ジルコン結晶の英語

第１圧電体膜１５と第２圧電体膜１６とが、同じ金属材料（チタン酸ジルコン酸鉛）であることから、第２圧電体膜１６を、第１圧電体膜１５との界面から結晶成長させていくことが可能となる。例文帳に追加

Since the first and second piezoelectric films 15 and 16 are made of the same metal material (lead zirconate titanate), the second piezoelectric film 16 can be crystal-grown from an interface between itself and the first piezoelectric film 15. - 特許庁

オーバーフローダウンドロー法によって成形された肉厚５００μｍ以下の薄板ガラスにおいて、一次ジルコン結晶粒子による偏肉の発生を可及的に低減する。例文帳に追加

To provide thin plate glass formed by an overflow down draw method and having ≤500 μm thickness in which the occurrence of uneven thickness due to a primary zirconium crystal grain is reduced as much as possible. - 特許庁

温度２５℃における結晶形が正方晶で、正方晶から立方晶への相転移温度が２５０℃以上のチタン酸ジルコン酸鉛系組成物からなる圧電セラミックスである。例文帳に追加

The piezoelectric ceramics is made of a lead zircorate titarate composition, shows a tetoragonal crystal shape at a temperature of 25°C, and has a phase transfer temperature in transformation from a tetoragonal form to a cubic form of 250°C or higher. - 特許庁

チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電材料を、該圧電材料の室温における結晶系が、上記加熱処理によって菱面体晶相から正方晶相へ相転移するよう、モルフォトロピック相境界より菱面体晶相側に設定する。例文帳に追加

In a titanate zirconate lead based piezoelectric material, crystal system of the piezoelectric material under room temperature is set closer to the rhombohedral phase side than the boundary of morphotropic phase so that transition is made from rhombohedral phase to tetragonal phase by heat treatment. - 特許庁

この際、成形体１の表面を構成する一次ジルコン結晶粒子の剥離の発生量を抑制するために、成形体１の外表面を流れる溶融ガラスＧｍの粘度を、成形体１の外表面全域で３０００ｄＰａ・ｓ以上３００００ｄＰａ・ｓ以下に制御する。例文帳に追加

In doing so, in order to suppress a releasing amount of the primary zirconia crystal grain included in a surface of the forming body 1, viscosity of the molten glass Gm flowing on an outer surface of the forming body 1 is controlled to ≥3,000 dPa s and ≤30,000 dPa s throughout the outer surface of the forming body 1. - 特許庁

単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。例文帳に追加

A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated. - 特許庁

圧電体４１は、結晶構造が正方晶のチタン酸ジルコン酸鉛によって形成されており、平面視において加圧室３１内に収まる範囲において、個別電極４３に重なる駆動部４１ａと、その外周の非駆動部４１ｂとを有する。例文帳に追加

A piezoelectric body 41 is formed with a lead zirconate titanate whose crystalline structure is tetragonal, and has a drive part 41a overlapping an individual electrode 43 and a non-drive part 41b at the external periphery in a range in which the piezoelectric body is installed in a pressurizing chamber 31 in a plane view. - 特許庁

抵抗体組成物は、電気抵抗値の温度係数が正の値、又は絶対値の比較的小さい負の値を示す半導体性セラミック粒子（例えばルチル型結晶構造を有するＴｉＯ２粒子、アルカリ土類金属元素のチタン酸塩あるいはジルコン酸塩、亜酸化チタン等）、あるいは金属チタンを含有するものとして構成される。例文帳に追加

The composition of the resistor body is constituted so as to contain the particles of ceramics with semiconductor nature in which a temperature coefficient of the electrical resistance value shows a positive value or a comparatively small negative value of absolute value (for example TiO2 particles having rutile type crystal structure, titanates or zirconate or the like of an alkaline-earth metal element, and titanium suboxides), or to contain metal titanium. - 特許庁