ダンプ領域の英語

一方、中央処理装置７は、各チェック装置３からの報告データに基づいて、あるダンプカーが監視領域Ａ２に入ってから、当該ダンプカーが監視領域Ａ２から出るまでの通過時間Ｔを算出する。例文帳に追加

The CPU 7 calculates a passage time T from damp truck's entering the monitor area A2 to going out of the area A2 based on report data from each check device 3. - 特許庁

一時的な空き領域を確保できないような、資源制約の厳しい組込み装置においても、メモリダンプを実現する。例文帳に追加

To achieve a memory dump even in a built-in device severe in resource restriction so that a temporary free area can not be secured. - 特許庁

メモリ管理ライブラリ２は、所定のメモリ領域の確保とを行うと共に、ダンプ情報を管理テーブル４に記憶する。例文帳に追加

The library 2 secures a prescribed memory area and also stores dump information in a management table 4. - 特許庁

こうすれば、不純物が高度に添加されたチャネルストップを使用せずに、高速ダンプゲート（ＦＤＧ）下にチャネル領域を形成できる。例文帳に追加

Therefore, a channel area can be formed under the FDG without using a channel top, to which an impurity is added at high level. - 特許庁

警告領域設定部１２０は、ダンプトラック１の走行状態に応じて、障害物の存在を運転者に警告する必要のある警告領域を設定する。例文帳に追加

The warning region setting unit 120 sets a warning region where an operator needs to be warned of the existence of an obstacle according to the running state of a dump truck 1. - 特許庁

メモリダンプ情報を確実に採取することができ、しかもメモリの未使用領域の大小に拘わらずシステム中断期間を短縮化することのできるメモリダンプ機能を提供する。例文帳に追加

To provide a memory dump function capable of certainly collecting memory dump information, and reducing a system suspension period regardless of size of an unused area of a memory. - 特許庁

本発明に係る不揮発性強誘電体メモリ制御装置は、ノマルモード及びダンプモード時内部メモリデータを正常的に処理できるようにするため、ダンプモード制御回路ＦＲＡＭコードセルで構成し、外部メモリ領域を全て内部メモリ領域に割り当てて処理することでダンプモード時全内部アドレスがポートを正常的に使用できるようにする。例文帳に追加

This nonvolatile ferroelectric memory control device is composed of a dump mode control circuit, and FRAM code cells so as to normally process internal memory data in a normal mode and in a dump mode, and is so structured that all the internal addresses can normally use ports in the dump mode by processing them by allotting the entire external memory region to the internal memory region. - 特許庁

高ドレイン−ソース間電圧領域での安全動作領域（順ＳＯＡ）の狭い出力ＭＯＳを有するハイサイドスイッチにおいて、出力ＭＯＳに印加される過電圧（出力負電圧、ダンプサージ）に対して、出力ＭＯＳが劣化および熱破壊することを防ぐことである。例文帳に追加

To prevent an output MOS from being deteriorated and thermally destroyed owing to overvoltage (output negative voltage, damp surge) applied to the output MOS in a high-side switch equipped with the output MOS having a narrow safe operating area (forward SOA) in a high drain-source voltage region. - 特許庁