ポリシリコン側壁の英語

ポリシリコン層５を側壁に形成した分離溝４の内部はシリコン酸化物６を充填する。例文帳に追加

After the polysilicon layers 5 are formed, the groove 4 is filled with a silicon oxide 6. - 特許庁

層はエッチバックし、半導体領域の側壁に沿って、ポリシリコンの層を残す。例文帳に追加

The layer is etched back, and a layer of polysilicon is left along side walls of the semiconductor regions. - 特許庁

その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。例文帳に追加

Thereafter, impurity is diffused from the surface of the second polysilicon layer 110 into the second polysilicon layer 110 by one time of diffusion treatment and, at the same time, impurity diffused into the second polysilicon layer 110 is diffused further from the side wall of the first polysilicon layer 104a toward the inside of the first polysilicon layer 104a. - 特許庁

この異方性エッチングは、第２ポリシリコン電極に側壁生成物を生成し、第１ポリシリコン電極のひさし下のエッチング残存物に充分な側壁生成物が生成されない時点で完了する。例文帳に追加

A side wall product is provided to the second polysilicon electrode by the anisotropic etching process, and the anisotropic etching process is stopped before an enough side wall product is formed on an etching residue below the overhang of the first polysilicon electrode. - 特許庁

本発明の半導体素子の製造方法は、ポリシリコン膜２１上にＳｉＯ_２ 膜２２をパターンニングし、ＳｉＯ_２ 膜２２を覆うようにポリシリコン膜２３を堆積した後、ＳｉＯ_２ 膜２２の側壁部分にポリシリコン電極２３ａを形成する。例文帳に追加

In this method of manufacturing a semiconductor element, a SiO_2 film 22 is patterned on a polysilicon film 21, a polysilicon film 23 is deposited to cover the SiO_2 film 22, and thereafter polysilicon electrodes 23a are formed on sidewall parts of the SiO_2 film 22. - 特許庁

次に、第１主面１０１の島状積層体１０８を含む上側全面に第２ポリシリコン層１１０を形成して、島状積層体１０８の側壁で第１ポリシリコン層１０４ａと第２ポリシリコン層１１０とを接合させる。例文帳に追加

Next, a second polysilicon layer 110 is formed on the upper side whole surface including the island-type laminate 108 of the first principal surface 101 to connect the first polysilicon layer 104a and a second polysilicon layer 110, through the side wall of the island-type laminate 108. - 特許庁

次いで、ＭＯＳＦＥＴのゲート幅を規定する１層目のポリシリコン膜４，４'の上、及び、側壁ＳｉＮ膜６の上にＳｉＯ2膜８を介して、ポリシリコン膜４，４'よりも幅広の２層目のポリシリコン膜を形成し、その２層目のポリシリコン膜をシリサイド化して、チタンシリサイド層１２を形成する。例文帳に追加

Subsequently, on the poly-silicon films 4, 4' of a first layer prescribing a gate width of a MOSFET and on a sidewall SiN film 6, the poly-silicon films of a second layer wider than the poly-silicon films 4, 4' are formed through a SiO2 film 8, and the poly-silicon films of the second layer are silicified to form a titanium silicide layer 12. - 特許庁

次に、ポリシリコン層の側壁が、ＳｉＧｅ層に対して選択的に横方向にエッチングされて、ＳｉＧｅ層がその下にあるポリシリコン層より幅広い、ノッチ型ゲート導体構造を作り出す。例文帳に追加

Next, a side wall of the polysilicon layer is selectively etched in the transverse direction against the SiGe layer, and a notch gate conductor structure having the SiGe layer wider than the polysilicon layer thereunder is formed. - 特許庁