, F2 of the fluorescent lamp La. - 特許庁

センサ感度を向上した擬似参照電極一体型光ｐＨイメージセンサを提供する。例文帳に追加

To provide a pseudo reference electrode integrated optical pH image sensor with higher sensor sensitivity. - 特許庁

半導体ウェハー１２は、回転するウェハー支持台１３に固定され回転する。例文帳に追加

A semiconductor wafer 12 is fixed to a rotating wafer support rest 13 and is rotated. - 特許庁

前記酸処理は、ｐＨ１〜６、温度８０℃以上、の条件下で行うことができる。例文帳に追加

The acid treatment can be performed under the condition at pH 1-6 and ≥80°C. - 特許庁

ウエハー１を保護部材４とともに切断（ダイシング）して複数に分割する。例文帳に追加

The wafer 1 is diced along with the protection member 4 into a plurality of pieces. - 特許庁

等間隔のアレイ状の突起５０４が形成されたサセプター１０２で被処理ウエハー１０３を支持することにより、被処理ウエハー１０３とサセプター１０２との接触する部分が被処理ウエハー１０３の表面全面に対して均等に点接触し、限りなく面接触に近い状態となるので、被処理ウエハー１０３の温度分布が均一になる。例文帳に追加

The wafer 103 to be processed is supported by a susceptor 102 having an array of evenly spaced projections 504 formed thereon, so that the contacts between the wafer 103 to be processed and the susceptor 102 are evenly in point contact with the whole surface of the wafer 103 to be processed to almost realize surface contact, thereby making uniform the temperature distribution in the wafer 103 to be processed. - 特許庁

ウエハー１を保護部材４とともに切断（ダイシング）して複数に分割する。例文帳に追加

The wafer 1 is cut (diced) together with the protective member 4 into a plurality of pieces. - 特許庁

ｐＨ１１以上の強アルカリ電解水と柑橘類の種子から抽出した成分を含む。例文帳に追加

The composition contains strong alkali electrolytic water having a pH of ≥11 and components extracted from a seed of a citrus fruit. - 特許庁

電子パターン形成システム１００では、電子ビーム１ａをウエハー１２０に投影する。例文帳に追加

An electron pattern forming system 100 projects an electron beam 1a onto a wafer 120. - 特許庁

さらに、前記抽出工程を、平衡ｐＨ１．８以上３以下の条件にて行う。例文帳に追加

Further, the extraction step is performed under the conditions where equilibrium pH is 1.8 to 3. - 特許庁

まず、ウエハー１０１の裏面中央部の厚みを外周端部から所定の幅を残して減じる。例文帳に追加

The thickness of the backside center portion of the wafer 101 is reduced first leaving a predetermined width from the outer peripheral end portion. - 特許庁

そして、切断位置調節用マークを用いて半導体ウエハー１００をチップ状に切断する。例文帳に追加

Then, the semiconductor wafer 100 is cut in a shape of a chip by using the cutting position adjusting mark. - 特許庁

焼却灰の排水をｐＨ１０以下、好ましくは７以下に調整した後、電気分解処理する。例文帳に追加

The waste water of the incineration ash is adjusted to ≤10 pH, preferably to ≤7 pH and then is subjected to electrolytic treatment. - 特許庁

部材３は、この溶射膜２を介して接合手段５によりウエハー１に接合されている。例文帳に追加

The member 3 is bonded to the wafer 1 through the sprayed film 2 by the bonding means 5. - 特許庁

原発性高蓚酸尿症Ｉ型（ＰＨ１）の病因となるアラニン：グリオキシル酸アミノトランスフェラーゼ（ＡＧＴ）遺伝子の変異を明らかにし、これを利用するＰＨ１の診断方法を提供する。例文帳に追加

To clarify the mutation of alanine: glyoxylic acid aminotransferase (AGT) gene causing type I primary hyperoxaluria (PH1) and provide a method for the diagnosis of PH1 using the gene. - 特許庁

ウエハー１の半導体素子形成側の表面にトレンチを形成するド ライエッチングと、前記ウエハー１の裏面全面を薄層化するドライエッチング を、同じ雰囲気中で同時に行う。例文帳に追加

Dry etching for forming the trench on the surface on a semiconductor element forming side of the wafer 1 and dry etching for making the entire back surface of the wafer 1 into the thin layer are simultaneously performed in the same atmosphere. - 特許庁

