再結晶温度の英語

その製造方法は、７００℃以上再結晶温度Ｔｓ以下の温度域で熱間圧延を終了し、再結晶温度Ｔｓ以下の温度域での総圧下率を１５％以上とし、熱間圧延後５００℃超８５０℃未満の温度域で巻き取り、続いて強制的に冷却する。例文帳に追加

In the production method therefor, the steel is hot-rolled so as to be finished at 700°C to a recrystallization temperature Ts, the total draft in the temperature range of the recrystallization temperature Ts or below is controlled to ≥15%, and, after the hot rolling, it is coiled in the temperature range of >500 to <850°C, and is successively subjected to forced cooling. - 特許庁

このような結晶は、５０〜７０℃の温度範囲で１時間以上保持する条件で再結晶化することによって得られる。例文帳に追加

Such the crystal is obtained by recrystallization under a condition of holding for ≥1 hr within a temperature range of 50-70°C. - 特許庁

高強度・高再結晶温度の高融点金属系合金材料とその製造方法例文帳に追加

ALLOY MATERIAL OF HIGH MELTING-POINT METAL HAVING HIGH STRENGTH AND HIGH RECRYSTALLIZATION TEMPERATURE, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

引き続き行われる二次再結晶焼鈍もしくは純化焼鈍は、焼鈍温度1050℃以上で行う。例文帳に追加

The successive secondary recrystallization annealing or purification annealing is carried out at ≥1,050°C annealing temperature. - 特許庁

例えば、再結晶温度（７５０℃程度）〜９５０℃以下の範囲内で加熱を行ったものとする。例文帳に追加

For example, the iron and steel is heated in a recrystallization temperature range from (about 750°C to 950°C). - 特許庁

高純度金の再結晶温度を正確かつ経済的に測定する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for correctly and economically measuring the crystallization temperature of high purity gold. - 特許庁

昇華再結晶法による炭化珪素単結晶等の製造において、種結晶及び成長結晶の表面温度の径方向の均一化効果が顕著で、高品質でかつ長尺の単結晶の製造を可能とする遮蔽部材及びそれを備えた単結晶成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a shield member and an apparatus for growing a single crystal equipped with the member, which can produce a high quality and long-sized single crystal by virtue of prominent effects in uniformizing surface temperatures of the seed crystal and the grown crystal in the radial direction, in the production of a silicon carbide single crystal, etc., by a sublimation recrystallization method. - 特許庁

出発材料としては予め結晶粒がマクロ化処理されたものを用いるか、結晶析出処理を施す前に再結晶化温度以上に加熱処理して結晶粒のマクロ化を施すことが好ましい。例文帳に追加

It is preferable to use a material having crystal grains previously enlarged as a starting material, or enlarge the crystal grains by heat-treating a material at a recrystallization temperature or higher before carrying out the crystal-highlighting treatment. - 特許庁