その後、プローブ部１１をダミープローブ部７１から取り除き、ダミープローブ部７１に設けられたＭＲマーカーから発生する磁気共鳴信号をＭＲＩ装置で受信し、画像診断を行う。例文帳に追加

Thereafter, the probe part 11 is removed from the dummy probe part 71, and a magnetic resonance signal generated from the MR marker provided at the dummy probe part 71 is received by the MRI apparatus to perform diagnostic imaging. - 特許庁

一括防水型の防水部材に形成されたコンタクト挿入口から容易に引き抜くことができるダミープラグを提供する。例文帳に追加

To provide a dummy plug which can be pulled out easily from a contact insertion port formed in an overall waterproof type waterproof member. - 特許庁

本発明の外付けコンセント１０は、複数のプラグ差込口１４を有する電気絶縁性の合成樹脂でなる筐体１３にダミープラグ栓刃１３ｅを一体成形した。例文帳に追加

The external outlet 10 has a dummy plug prong 13e molded integrally with a casing 13 made of an electrically insulating synthetic resin and having a plurality of plug slots 14. - 特許庁

そして、水素プラズマあるいは水素ラジカルを含む水素活性種を照射し、キャップ層１６表面の不要な捕獲兼用樹脂膜１ａをエッチング除去してダミープラグ２を形成する。例文帳に追加

It is then irradiated with hydrogen plasma or hydrogen active species, containing hydrogen radicals and unnecessary concurrent capturing resin film 1a on the surface of the cap layer 16 is removed by etching thus forming a dummy plug 2. - 特許庁

半導体基板１上の炭素含有シリコン酸化膜５にビアホ−ル８を形成した後、ビアホ−ル８内にダミープラグ９を形成し、その後、半導体基板１を酸雰囲気１０にさらす。例文帳に追加

After the via-hole 8 is formed in a carbon contained silicon oxide film 5 on a semiconductor substrate 1, a dummy plug 9 is formed in the via-hole 8, and then the semiconductor substrate 1 is exposed to an oxygen atmosphere 10. - 特許庁

一方、各層のダミーパターン１０２間には、ダミーパターン１０２を所定電位の端子に導通させるためのダミープラグ１０６が形成されている。例文帳に追加

On the other hand, between the dummy patters 102 in each layer, a dummy plug 106 for bringing the dummy pattern 102 into conduction with a terminal at a predetermined potential is formed. - 特許庁

ウェーハ研磨ヘッド１０１（１，１００）においては、本発明の方法を実施可能とするために、該ウェーハ研磨ヘッド１０１（１，１００）の備える可撓膜２にダミープレート１０が貼着されて、これらが一体に構成されている。例文帳に追加

In order to implement this inventive method, the dummy plate 10 is stuck to the flexible film 2 of the wafer polishing head 101 (1, 100) to the integrated with the film. - 特許庁

ダミー動作領域ＤＯＡ１及びＤＯＡ２において、互いに隣接するダミープリアンプＤＰＡの正出力間及び負出力間に設けられた複数のダミー用アベレージング抵抗ＤＲＡｐ及びＤＲＡｎを有している。例文帳に追加

A plurality of dummy averaging resistors DRAp and DRAn are provided between positive outputs and between negative outputs of dummy preamplifiers DPA adjacent to each other in dummy active regions DOA1 and DOA2. - 特許庁

磁石素体１の表面に樹脂塗膜を形成した後、磁石素体１の周囲の少なくとも一部にダミー部材（ダミープレート２ａ〜２ｄ）を配置した状態でガスを吹き付けて塗膜を乾燥し、樹脂被膜とする。例文帳に追加

After a resin film coating is formed in the front surface of the magnet element assembly 1, gas is sprayed in the state that the dummy component (dummy plates 2a-2d) has been arranged on the part of ambients at least of the magnet element assembly 1, and the film coating is dried to the resin coating. - 特許庁

ダミーコネクター内部で配線コネクターが密閉されることによって、雨水や埃、オイルなどの異物が内部に浸透されず、長期間に亘って安全性を保つことができる、ダミープラグを提供すること。例文帳に追加

