「実効電界」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

変調方法制御部１５５は、通信相手の装置にて推定されたシステム全体の受信電界強度、及び、平均実効受信電界強度の値に基づいて送信信号の変調方法を決定し、決定した変調方法を指示する制御信号をＳ／Ｐ部１０２−１、１０２−２に出力する。例文帳に追加

A modulation method controller 155 decides the modulation system of transmission signals depending on the estimated signal strength and the average effective signal strength of a signal received in the whole system of an opposite party, and outputs control signals to S/P sections 102-1, 102-2 to instruct the decided modulation system. - 特許庁

厚みの最も厚い部分（実効的なギャップ距離が最も小さいところ）で最も大きな静電引力（あるいは電界）を得ることができ、振動板５がその実効的なギャップ距離が最も小さいところより対向する電極２１の方向へ撓む。例文帳に追加

A highest electrostatic attraction (or electric field) can be obtained at a thickest part (where the effective gap is smallest) and the diaphragm 5 bends toward the facing electrode 21 from the part where the effective gap is smallest. - 特許庁

電界効果トランジスタの周波数特性を等価回路を用いて算出する電界効果トランジスタの回路シミュレーション方法において、高周波領域における表皮効果によるゲート電極の実効的な断面積の減少を考慮してゲート電極の抵抗値を算出し、このゲート電極の抵抗値を用いて電界効果トランジスタの周波数特性を計算する。例文帳に追加

In the circuit simulation method for calculating the frequency characteristics of a field effect transistor using an equivalent circuit, resistance of gate electrode is calculated while taking account of effective decrease of cross-sectional area of a gate electrode due to skin effect in high frequency region and then the frequency characteristics of the field effect transistor are calculated using the resistance of gate electrode. - 特許庁

ゲート電極の平面的な表面積を増大することなく検出感度が実効的に向上した電界効果トランジスタ利用の化学センサーを提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical sensor using an FET which does not increase the planar surface area of a gate electrode and effectively improves detection sensitivity. - 特許庁

実効電界Ｅeffから自由キャリア密度ｎを求め、クーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)と自由キャリア密度ｎとの相関特性を用いてクーロン散乱中心密度N(Ｃoulomb)を求めることを含む物理解析モデル。例文帳に追加

The physical analysis model includes a step of obtaining a free carrier density n from the effective electric field Eeff, and a step of obtaining the Coulomb scattering center density N (Coulomb) using the correlation characteristic between the Coulomb scattering mobility μ (Coulomb) and the free carrier density n. - 特許庁

実効的な移動度を高め、半導体層とソース・ドレイン電極との間の電気的な接触を良好にすることができる電界効果型トランジスタの構成とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide constitution of a field effect transistor that makes electric contact between a semiconductor layer and a source-drain electrode excellent by enhancing effective mobility, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。例文帳に追加

To provide an avalanche photodiode which is capable of supplying desired stable avalanche breakdown voltage and which has an electric field control layer by means of an electron as an effective carrier. - 特許庁

ゲート電極の不純物分布のバラツキを抑え、ＳＴＩエッジ部分への電界集中をより効果的に制御でき、実効チャネル幅が狭くなることを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, capable of suppressing variations in impurity distribution of a gate electrode of effectively controlling the electric field concentration to an STI (shallow trench isolation) edge portion, and of suppressing that an effective channel width becomes narrow, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

プロセスコストの上昇が小さく素子形成が容易で、かつ半導体基板の厚み方向にほぼ均一の電界を形成し耐圧とオン抵抗とのトレードオフ（実効オン抵抗）を改善できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for which the rise of a process cost is reduced, element formation is facilitated, an almost uniform electric field is formed in the thickness direction of a semiconductor substrate, and the trade-off (effective ON resistance) of a withstand voltage and ON resistance is improved. - 特許庁

素子の実効面積が小さく、動作時のオン抵抗が小さく、高耐圧で大電流動作が可能なＭＩＳ型電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an MIS type field effect transistor small in the effective area of the device, small in on-resistance during operation and capable of large current operation in high voltage resistance. - 特許庁

これにより、空乏化終端層１５内の電子ｅを空乏化層１４へ加速する疑似電界を発生できるので、光吸収層１０の実効的な層厚を増加できるため、高速応答かつ高量子効率な特性が実現される。例文帳に追加

Since a pseudo electric field for accelerating electron (e) in the layer 15 to the layer 14 can be generated by this, the effective thickness of the layer 10 can be increased, thereby realizing the quick response and sensitive characteristic. - 特許庁

緻密な膜厚制御を必要とすることなくジャンクション・リークを防ぐことができ、より実効的なＭＩＳ型電界効果トランジスタの低抵抗化に必要な厚さの金属シリサイド層が形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of preventing a junction leakage without requiring precise film thickness control, and of forming a metal silicide layer having a thickness required for making a more effective MIS type field effect transistor low resistance. - 特許庁

ＭＯＳ−ＥＦＴ駆動型の電界放出デバイスにおいて、シリコン基板上に形成されたＭＯＳ−ＦＥＴの実効チャネル長を長くすることによってソース／ドレイン間の耐圧を向上すると共に、微細化加工ができるようにする。例文帳に追加

To enhance pressure proof between a source and drain and to conduct fine machining by elongating an effective channel length of a MOS-FET formed on a silicon substrate in a MOS-FET driven field emission device. - 特許庁

ＭＯＳ−ＦＥＴ駆動型の電界放出デバイスにおいて、シリコン基板上に形成されたＭＯＳ−ＦＥＴの実効チャネル長を長くすることによってソース／ドレイン間の耐圧を向上すると共に、微細化加工ができるようにする。例文帳に追加

To enhance a breakdown voltage between a source and a drain by lengthening an effective channel length of a MOS-FET formed on a silicon substrate in a MOS-FET driven field emission device, and to finely process it. - 特許庁

該ＴＦＴの移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性を測定し、測定された移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性からクーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の３つの移動度と実効電界Ｅeffを算出する。例文帳に追加

The mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT are measured and 3 mobilities, Coulomb scattering mobility μ (Coulomb), phonon scattering mobility μ (phonon) and surface roughness scattering μ (surface), and an effective electric field Eeff are calculated from the measured mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT. - 特許庁

本発明による液晶表示装置は、液晶（２０）の配向を決定する画素電極（４）から発生される基板に対して実効的な横電界を強めるように、透明材料からなる補助電極（８）に画素電極（２）及び／若しくは共通電極（４）と等価な電位が印加される。例文帳に追加

In the liquid crystal display device, an equivalent potential to that of the pixel electrode (2) and/or common electrode (4) is applied on a sub electrode (8) consisting of a transparent material so as to enhance the effective lateral electric field on the substrate generated from the pixel electrode (4) which determines the alignment of the liquid crystal (20). - 特許庁