酸性ｐＨ域の素材が含まれた寒天溶液のゲル化物が粉砕又は微細に切断されていることを特徴とする酸性ｐＨ域の素材含有寒天組成物である。例文帳に追加

This agar composition containing the raw material of an acid pH range has a crushed or finely cut gelled product of an agar solution containing the raw material of an acid pH range. - 特許庁

回転速度制御手段１６は、この検出結果により洗浄液１１０の吐出位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍のとき、モーター６を制御してウェハー１０４の回転速度を抑制する。例文帳に追加

Based on this detected result, a rotational speed control means 16 controls a rotational speed of the wafer 104 by controlling a motor 6 if the ejecting position of the cleaning liquid 110 is in the vicinity of the edge 106 of the wafer 104. - 特許庁

ｐＨ１１．０−１３．７のアルカリ性水溶液に、内視鏡の挿入部チューブを浸漬すること。例文帳に追加

The insertion tube of the endoscope is immersed in an alkali solution of 11.0 to 13.7 in pH. - 特許庁

さらに表面に、ｐＨ１０以上の水性活物質を含む皮膜を形成させた。例文帳に追加

Furthermore, on the surface, a film is formed which contains water-based active material with pH 10 or more. - 特許庁

そして、チップ状に切断されたウエハー１０１をＵＶ硬化型接着剤１２１から剥離する。例文帳に追加

Then the wafer 101 in the chip shape is peeled off the UV curing adhesive 121. - 特許庁

上型１１と中間型１２により形成したキャビティ２０にウェハー１を配置する。例文帳に追加

The wafer is arranged in a cavity 20 formed by an upper mold 11 and a middle mold 12. - 特許庁

このようにして従来不可能だった割れたウェハー１５の検知も確実にできる。例文帳に追加

In this way of detection of the broken wafer 15 that was not on heretofore is surely achieved. - 特許庁

さらに表面にｐＨ１０以上の水性活物質を含む皮膜を形成させた。例文帳に追加

Further, a film containing a water base active substance of pH ≥10 is formed on the surface of the aluminum foil. - 特許庁

手押し式搬送台車１１０の往動経路ＰＨ１と復動経路ＰＨ２を設けた。例文帳に追加

An outgoing path PH1 and an incoming path PH2 of the hand- carrying truck 110 are provided. - 特許庁

現像を行う露光済みのレジストが形成されたウエハー１を真空チャック２に保持した後、真空チャック２を回転させ、現像ノズル８から半導体ウエハー１上に現像液を吐出する。例文帳に追加

After a wafer 1, where an exposed resist for development is formed, is held by a vacuum chuck 2, the vacuum chuck 2 is rotated and developer is discharged from a development nozzle 8 on the semiconductor wafer 1. - 特許庁

よって洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少なく、洗浄液１１０がウェハー１０４周辺に設けた覆い１１２に付着することを抑制できる。例文帳に追加

Therefore, even if the cleaning liquid 110 is ejected at the edge 106 of the wafer 104, not much cleaning liquid 110 is scattered and it can be controlled that the cleaning liquid 110 attaches to a cover 112 arranged on the periphery of the wafer 104. - 特許庁

試験したマイナスイオン水は、通常ではｐＨ１２以上を有し、菌の繁殖が不可能な領域（高アルカリ性菌でｐＨ１０．５）にあるが、肌に触れると弱酸性に中和される性質を持っている。例文帳に追加

The tested minus ion water ordinarily has the pH of ≥12 and lies in a region where the propagation of bacteria is impossible (pH 10.5 by high alkaline bacteria), but is neutralized into weak acid when being contacted with skin. - 特許庁

また、第２の圧力制御弁１６は、空気極入口圧力ＰＡ１と水素極入口圧力ＰＨ１とが導入され、これらの差圧ＰＡ１−ＰＨ１が大きいほど通路の開度を大きくし、差圧ＰＡ１−ＰＨ１を所定圧以下に制御する。例文帳に追加

The regulation valve 16 is so controlled that the pressure PA1 and the hydrogen electrode entrance pressure PH1 are introduced; and the opening of a passage is increased as the differential pressure PA1-PH1 increases so as to set the differential pressure PA1-PH1 below a predetermined value. - 特許庁