実効電界の英語

電界効果トランジスタの周波数特性を等価回路を用いて算出する電界効果トランジスタの回路シミュレーション方法において、高周波領域における表皮効果によるゲート電極の実効的な断面積の減少を考慮してゲート電極の抵抗値を算出し、このゲート電極の抵抗値を用いて電界効果トランジスタの周波数特性を計算する。例文帳に追加

In the circuit simulation method for calculating the frequency characteristics of a field effect transistor using an equivalent circuit, resistance of gate electrode is calculated while taking account of effective decrease of cross-sectional area of a gate electrode due to skin effect in high frequency region and then the frequency characteristics of the field effect transistor are calculated using the resistance of gate electrode. - 特許庁

ゲート電極の平面的な表面積を増大することなく検出感度が実効的に向上した電界効果トランジスタ利用の化学センサーを提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical sensor using an FET which does not increase the planar surface area of a gate electrode and effectively improves detection sensitivity. - 特許庁

実効電界Ｅeffから自由キャリア密度ｎを求め、クーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)と自由キャリア密度ｎとの相関特性を用いてクーロン散乱中心密度N(Ｃoulomb)を求めることを含む物理解析モデル。例文帳に追加

The physical analysis model includes a step of obtaining a free carrier density n from the effective electric field Eeff, and a step of obtaining the Coulomb scattering center density N (Coulomb) using the correlation characteristic between the Coulomb scattering mobility μ (Coulomb) and the free carrier density n. - 特許庁

実効的な移動度を高め、半導体層とソース・ドレイン電極との間の電気的な接触を良好にすることができる電界効果型トランジスタの構成とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide constitution of a field effect transistor that makes electric contact between a semiconductor layer and a source-drain electrode excellent by enhancing effective mobility, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。例文帳に追加

To provide an avalanche photodiode which is capable of supplying desired stable avalanche breakdown voltage and which has an electric field control layer by means of an electron as an effective carrier. - 特許庁

ゲート電極の不純物分布のバラツキを抑え、ＳＴＩエッジ部分への電界集中をより効果的に制御でき、実効チャネル幅が狭くなることを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, capable of suppressing variations in impurity distribution of a gate electrode of effectively controlling the electric field concentration to an STI (shallow trench isolation) edge portion, and of suppressing that an effective channel width becomes narrow, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

プロセスコストの上昇が小さく素子形成が容易で、かつ半導体基板の厚み方向にほぼ均一の電界を形成し耐圧とオン抵抗とのトレードオフ（実効オン抵抗）を改善できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for which the rise of a process cost is reduced, element formation is facilitated, an almost uniform electric field is formed in the thickness direction of a semiconductor substrate, and the trade-off (effective ON resistance) of a withstand voltage and ON resistance is improved. - 特許庁

素子の実効面積が小さく、動作時のオン抵抗が小さく、高耐圧で大電流動作が可能なＭＩＳ型電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an MIS type field effect transistor small in the effective area of the device, small in on-resistance during operation and capable of large current operation in high voltage resistance. - 特許庁