To provide a dummy plug, capable of maintaining safety over a long period of time, without the rain water, dust, oil and other foreign matters infiltrating the inside, by having a wiring connector sealed inside a dummy connector. - 特許庁

真空チャンバ７は、内部に部材基板１０１５を上面にて静電気力で固定して部材基板１０１５の変形を抑制するための基板変形抑制治具６を有し、コンディショニング用基板であるダミープレート４が、ダミー枠５を介して部材基板１０１５に対向して配置されている。例文帳に追加

The vacuum chamber 7 comprises inside a substrate deformation suppressing fixture 6 for suppressing the deformation of the member substrate 1015 by fixing the member substrate 1015 at the upper face by electrostatic force and a dummy plate 4 which is a conditioning substrate is arranged opposed to the member substrate 1015 through a dummy frame 5. - 特許庁

データ処理装置１は不正操作検出手段１５がプログラムコードの解析が行われていると判定した場合、以降の処理で暗号化されたプログラムコードを使用せずに暗号化されたダミープログラムを使用するかあるいは処理を中止する。例文帳に追加

When the illegal operation detecting means 15 detects the program code being analyzed, the data processor 1 does not use the program code deciphered in following processing, and uses a ciphered dummy program or quits the processing. - 特許庁

接続認識部５ａは、このティーチングペンダントＴＰが接続され、他の接続プラグにダミープラグが接続されていると認識した場合、ワーク搬送ロボットＲを停止し、搬送制御状態から教示処理状態に移行する。例文帳に追加

The connection recognizing part 5a transfers to a teaching processing state from a carry control state by stopping the work carrying robot R when recognizing that the teaching pendant TP is connected and the dummy plugs are connected to the other connecting plugs. - 特許庁

外層金属箔と、互いに隔てられた回路群を同一面上に有する内層回路板とをプリプレグを介して積層成形することからなる多層プリント配線板の製造方法において、内層回路板の回路のない領域に相似するパターンを形成したダミープリント基板をプレスの段内位置に入れて加熱加圧する。例文帳に追加

Concerning the producing method for a multilayer printed wiring board constituted by laminating and molding through a prepreg outer layer metal foil and an inner layer circuit board having mutually separated circuit groups on the same face, a dummy printed circuit board with which a similar pattern is formed in the area with no circuit on the inner layer circuit board is placed at the stage internal position of a press, heated and pressed. - 特許庁

そして、２００℃程度の温度でベーク処理を施した後に、水素ガス、あるいは水素ガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ励起し、水素活性種である水素プラズマ１３を樹脂膜１１表面に照射して行う樹脂膜１１のエッチバックによりキャップ層１０６表面の不要な樹脂膜１１を除去し、ビアホール１１０を充填するダミープラグ１２を形成する。例文帳に追加

Following to baking at a temperature of about 200°C, hydrogen gas or mixture gas of hydrogen gas and an inert gas is subjected to plasma excitation and the surface of the resin film 11 is irradiated with hydrogen plasma 13 of hydrogen active species and unwanted resin film 11 on the surface of the cap layer 106 is removed by etching back of the resin film 11, thus forming a dummy plug 12 filling the via hole 110. - 特許庁

本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、プログラム開始パルスのパルス幅よりも広いパルス幅を有するダミープログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム開始パルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作によりプログラムが完了したかを検証する段階を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The programming method of the nonvolatile memory device includes steps of: performing program operation by applying a dummy program pulses having a pulse width wider than that of a program start pulse; performing a program operation by applying the program start pulses; and verifying whether the program is completed by the program operation. - 特許庁

また、本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第２のパルス幅を有し、第２のステップ電圧ずつ増加する階段状ダミープログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、第１のステップ電圧及び第１のパルス幅を有するプログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作によりプログラムが完了したかを検証する段階を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The programming method of the nonvolatile memory device further includes steps of: performing a program operation by applying stepwise dummy program pulses having a second pulse width and increasing the program pulses by a second step voltage; performing a program operation by applying program pulses having a first step voltage and a first pulse width; and verifying whether the program is completed by the program operation. - 特許庁