微小結晶度の英語

粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。例文帳に追加

Under a second condition for filling the space between the mixed phase grains by growing the mixed phase grains on the seed crystal, a microcrystalline semiconductor film is stacked on the seed crystal by a plasma CVD method. - 特許庁

無機化合物薄膜３の結晶粒子と結晶粒界部の段差に基づく凹凸や、結晶粒子と情報記録膜中の材料との間で生じる結晶学的つながりにより情報記録膜中にはピンニングサイトが形成され、微小磁区を所望の位置に高精度に位置付けることができる。例文帳に追加

By the irregularity based on the step between the crystal grain and the grain boundary of the inorganic compound thin film 3, and the crystallography-linkage produced between the crystal grain and the material in the information recording film, a pinning site is formed in the information recording film, and the microscopic magnetic domain can be located in a desired location with high precision. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の精密研磨において、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような精度の高い表面研磨を達成しつつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨スラリーを提供することにある。例文帳に追加

To provide a polishing slurry that can establish highly accurate surface polishing at high surface flatness, small surface roughness without generating micro scratches or micro pits and processing deteriorated layers on the surface, as well as high polishing speed when precisely polishing a silicon carbide single crystal substrate. - 特許庁

ゼオライトの合成をアルカリ土類金属を含有する化合物の存在下に行うことにより、平均一次粒子径が微小でカチオン交換速度が早く、かつ、平均凝集粒径が微小で分散性にも優れる結晶性アルミノ珪酸塩からなる微粒子ゼオライトの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing particulate zeolite consisting of crystalline alumino-silicate having an extremely small average primary grain size, a fast cation exchange rate, an extremely small average agglomeration grain size and excellent dispersibility by effecting the synthesis of zeolite in the presence of a compound containing alkaline earth metals. - 特許庁

デバイスの高集積化に伴い、熱処理の低温化が進んだことにより、抵抗率の低いシリコン単結晶ウエーハに形成されるようになった小さなＢＭＤなどの微小な欠陥であっても検出することができる高感度の結晶欠陥の検出方法を提供する。例文帳に追加

To provide a detection method of a crystal defect having high sensitivity, capable of detecting even a fine defect such as a small BMD (Bulk Micro Defect) formed on a silicon monocrystal wafer having a low resistivity, with progression of temperature lowering in heat treatment following high integration of devices. - 特許庁

誘電体８として焼結体を用いると、誘電体８の表面において隣り合う結晶粒１１間に作られる空隙１２が微小であり（結晶粒１１、空隙１２とも一部にのみ符号を付す）、誘電体８の表面の平滑度が高くなるため、異物１３のトラップが大幅に抑制される。例文帳に追加

When the sintered body is used for the dielectric 8, spaces 12 made between adjacent crystal grains 11 in a surface of the dielectric 8 are minute (only a part of the crystal grains 11 and a cavity 12 are attached with codes), and smoothness of the surface of the dielectric 8 becomes higher, thus, trap of a foreign body 13 is significantly suppressed. - 特許庁

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。例文帳に追加

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C. - 特許庁

微小な分子性結晶の光伝導性や光に対する応答性を広い温度範囲に亘り直接モニターしながら、試料へのドーピングを正確に制御することができるドーピング方法及びそのドーピング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a doping method and a doping system in which doping of a sample can be controlled accurately while monitoring response of a micro molecular crystal to optical conductivity or light directly over a wide temperature range. - 特許庁