列伝体の英語

並列伝送路全体における最小遅延量と最大遅延量とを持つように調整された２本の制御用伝送路３１ａ，３１ｂを設ける。例文帳に追加

Two control transmission lines 31a and 31b are adjusted to a minimum delay and a maximum delay in all parallel transmission lines. - 特許庁

ゆえに、史記に代表される紀伝体の、本紀や列伝などの分類による叙述ではなく、師弟順によって編年体的に編集されている。例文帳に追加

It was consequently compiled in chronological order by pairs of a teacher and a student and was not organized by category as in hongi (biographical records) or retsuden (a series of biographies) that were written in style of biographical historiography represented by Shiki (the Chinese Historical Records).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

紀伝体の史書で、本紀（帝王）73巻、列伝（后妃・皇子・皇女を最初に置き、群臣はほぼ年代順に配列、時に逆臣伝・孝子伝といった分類も見られる）170巻、志・表154巻、全397巻226冊（目録5巻）。例文帳に追加

The history book is written about events and consists of the 397 volumes with 226 books, and the first seventy three volumes are honki (about the emperors), next 170 volumes are retsuden (retsuden describes empresses, prince and princesses and courts chronologically while it is sometimes classified as gyakushinden or koshiden) and the last 154 volumes are shi and hyo (five catalogues).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

平安時代末期の清和源氏・桓武平氏の争いから始まり、北条氏・楠木氏・新田氏・足利氏・毛利氏・後北条氏・武田氏・上杉氏・織田氏・豊臣氏・徳川氏までの諸氏の歴史を、武家の興亡を中心に家系ごとに分割されて（列伝体）書かれている。例文帳に追加

The book is started from the battle between Seiwa-Genji (Minamoto clan) and Kanmu-Heishi (Taira clan) in the end of Heian period, and the history of various clans, from the Hojo clan, the Kusunoki clan, the Nitta clan, the Ashikaga clan, the Mori clan, the Gohojo clan, the Takeda clan, the Uesugi clan, the Oda clan, the Toyotomi clan, to the Tokugawa clan is described focusing on the rise and fall of the samurai families by dividing the story into each family line (Biographical style.)発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

複数の受光素子を同一半導体基板上にアレイ状に配列させた受光素子アレイ（３ｆ）と、複数の受信回路を集積化したプリアンプＩＣ（３ｇ）とを含む光並列伝送用受信器であって、受光素子アレイ（３ｆ）が裏面入射型受光素子であって、受光素子アレイ（３ｆ）がプリアンプＩＣ（３ｇ）の上面にフリップチップ実装されていることを特徴とする。例文帳に追加

This device is an optical parallel transmitting receiver containing a photodetector array 3f arranging plural photodetectors in an array state on the same semiconductor substrate and a preamplifier IC 3g integrating plural receiving circuits, and the photodetector array 3f is a back incident type photodetector, and the photodetector array 3f is flip chip mounted on the upper surface of the preamplifier IC 3g. - 特許庁

この半導体メモリ装置は、パス及びラッチ部を有し、該パス及びラッチ部は、前記メインデータラインの必要個数を減らすため、前記ブロックセンスアンプアレイ内の対応するブロックセンスアンプと連結されており、前記ブロックセンスアンプからそれぞれ提供される前記複数個のセルデータを並列に受信し、対応する一つのメインデータラインに時分割的に直列伝送する。例文帳に追加

This semiconductor memory has a bus section and a latch section, the bus section and the latch section are coupled to a corresponding block sense amplifier in the block sense amplifier array to reduce the required number of main data line, plural cell data provided respectively from the block sense amplifier are received in parallel, and they are transmitted in series to a corresponding one main data line in time division manner. - 特許庁